Шихта для получения керамического материала Советский патент 1983 года по МПК C04B35/465 

Описание патента на изобретение SU992488A1

Изобретение относится к ралио электронной технике и может быть но пользовано для изготовления высокочастотных изделий данной отрасли, в том числе высокочастотных монолитных керамических конденсаторов группы по ДКЕ П-100 с 6«20±5 с серебряно-палладиевыми электродами.

.Известен высокочастотный дизлектрический керамический материал 1J, включающий, мол. %: титанат кальция 2-97, титанат лак,тана. 3-40 и титанат магния 0,95 с .«30.

Однако этот материал обладает повышенной .температурой спекания, не позволяющей использовать его для изготовления монолитных керамических конденсаторов с серебряно-палладиеёыми электродами.

; Наиболее близким к предлагаемому является керамический материал С2, включающий, мас.%:

Титанат магния

(MgTiO,)Основа

Окись лантайа

(,)0,20-0,30

Окись алюминия

(Ala.0j)0,15-.0,20 .

Двуокись кремния

(SiOa)0,30-0,35

Характеристики материала следующие:

Температура спеканий, С1375+-25 Температурный коэффициент емкости ТКЕ, 10 , -t-lOO Диэлектрическая проницаемость ,16,5

10 Тангенс угла диэлектрических потерь -tg-cT- lO прк нормальных условиях 1,4 Недостатками известного матери15ала являются высокая температура спекания (1375 + 25°С) , не позволяющая использовать его для производства многослойных монолитных керамических конденсаторов, и наличие в

20 составе., редкоземе льного окисла ,

Целью изобретения является снижение тетшератуЕ спекания материала до при сохранении диэлектрических свойств и экономия драгме25таллов .

Поставленная цель достигается тем, что шихта для получения керамического материала, включающая титанат маг30 ния, дополнительно содержит ашарит при следующем соотношении компонентов, мае. %: Титанат магния 94-96 Ашарит4-6. Предлагаемый керамический материал можно получить двумя способами По первому способу титанат магни составляющий основу диэлектрика, предварительно синтезируют. Синтез МдТЮл осуществляют при 1200±50°С из .окиси магния, прокапЯенной при ИЗО-тЗО С, и двуокиси ти тана, взятых в соотношении, мас.%: Окись магния (МдО) 33,54 Двуокись титана (TiOg,)66,46 Полученный таким образом титанат магния диспергируют в вибромельнице te4eHHe 2,5±0,5 ч до основного размера частиц (л/90%) i 2,5 мкм. В измельченный титанат лaгния до /бавляют ашарит (2MgO.B,jp,,- ) в ко чествах, указанных ранее, и продолжают измельчение 2,,5 ч. У;с1ельная поверхность материала, измеренная на приборе АДП-1, состав ляет 1000-1200 кг/м . При изготовлении предлагаемого м териала допускается использование титаната магния, получаемого по химической технологии, например способом совместного осаикдения солей магния и титана в присутствии осади теля оксалата аммония.

1 ТКЕ lOl/C j tgcT-10 Кмг,0м

(35-75)С 100°С2000С ЗОСРС

17,5-18,0 (110-114) 0,9-1,0 1-42-5 4-5 1 -10 710 -10 7

П р и м е р2. Содержание ингре-Характеристики материала представдиентов, нас.%;лены в табл. 2(температура спекания

Титанат магния941080120 С, диэлектрические свойства

Ашарит 2МдО.ВлО,П„0 6в интервале 20-300 С).

Таблица2

ТКЕ,10 1/СТ tgcT- °М

..-i-- - ------- - ------------ 20°(35-75С) 200 с300 с 200с ЗОО-С

17,5-18,0 106-112 0,9-1,0. 3-53-5 4-5 10 7 .i lt-i f-I--ПримерЗпо среднему (опти- Характеристики материала представ-:

мальному) значению ингредиентов, лены в табл. 3 (температура спекания

мас.%.:. ,материала 1080±20С, дизлектриТитанат магния 95ческие свойства в и ьтервале

Ашарит (2MgO.) 520-30.0 С .

ТаблицаЗ

г I ТКЕ, Т tg Г- 10Г Нц,0м

(35-75 С) 20 0ЮО С200« С 100 С200С30ос

17,5-18,2 () 0,9-1,0 2-13-4 4-5

-- ----- - -.-------.-.--.-.-- -- - -4- ------«----------.-.--- -----

Таблица. Титанат магния, noJTy4eHHbjft методом осаждения из солей, обладает высокой дисперсностью и не требует дополнительного измельчения. По второму способу синтез титаната магния предварительно не производят, его осуществляют в процессе шихтовки массы. По указанному способу материал приготавливают следующим образом. Углекислый магний (65,9467,34 мас.%) и тонкодисперсную двуокись титана (62,47-63,80 мас.%), из расчета получения 94-96 мас.% MgTiO, смешивают с ашаритом (4-6 мас.%) в вибромельнице в течение 2,,5 ч, затем шихту прокаливают при 1050 и спек измельчают сухим и мокрым виброполом в течение 2,,5 ч до удельной поверхности по АДП-1 л/1000 кг/м. Изделия оформляют методом статистического прессования и литья керамической пленки и спекают при 1080 20°С. Пример. Содержание ингрединтов, мас.%: Титанат магния96 Ашарит (2MgOB,O.) 4 Характеристики материала представены в табл. 1(температура спекания 1080., диэлектрические свойства атериала в интервале 20-300с) .

Преимуществом предлагаемого материала по сравнению с прототипом является Солее низкая температура спекания (), позволяющая использовать данный диэлектрик для производства высокочастотных многослойных монолитных керамических конденсаторо П-100 с Ад-Pd электродами.

Замена металла электрода в монолитных конденсаторах (Pd-Pt 15 мас.% на Ag-Pd 30 мас.%) сокращает расход драгметаллов (полностью исключает использование Pt) и значительно снижает себестоимость керамических многослойных конденсаторов.

Кроме того, возможность обжига предлагаемого материала при низких температурах уменьшает расход электроэнергии и позволяет использовать для обжига более простое и дешевое энергетическое оборудование.

Формула изобретения

Шихта для получения керамического материала, включаккцая титанах магния отличающаяся тем, что, с целью снижения температуры спекания до 1100°С при сохранении диэлектрических свойств и экономии драгметаллов , она дополнительно содержит ашарит при следующем соотношении компонентов, мас.%:

Титанат магния 94-96 Ашарит4-6

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Патент США 3431124, кл. 106-39, 1964.

2. Авторское свидетельство СССР 422704, кл. С 04 В 35/46, 1974.

Похожие патенты SU992488A1

название год авторы номер документа
Шихта для изготовления сегнетокерамического материала 1982
  • Андреева Нина Александровна
  • Жуковский Вячеслав Илиодорович
  • Макарова Галина Николаевна
  • Ротенберг Борис Абович
  • Андреев Дмитрий Алексеевич
  • Константинов Олег Владиславович
  • Аборинская Нина Сергеевна
  • Голубцова Лидия Александровна
  • Бертош Иван Григорьевич
  • Соловьева Лидия Алексеевна
SU1028644A1
Керамический материал для высокочастотных конденсаторов 1980
  • Лискер Клара Емельяновна
  • Провоторова Евгения Витальевна
  • Малышева Лариса Ивановна
SU928432A1
ВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ (ВАРИАНТЫ) 2000
  • Ненашева Е.А.
  • Картенко Н.Ф.
RU2170219C1
МАГНИЙ-, ЦИНК-, НИКЕЛЬЗАМЕЩЕННЫЕ НИОБАТЫ ВИСМУТА 1990
  • Ненашева Е.А.
  • Картенко Н.Ф.
RU2021207C1
Низкотемпературный сегнетокерамический конденсаторный материал 1991
  • Ротенберг Борис Абович
  • Дорохова Маргарита Петровна
  • Рябинина Светлана Павловна
  • Пахомова Наталия Ивановна
  • Кускова Людмила Васильевна
  • Продавцова Элеонора Ивановна
SU1791428A1
Сегнетоэлектрический керамический материал 1979
  • Заремба Надежда Евгеньевна
  • Жуковский Вячеслав Илиодорович
  • Пахомова Наталия Ивановна
  • Симо Галина Петровна
  • Чернышева Галина Владимировна
SU935498A1
Керамический материал для изготовления высокочастотных конденсаторов 1977
  • Мудролюбова Лидия Павловна
  • Борщ Алла Николаевна
  • Лискер Клара Емельяновна
  • Лимарь Тамара Федоровна
  • Кузьмина Людмила Евгеньевна
  • Фирсова Ольга Александровна
  • Федорова Лидия Васильевна
  • Третьякова Ольга Николаевна
SU628134A1
Сегнетокерамический материал 1978
  • Андреева Нина Александровна
  • Барашкова Евдокия Ивановна
  • Жуковский Вячеслав Илиодорович
  • Макарова Галина Николаевна
SU692812A1
Конденсаторный керамический материал 1982
  • Заремба Надежда Евгеньевна
  • Бойкова Дина Алексеевна
  • Жуковский Вячеслав Илиодорович
  • Пахомова Наталия Ивановна
  • Симо Галина Петровна
SU1083246A1
Сегнетоэлектический керамический материал 1977
  • Андреева Нина Александровна
  • Барашкова Евдокия Ивановна
  • Жуковский Вячеслав Илиодорович
  • Исупова Евгения Николаевна
  • Макарова Галина Николаевна
  • Панова Татьяна Ивановна
  • Савченко Евгения Петровна
SU697462A1

Реферат патента 1983 года Шихта для получения керамического материала

Формула изобретения SU 992 488 A1

SU 992 488 A1

Авторы

Кириллова Галина Константиновна

Михайлова Галина Архиповна

Масловская Ирина Владимировна

Даты

1983-01-30Публикация

1981-09-30Подача