Способ подготовки полупроводниковыхКРиСТАллОВ K СбОРКЕ Советский патент 1981 года по МПК H01L21/00 

(54) СПОСОБ ПОДГОТОВКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛОВ К СВОРКЕ

1

Изобретение относится к Электронной технике и может быть использован при подготовке полупроводниковых кристаллов к сборочньви операциям при производстве интегральных схем и полупроводниковых приборов.

Известен способ, подготовки полупроводниковых кристаллов к сборке, включающий закрепление полупроводниковой скрайбированной пластины на термопластичной ленте, разламывание пластин на кристаллы, растягивание ленты до образования зазоров между кристаллами и снятие годных кристаллов с ленты с помощью вакуумного присоса Г1

В данном способе полупроводниковую пластину закрепляют путем прижатия ее к предварительно разогретой термопластичной пленке, в результате чего пластина, а после разламывания и кристаллы удерживаются на пленке за счет сил молекулярного сцепления. Для снятия годных полупроводниковых кристаллов и укладки их в кассету или корпус прибора достаточно усилия вакуумного пинцета.

Недостатком данного способа является ненадежность удержания кристаллов, зависимость сил сцепления кристаллов с термопластичной пленкой от ее физических свойств, температуры нагрева и других .

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является способ подготовки полупроводниковых кристаллов-к сборке, включающий закрепление полупроводниковых кристаллов на ленте с адгезионным слоем,

0 растягивание ленты и снятие полупроводниковых кристаллов с ленты с помощью вакуумного присоса 2.

В данном способе полупроводниковую пластину после операции скрай5бирования закрепляют на ленте с адгезионным слоем, в результате чего полупроводниковые кристаллы после разламывания пластины надежно удерживаются на ленте.

0

Для снятий годных полупроводниковых кристаллов с лейты одного усилия вакуумного пинцета уже недостаточно, поэтому одновременно осуществляют

5 подкалывание полупроводниковых кристаллов со стороны ленты с помощью специального инструмента - или сферического наконечника. Это приводит к усложнению используемых устройств и технологическяго процесса

0

подготовки полупроводниковых кристаллов к сборочным операциям.

Цель изобретения - упрощение технологического процесса.

Поставленная цель достигается тем что согласно способу, включающему закрепление полупроводниковых кристаллов на ленте с адгезивным слоем, растягивание ленты и снятие полупроводниковых кристаллов с .ленты с попощью вакуумного присоса, после растягивания ленты ее возвращают в исходное положение путем снятия растягивающих усилий.

При растягивании ленты и ее последующем возвращении в исходное положение происходит некоторое уменьшение сил сцепления между полупроводниковьами кристаллами, сохраняющими первоначальную ориентацию, и лентой с адгезивным слоем, что позволяет снимать годные кристаллы с помощь только вакуумного присоса, без дополнительного подкалывания полупроводниковых кристаллов со стороны ленты.

Способ подготовки полупроводниковый кристаллов к сборочным операциям осуществляют следукяцим образом.

Полупроводниковые кристаллы размером 0,7x0,7 юл предназначенные для напайки на ножки полупроводниковых приборов, после операции разламывани по глупроводниковых пластин перегружают на липкую эластичную ленту. Ленту с закрепленными на ней кристаллами растягиваиот в горизонтальном направлении путем приложения усилий, а затем возвращают в исходное положение путем снятия растягивеирщих усилий.

при этом сохраняется первоначальная ориентация полупроводниковых кристаллов, которые, таким образом, подготовлены для последующей сборочной операции. В дальнейшем годные полупроводниковые кристаллы снимают с ленты с помощью вакуумного присоса и переносят их на операцию напайки полупроводниковых кристаллов на ножки полупроводниковых приборов.

Способ опробован в производственных условиях, при этом технология подготовки полупроводниковых кристаллов к сборке значительно.упрощена без потери нгщежности закрепления полупроводниковых кристаллов на ленте с адгезивнь слоем.

Формула изобретения

Способ подготовки полупроводниковых кристаллов к сборке, включающий закрепление полупроводниковых кристаллов на ленте с адгезивным; слоем, растягивание ленты и снятие полупроводниковых кристаллов с ленты с помощью вакуумного присоса, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологического процесса, после растягивания ленты ее возвращают в исходное положение путем снятия растягивающих усилий.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

кл. 99(5) А 04, 01.11.73 (прототип).