Устройство для обработки кристаллизующихся слитков Советский патент 1977 года по МПК C22F3/02 C21C5/56 

излучающего торца к длине волны в материале иалучагеля - в пределах 0,05-0,15. Указанные соотношения получены из анализа работы системы в диапазоне частот 7,5-22 кГ На чертеже показано предлагаемое устройство. Оно состоит из поддона-излучателя 1, соединенного с магнитострикцноннымй пре образователями 2 и закрепленного на проме жухрчном кольце бака охла51 ения 3. Кристаллизатор 4 устанмлен на вакуумное уплотнение 5 псддона-иэлучателя. Вода в бак охлаждения 3 поступает по трубе 6. Упругие колебания от магнитострикционных преобразователей 2 передаются на под дон-излучатель 1, на который производится наплавление слвлса. Поддон-излучатель 1 в преобразователи 2 с шаждаются водой, поступающей в бак 3 охлаждения по трубе 6 Указанные кор рук-люные особенности обеспечивают аффективную передачу энергии упругих колебаний ., в кристаллизующийся металл, значительно снижая ее потери в колебательной системе, повышают однородность упругих колебаний по всей поверхности поддона-излучателя н благодаря отсутствию автономной волноводной системы снижают размеры волноводно-излучающей части устройства до величины полуволны врдбуждаеиых преобразователями колебаний. Все это приводит к повышению эффективности обрабо ки слитка, повышению его качества и в зна чительной степени повышает надежность и долговечность работы устройства. Формула изобретения Устройство для обработки кристаллизующихся слитаов, включающее излучатель к магнитострикционные преобразователи, отличающееся тем, что, с целью уменьшения потери энергии упругих колебаний, исключения автономной волноводной системы и уменьшения гайаритов, улучшения условий передачи упругих колебани и повышения качества слитка, излучатель выполнен в виде полуволнового водоохлаждаемого поддона в форме цилиндрического стакана и соединенного непосредственно с магнитострикционными преобразователями.