Установка для изготовления цилиндрических тонких магнитных пленок Советский патент 1978 года по МПК C25D21/12 G01R33/02 

Установка содержит механизм 1 сматывания проволочной подложки, механизм 2 протяжки проволочной поцложки, ячейку i3 подготовки подложки, ячейку 4 для электролитического осаждения немагнитного подслоя, ячейку 5 для электролитического осаждения магнитной пленки, уз 6 контроля однородности свойств участков осаждаемой пленки и формирования сигналов управления, узел 7 управления режимами процессов электролиза ячеек осаждения немагнитного подслоя и магнитной пленки, источник 8 тока, ячейку 9 нанесения и сушки электровлагозащитного покрытия, ячейку 10 термомагнитной обработки и проволочную подложку 11 для нанесения магнитной пленки. Проволочная подложка 11 из немагнитного материала с механизма 1- сматывания непрерывно протягивается в осе вом направлении механизмом 2 протяжки и последовательно проходит через ячейку 3 подготовки подложки, где она, очищаясь от грязи и окиси, проходит операции электротравления, электроноли- ровки и промывки водой, ячейку 4 предварительного электролитического осаждения немагнитного подслоя ячейку 5 электролитического осаждения магнитной пленки, узел б контроля свойств участков осаждаемой пленки, ячейку 9 для нанесения и сушки электронлагозащитного покрытия и ячейку 1О термомагиит ной обработки. Сигнал, пропорциональный контролируемому параметру, например, магнитно потоку насыщения, участка осаждемой пленки с выхода узла 6 контроля и формирования сигнала укравления поступает на вход узла 7 управления режимами пр цессов электролиза ячеек 4 и 5 электр литического осаждения немагнитного подслоя и магнитной пленки, например управления режимами токов осаждения ячеек 4 и 5. Узел 6 формирует сигнал управления посредством сравнения сигна ла пропорционального контролируемому параметру с опорным уровнем сигнала или с сигналом, пропорциональным однородности свойств участков эталонного образца ЦТМП. Сформированный узлом 6 сигнал является показателем однородности свойств участков осаждаемой и воздействует на изменение режимов процессов электролиза ячеек 4 и 5 изменением токов осажде- ння в .них. При отсутствии сигнала управления в узле 6 изготовление цилиндрических тонких магнитных пленок происходит при режимах электролиза, обеспечивающих требуемую однородность свойств участков осаждаемой пленки. Использование новых устройств узла 6 контроля однородности свойств участков осаждаемой пленки и формирования сигналов управления и узла 7 управления режимами процессов электролиза ячеек 4 и 5 осаждения немагнитного подслоя и магнитной пленки выгодно отличает предлагаемую установку для изготовления цилиндрических тонких магнитных пленок от известного устройства, так как позволяет уменьшить неоднородность магнитных свойств участков осаждаемой магнитной пленки. В результате чего снижается неравномерность параметров участков осаждаемой пленки, определяющих область устойчивой работы элементов памяти запоминающих устройств на цилиндрических тонких магнитных пленкях, что увеличивает сферу применения образцов этих пленок в накопителях информации вычислительных машин и устраняет необходимость разработки ряда накопителей информации. Формула изобретениях Установка для изготовления цилиндрических тонких магнитных пленок, содержащая-механизмы сматывания и протяжки проволоки-подложки, последовательно расположенные ячейки подготовки подложки, электролитического осаждения немагнитного подслоя, электролитического осаждения магнитной пленки, нанесения и сушки электровлагозащитного покрытия, термомагнитной обработки, и источник тока, отличающаяс я тем, что, с целью пс рышения однородности свойств участков осаждаемой пленки, она снабжена узлом контроля однородности свойств участков осаждаемой магнитной пленки по магнитному потоку насыщения и формирования сигнала управления и узлом управления токами осаждения немагнитного подслоя и магнитной пленки, причем узел контроля однородности свойств и формирования сигнала управления размещен после ячейки электролитического осаждения магнитной пленки и его выход соединен со входом узла управления, ко второму входу которого подключен выход источника тока, один выход узла управления поаключен к ячейке электролитического осаждения немагнитного подслоя, а другой - к ячейке осаждения магнитной пленки.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

l. BbhnPein, 1иг WetstePEuDO.

vcn Hai ndccb chldtab,,,Gc(ti/anotechnik , 1972; т. 63, № 2, 144-150.