расположенных по разные стороны диагч)нали пластины. На фиг. 1 изображен магнитный запоминакяций элемент; на фиг. 2 - временная диаграмма токов и напряжений; на фиг. 3график переходов элемента. Магнитный запоминающий элемент соцержит пластину 1 из материала с ППГ с восемью отверстиями, две координатные обмотки 2 3, обмотку смещения 4 -разрядную обмотку 5. Отверстия образуют две группы 6, 7 по четыре отверстия в каждой группе. Для выборки элемента должны быть подая. ны в координатные обмотки 2 и 3 оба коор динатных тока 3, Л на фоне тока омещенйя 3 (фиг. 2), протекакйдего в обмоТ ке 4. Результирующая положительнаа МДС F (фиг. 2) переводит элемент в магнитное состояние С (фиг. з). При этом выполняет ся считывание со стиранием информации; в разрядной обмотке ,5 наводится импульс напряжения Ц или ид(фиг. 2) в зависи мости от предыдущего магнитного состояниы i или О (фиг. З). Запись перезапись/ информации осушесэУвляется по окончании координатных токов поп действием тока смещения при напнчии одного из разрядных токов (фиг. 2), подаваемого в разрядную обмотку 5. Ток Эр (3 )нарушает баланс в магннтопроводе элементаJ изменяется магнитный поток, пе ремычки между группами 6 и 7 отверстий замыкаются в основном вокруг группы 7 (б) и элемент попадает в состояние 0 ().
Элемент может хранить троичную информанию. Если при записи разрядные токи 3„ Зр не подаются, то элемент переходит в третье состояние хр анения с симметричным распределением потоков вокруг групп отверстий.
1.Заявка № 2135944/24.;
кл. Q 11 С 11/14, 1975, покоторой принято положительное решение.
2.Заявка № 2354654/24,
кл. G 11 i 1/О6, 1976fno которой принято положительное решение. В предложенном элементе по сравнению с известными элементами координатные токи и ток смешения уменьшились примерно на 25% при прочих равных условиях. Формула изобретения Магнитный запоминающий элемент, содержащий пластину из материала с прямоугольной петлей гистерезиса с восемью отве| стиями, объединенными в две группы по четыре отверстия, причем два отверстия каждой группы расположены по диагонали пластины, а два других- по разные стороньг г диагонали пластины, координатные обмотки, обмотку смещения и разрядную обмотку, от.личающийся тем, что, с целью уменьщения потребляемой мощнооти элемента, обмотка смещения прошита в противоположных направлениях через средние отверстия групп, расположенных по диа гонапи пластины; одна координатная o6Moiw ка прошита в противоположных направлениях через крайние отверстия групп, расположен- яых по диагонали пластины; другая координатная обмотка прошита в противоположных направлениях через два отверстия групп, расположенных по разные стороны диагона ли пластины, а разрядная обмотка прошита в одиночных направлениях через два других oTBejJjJTHH групп, расположенных по разные стороны диагонали пластины. Источники информации, принятые во вни. мание пои экспеотязе;
1
X
fK
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Магнитный запоминающий элемент | 1976 |
|
SU585545A1 |
Магнитный запоминающий элемент | 1975 |
|
SU516099A1 |
Способ считывания информации с магнитного запоминающего элемента и магнитный запоминающий элемент | 1975 |
|
SU538419A1 |
Магнитный запоминающий элемент | 1975 |
|
SU610173A1 |
Магнитный запоминающий элемент | 1975 |
|
SU532898A1 |
СПОСОБ ЗАПИСИ ИНФОРМАЦИИ В ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО НА МАГНИТНЫХ СЕРДЕЧНИКАХ И ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО НА СЕРДЕЧНИКАХ | 1992 |
|
RU2101784C1 |
Магнитный запоминающий элемент | 1975 |
|
SU538422A1 |
Магнитный запоминающий элемент | 1975 |
|
SU614467A1 |
Магнитный запоминающий элемент | 1974 |
|
SU520621A1 |
Магнитный запоминающий элемент | 1976 |
|
SU587503A1 |
Авторы
Даты
1978-03-05—Публикация
1977-01-25—Подача