Способ получения вольфрамовых покрытий Советский патент 1977 года по МПК C23C11/02 

40 мол. %. Через 2 мин TeMnepatypy подложки в течение S мин снижают до 550°С с одновременным уменьшением содержания .гексафторида вольфрама в газовой смеси до 18 мол. % из расчета 2 мол. % на каждые 20°С, после чего лроцесс продолжают еще 20 мин. В результате получают вольфрамовое покрытие толщиной 0,25 мм, неравномерность которого по толщине не превышает 10-12%, при выходе по вольфраму 60%, а величина текстурноох) максимума равна 24°, в то время как неравномерность покрытий, полученных известными способами, составляет 16-20%, выход по вольфраму - не более 45%, а величина текстурного максимума - 50°.

Формула изобретения

Способ получения вольфрамовых покрытий путем пропускания газовой смеси, содержащей 30-бО Мбл. % тексафторида вольфрама и водород вдоль подложки, .нагретой до 700- 1000°С, отличающийся тем, что, с целью повышения равномерности покрытий, совершенства их текстуры и степени использования гексафторида вольфрама, через 1-10 мин снижают температуру подложки до 400-600°С и содержание гексафторида вольфрама до 5- 25 мол. %, причем температуру снижают со скоростью 10-100°С/:мин при уменьшении содержания гексафторида вольфрама 1-3 мол. % на каждые 20°С.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1. Осаждение из газовой фазы. Под ред. К. Пауэлла. М., Атомиздат, 1970, с. 462.

2. Авторское свидетельство № 457757, кл. С23С 11/02, 1971.