Способ получения мелкоструктурных люминесцентных покрытий на подложке Советский патент 1978 года по МПК H01J9/22 

Изобретение относится к-«технологии производства электроннолучевых приборов в частности к технологии получения мелкоструктурных люминесцентных покрытий методом осажаения из суспензии ка подложку центрифугированием с последующей сушкой. Известен способ получения люминесцен тных покрытий на стеклянные или слюдяiные электроннолучевых трубок и электрон нооптических преобразователей, включающий операции осаждения люминофора из суспензии на подложку под действием силы тяжести, закрепления люминесцентного покрытия на подложке под действием химических и физических процессов в сус пензии, удаления жидкой среды суспензии закрепления люминесцентного пок|зытия в процессе сушки и обжига экрана 11. Этот способ, особенно в применении к мелкоструктурным экранам, отличается длительностью операции осаждения,, и, кроме того, не обеспечивает достаточно высокую плотность слоя люминофора., Наиболее близким к изобретению тех- ническим решением является способ получения люминесцентных покрытий, включающий операции осаждения люминофора из суспензии на подложку под действием центробежных сил, удаления жидкой фазы суспензии, сушки и обжига экрана 21. Недостатком описанного способа является неполное удаление жидкой фазы суспензии при ее сливе или отсосе вслед ствие гигроскопичности слоя люминофора. Образующийся при чрезмерном содержании жидкости в слое люминофора брак экранов по затекам представляет собой видимую после высыхания экрана границу влажных участков слоя. В производстве некоторых видов изделий такой брак составляет примерно 10%. Целью изобретения является предотвращение образования брака в виде затеков от жидкой фазы суспензии, оставщ,ейся в слое люминофора после удаления жидкой фазы суспензии. Для достижения указанной целитюсле удаления жиокой фазы суспензии пройзвоайт сброс ее остатков из нанесенного слоя люминофсфа аентрифугирования при расположении плоскости пооложки перпенсшкулярво направлению действующих сил. П р и м е р. В соответствии с преплагаемым способом подложки закладьшаю в гнезоа ротора центрифуги, в гнезда заливают суспензию люминофора. При вра шении ротора гнезда под действием центробежной силы разворачиваются таким образоМ| что плоскость подложки распо лагается перпендикулярно направлению действукшшх сил (перпендикулярно направ лению равнодействующей центробежной силы н силы тяжести). На частишл лкялинофора в суспензии действуют силы порядка S-lOtf и вызывают энергичное их осаждение на плоскость подложкч с образованием плотного слоя люминофора. По окончании осаждения люминофора яа подложку вращение ротора прекращают и жидкую фазу суспензии удаляют из гнез путем слива или отсоса. После удаления жидкой фазы суспензни из гнезд роторацентрифугу снова приводят во вращение, и благодаря этому осуществляют сброс остатков жидкой фазы суспешиг вз слоя люминофора под действием центробежных сил порядка 2О-ЗОЙ. Сброс остатков жидкой фазы суспензии происходит при расположении плоскости подложки перпендикулярно направлению действующих сил. Поцложку в гнезде размешают вьпие дна гнезда с тем, чтобы оставалось место для сброшенных из слоя люминрфора остатков жидкой фазы суспензии. Затем производят закрепление покрытия путем сушки экранов в пбчи при температуре 6О-8О С с поддувом очищенного воздуха и путем,обжига экранов при температуре выше 150 С. На полученбрак в виде затеков отсутных экранах ствует. Ф ормула из обретен и Способ получения мелкоструктурных люминесцентных покрытий на подложке, включающий операции осаждения Як йЗфора из суспензии на подложку под действием центробеж}1ых сил, удаления жид- кой фазы суспензии, сущки и обжига экрана, отличаю щ-и и с я тем, что, с целью предотвращения образования брака в виде затеков от жидкой фазы суспензии, после удаления жидкой фазы суспензии производят сброс ее остатков из нанесенного слоя люминофора центрифугированием i при расположении плоскости подложки перпендикулярно направлению действующих сил. Источники информации, принятые во в;нвманне при экспертизе: 1. Шехмейстер В. И. Технологические работы в алектрова)9уумном производстве М, Высшая школа, 1967, с. 249262. 2. Патент США Ms 2119309, кл. 117-33,5 1938.