Устройство для обработки кристаллизирующихся слитков Советский патент 1976 года по МПК C22F3/02 

ключенного в демпфирующий бак охлаждения.

Это устройство, обеспечивая эффективную передачу энергии колебаний в кристаллизующийся металл, исключает необходимость использования затравок-излучателей.

На чертеже показано устройство для обработки кристаллизующихся слитков.

Устройство состоит из поддона-излучателя 1, устаповлеппого на волновод 2 и закрепленного на промежуточной крыщке 3 демпфирующего бака охлаждения 4, и преобразователя 5 электрических колебаний в механические. На вакуумное уплотнение 6 поддона-излучателя устанавливается кристаллизатор 7.

Упругие колебания от преобразователя 5 через волновод 2 передаются на поддон-излучатель, на который производится наилавление металла. Охлаждение поддона 1 и волноводпой системы 2 и 5 производится водой, поступающей в демпфирующий бак охлаждения 4 устройства.

Предлагаемое устройство для обработки кристаллизующихся слитков опробовано в промыгиленных условиях при дуговом вакуумном переплаве в печи ЦЭН-380 с кристаллизатором диаметром 150 мм. Переплаву подвергались электроды диаметром 100-120 мм ряда жаропрочных сплавов на никелевой основе. Частота упругих колебаний составляла 9850 ГЦ.

Предлагаемое устройство предупреждает загрязнение нижней части слитка материалом затравки, снижает уровень щумов, исключает затраты на изготовление затравок.

Пспользовапие устройства при его внедрении обесиечит ориентировочную экономию около 200 рублей на тонну сортового металла, обработанного в процессе кристаллизации упругими колебаниями.

Формула изобретения

1. Устройство для обработки кристаллизующихся слитков, включающее волноводную систему и излучатель уиругих колебаний частотой 7,5-22 КГЦ, отличающееся тем, что, с целью экономии металла и исключения

загрязнения выилавляемых слитков, а также снижения уровня щумов и уменьщения габаритов волноводной системы, оно снабжено демпфирующим баком охлаждения, в котором заключена волноводная система, а в качестве

излучателя служит крышка демпфирующего бака, являющаяся одновременно поддоном кристаллизатора.

2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что поддон-излучатель выполнен в виде

плоского диска с фланцем, имеющего отнощение толщины к диаметру в пределах 0,1 - 0,15, а площади излучающей поверхности к площади торца волновода в пределах 6- 20 частей.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1. Абрамова О. В. Кристаллизация металла в ультразвуковом поле. М., «Металлургия, 1972, с. 106-111.