Сегнетокерамический материал Советский патент 1977 года по МПК C04B35/495 

1

Изобретение касается создания керамических полупроводниковых материалов для изготовления терморезистивиых элементов с положительным температурным коэффициентом сопротивления - позисторов.

Известен сегиетоэлектрический материал на основе KNbOs с добавками К2О и GeOz

„ Данный керамический материал не иригоден для изготовлення иозисторов, иоскольку является диэлектриком.

Целью настоящего изобретения является создаиие керамического материала, обладающего полупроводниковыми свойствами и эффектом положительного температурного коэффиииеита соиротивления.

Поставлеиная цель достигается за счет того, что керамический материал на основе KNbOs с добавками К2О и GeO2 содержит указанные компоненты в следующем соотношении, вес. %:

KNbOs90-95

К2О4-6,7

GeOo1-3,3

Это позволяет получить резкое повышение соиротивления с ростом температуры в районе ромбическо-тетрагонального перехода из одной сегнетоэлектрической фазы в другую.

Составы готовят по обычной керамической технологии: добавкп вводят в синтезированный ири 950°С из и К2СОз ниобат каЛИЯ либо в виде смеси карбоиатов (калий) и окислов (германий), либо в виде стекла, иолучеиного сплаилеипем указанных ингредиентов ири 1100°С. После тщательного перемешивания прессуют таблетки, которые обжигают в течение 2 час при 980--1000°С в атмосфере воздуха. Охлаждение после обжнга ироводят со скоростью менее 150°С/час до 800°С, иосле чего образцы остывают вместе с иечью. Полученные диски шлифуют до ТОЛИ1ИНЫ 0,8-1 мм. Серебряные электроды наносят методом вжигания посты при 750°С.

Полученные материалы имели следуюи ие характеристики физических свойств.

Величину положительного температурного коэффициента сопротивления а определяют по формуле

,3031g-(p2/pi)/(T2-Ti)

где TI и Т2 - температуры, при которых соответственно начинается п прекращается резкий рост сопротивления;

Р: и р2 - значения удельного сопротивления соответственно при TI и Т2.

Таким образом получен позисторный материал на основе KNbOs. Данный материал характеризуется температурой обжига значительно более низкой, чем у позисторных материалов на основе титаната бария.

Формула изобретения

Сегнетокерамический материал на основе KNbOs с добавками К20 и ОеОг, отличающийся тем, что, с целью получения материалов с полупроводниковыми свойствами и эффектом положительного температурного коэффициента сопротивления, он содержит указанные компоненты в следующем соотношении, вес, %:

KNbOs90-95

КгО4-6,7

ОеОг1-3,3

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1. Авторское свидетельство № 274175, кл. Н Olb, 1968.