Способ получения борсодержащих покрытий Советский патент 1978 года по МПК C23C11/08 

Изобретение относится к пшучекшо покрытий путем термического р иэпожэниа соедииевнй на поверхности нагрет подложки, в частности к получению 6с ос1 держащих покрытий с проводящими и дв- электрическими свойствами, которые могут быть использованы в эпектротехн ческЫ1 промышленности.

Известен срособ получения бс осодержаших покрытий путем термическетО ра ложения трихлорида бора в смеси с аммиа ком при температурах, превышающих l.

Однако известный способ позволяет получать покрытия только с диэпектричео кими свойствами.

Наиболее близким к изобретению по техническому существу и достигаемому результату является способ получения бОг росодержащмх покрытий nvTeM термическо го разложения хлорида бора или дибораиа в смеси с аммиаком, азотом или их см&СЬЮ 2.

Однако известный способ также позао лает получать только диапектрическае

: покрытая н имеет иизкую скорость осах :деии8 - 5&-1ОО мкм/ч при использовании хлорида бора и 5-1О мкм/ч при исполь зоваиви { берана.

Предложенный способ отличается от известного тем, что с аеяыо интенсификации dpiHiecca и попучеиия покрытий с токсжроводяшими и диэлектрическими свойствами в качестве соединения бора берут трехфтсфистыб бор эфврат и процесс проводят при температуре подложки 70О14ОС С и соотношении трехфторнстсно бора эфирата к аммиаку 1 : (1-24), причем для получения покрытий с токопроводяшими свойствами процесс осуществляют при температуре подг1ожки 7 СО-11 ОС С и соотношении трехфтористого бора эфирата к аммиаку 1 : (6-24), а для получения дизпектри юских покрытий - при температуре 120О-140О Си соотношении

1 :. (1-5).

Характер формирующихся покрытий определяется как температурой подложки, так н соотншюнвем трехфтористого бора э4«рата к аммиаку. Температура подложки 7ОО С является минимальной для осаждения покрытия. При этом скорость осаждения составляет 9-15 . При температуре подложки 14ОО С скорость осаждения составляет 2775 мкм/ч. Однако дальнейшее повышение температуры нецелесообразно, так как приводит к образованию некомпактных покрытий при незначительном увеличении скорости осаждения При снижении соотношения трехфториотогс б(а э4 1рата к аммиаку менее 1 : 1 степень использования OCHOBHIX O сырья снижается до 20%, а увеличение указа HoriS соотношения бопее 1:24 приводит к снижению скорости осаждения и уху/ шению качества покрытий вследствие дендритообраэования. ТрехфтфистыЙ бор эфират представляе собой комплексное соединение бора с обшей ффмулой и выпускается по ТУ 6-09-804-71J Полученные осадки по составу соот ветствуют оксикарбонитриду, бора, причем в осадках с дизпектрическими свойствами соде1:$жаШ1е азота составляет 3552 ат. ,%, а в осадках с токопроводящими свойствами - 5-1 ат, % при содержании углерода 40-5О%. Последнее саидетепьствует о фс мировании в покрытии нестехиометрического а оксикарбонитрида, обогашенного углеродом. Температуры 11ОО и 12ОО С ограничивают области получения токопроводящих и диэлектрических покрытий. Область температур от 1100 до 1200 С является переходной. Влияние температуры на свойства покрытий, получаемых при атмосферном давлении, и скорость осаждения представлены в табл. 1, Из данных табл. 1 видно, что преда1 женный способ позволяет вести осаждение со скоростью до 2775 мкм/ч, что значительно интенсифицирует процесс. Для псиучения многослойных покрытий с чередованием проводящих и диэлектрических слоев в одном технологическом ци1ше последовательно изменяют условия осаждения-. П р и м е р 1. На молибденовую проволоку нагретую в атмосфере водорода, наносят многослойное покрытие с чередующимися слоями проводника и диэлектрика при условиях, указанных в табл. 2. При этом температуру в испарителе трех. фтористого бора эфирата поддерживают в пределах 110-115 С. П р и м е р 2. При необходимости полЗ ёвия однослойного проводяидаго покрь тия процесс осуществляют при условиях, указанных в табл. 2. Таким образом, предлагаемый способ позволяет получать покрытия с проводящими и диаиектрическими свойствами в одном технодйгическом цикле, а также многослойные покрытия С чередованием диэлектрических и токопроводящих слоев при высокой скорости осаждения.

ез tt

s . Ч ю

Q

Е