Способ изготовления цилиндрических магнитных пленок Советский патент 1988 года по МПК G11C11/14 

Описание патента на изобретение SU1432607A1

СО

IS9

9)

Похожие патенты SU1432607A1

название год авторы номер документа
Способ изготовления цилиндрических магнитных пленок 1981
  • Иващенко Павел Иванович
  • Водеников Сергей Кронидович
SU970468A1
Способ изготовления цилиндрических магнитных пленок 1983
  • Водеников Сергей Кронидович
  • Руслякова Алевтина Васильевна
  • Пятаченко Галина Николаевна
SU1127004A1
Способ изготовления цилиндрических магнитных пленок 1978
  • Гогин Владимир Павлович
  • Станина Елена Касторовна
  • Шадрина Татьяна Николаевна
SU728158A1
Способ получения цилиндрических магнитных пленок 1982
  • Гогин Владимир Павлович
  • Станина Елена Касторовна
  • Шадрина Татьяна Николаевна
  • Пыхтина Людмила Ивановна
SU1016833A1
Установка для изготовления цилиндрических тонких магнитных пленок 1977
  • Штельмахов Михаил Степанович
  • Лысый Леонид Тимофеевич
SU627189A1
Способ изготовления цилиндрических магнитных пленок 1982
  • Иващенко Павел Иванович
  • Водеников Сергей Кронидович
SU1024985A2
Устройство для изготовленияцилиНдРичЕСКОй МАгНиТНОй плЕНКи 1979
  • Какоян Альфред Багратович
SU801066A1
Способ изготовления цилиндрических магнитных пленок 1972
  • Красноперов Геннадий Васильевич
  • Гогин Владимир Павлович
  • Кадкин Владимир Александрович
  • Панишев Валентин Алексеевич
SU640364A1
Способ изготовления подложек для цилиндрических магнитных пленок 1976
  • Салтыков Вячеслав Вениаминович
  • Игнатьев Донат Анатольевич
  • Нурмухамедов Геннадий Михайлович
SU582302A1
Способ изготовления полюсных наконечников магнитных головок 1984
  • Любуцин Олег Григорьевич
  • Миронов Сергей Николаевич
  • Снарский Андрей Александрович
  • Ярошенко Александр Иванович
SU1246132A1

Иллюстрации к изобретению SU 1 432 607 A1

Реферат патента 1988 года Способ изготовления цилиндрических магнитных пленок

Изобретение относится к вычисли- тельной технике и может быть использовано при изготовлении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных пленках (ЦМП). Цель изобретения - повышение надежности изготовления цилиндрических магнитных пленок. Способ изготовления ЦМП основан на электрическом осаждении магнитного слоя на немагнитную проволочную подложку с медным подслоем при одновременном воздействии на немагнитную проволочную подложку постоянным током и переменным током промышленной частоты и термомагнитной обработке.Электролитическое осаждение и термомагнитную обработку магнитного слоя проводят при свободном провисании проволочной подложки. Устройство для изготовления ЦМП содержит узел 1 сматывания подложки, узел 2 для свободного провисания немагнитной проволочной подложки 3, электролизер 4 для осаждения медного подслоя при одновременном воздействии с на немагнитную проволочную основу постоянным током промьшшенной частоты, электролизер 5 для осаждения магнит- . ного слоя и печь 6 для термомагннт- ной обработки. 3 ил. in « СО

Формула изобретения SU 1 432 607 A1

/

/

/

0U2.f

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных ппенках (ЦМП).

Цель изобретения - повышение надежности изготовления ЦМП,

На фиг.1 изображена блок-схема

роликом 7 и прижимным роликом 10 с ломощью пружины 9 и без всякого на- гяжения вводится в датчик 12 параметра и фильеру 17. В датчике 12 параметра фотодиоды 13 и 14 и светодиоды 15 и 16 устанавливаются на границах свободного провисания проволочной подложки 3, например, на расстоянии

устройства для изготовления ЦМП, функ- Q 4-5 см от уровня движущейся проволочной подложки. При вк ва начинает вращатьс вода .8 ролик 7 и вм роликам 10 начинает

ционирующего в соответствии с предла- гаемым способом;на фиг, 2 - устройство для создания свободного провисания проволочной подложкИ(, общий ВИД; на фиг. 3 - разрез А-А на фиг,2. |5 волочную подложку 3.

Способ изготовления 1Ш.П основан на электролитическом осаждении магнитного слоя на немагнитную проволочную . подложку с медным подслоем при одновременном воздействии на немагнитную 20 проволочную подложку постоянным током м переменным током промышленной частоты и термомагнитной обработке причем электролитическое осаждение и термомагнитную обработку магнитного 25 слоя проводят при свободном провисании проволочной подложки.

Устройство для изготовления ЦМП содержит узел 1 сматьшания подложки, узел 2 свободного провисания немагнит-30 ной проволочной подложки 3, электролизер 4 для осаждения медного подслоя при одновременном воздействии на не- магинтную проволочную основу постоянного тока промьшшеиной частоты, электро- ., лизер 5 для осаждения магнитного слоя и печь 6 для термомагнитной обработки.

Узел для свободного провисания проволочной подложки состоит из ролика 7, жестко соединенного с приводом 8, Q и прижатого к ролику 7 посредством пружины 9 прижимного ролика 10,установленного в кронштейне 11, датчика 12 параметра, состоящего из двух расположенных СООСНО фотодиодов 13 и 14 JC и двух световодов 15 и 16, фильеры 17, установленной в кронштейне 18, и блоке 19 автоматического регулирования свободного провисания проволоки подложки в пределах, например, от 1-2

Ь у П 0.11. ril-i I-

ДО 4-5 см от уровня движущейся проволочной подложки по сигналам датчика,

Способ осуществляют следующим образом.

С бобины сматьшающего узла 1 немагнитная проволочная подлолска 3. поступает в узел 2 для создания свободного провисания проволочной подложки. Проволочная подложка 3 зажимается меж,цу

Как только прово 3 входит в зону дейс состоящего из фотоди да 15, поступает сиг томатического регули увеличивает скорость 8. Как только провол входит в зону действ состоящего из фотодио вода 16, поступает блока 19 автоматиче вания, который умень вращения привода 8.Т 1 автоматически подд мальное усилие натяж ленное свободным про лочной подложки 3.

Затем проволочная ходит в электролизер медного подслоя при действии на немагни подложку 3 постоянно ной частоты, плотнос тавляет 1,0-1,5 пло го тока меднения и 4 постоянного тока оса нитного сплава. Пров с нанесенным медным дит в электролизер 5 ется осаждение магни затем немагнитная пр ка с осаждением на н вом поступает в печь нитной обработки. Эл осаждение и термообр го слоя при этом про тоянном свободном пр ной подложки, что сн растяжения проволочн устраняет кристаллог нитную текстуру вдол намагничивания ЦМП.

роликом 7 и прижимным роликом 10 с ломощью пружины 9 и без всякого на- гяжения вводится в датчик 12 параметра и фильеру 17. В датчике 12 параметра фотодиоды 13 и 14 и светодиоды 15 и 16 устанавливаются на границах свободного провисания проволочной подложки 3, например, на расстоянии

ной подложки. При включении устройства начинает вращаться с помощью привода .8 ролик 7 и вместе с прижимным роликам 10 начинает протягивать проволочную подложку 3.

Как только проволочная подложка 3 входит в зону действия фотодатчика, состоящего из фотодиода 13 и световода 15, поступает сигнал в блок 19 автоматического регулирования, который увеличивает скорость вращения привода 8. Как только проволочная подложка 3 входит в зону действия фотодатчика.,- состоящего из фотодиода 14 и световода 16, поступает сигнал из блока 19 автоматического регулирования, который уменьшает скорость вращения привода 8.ТаккМ образом,узел 1 автоматически поддерживает минимальное усилие натяжения, обусловленное свободным провисанием,проволочной подложки 3.

Затем проволочная подложка 3 проходит в электролизер 4 для осаждения медного подслоя при одновременном воздействии на немагнитную проволочную подложку 3 постоянного тока промьшшен- ной частоты, плотность которого составляет 1,0-1,5 плотности постоянного тока меднения и 4,5-5,5 плотности постоянного тока осаждения ферромагнитного сплава. Проволочная подложка с нанесенным медным подслоем проходит в электролизер 5, где осуществляется осаждение магнитного сплава, а затем немагнитная проволочная подложка с осаждением на нее магнитным сплавом поступает в печь 6 для термомагнитной обработки. Электролитическое осаждение и термообработка магнитного слоя при этом проводятся при постоянном свободном провисании проволочной подложки, что снижает напряжение растяжения проволочной подложки и устраняет кристаллографическую и магнитную текстуру вдоль оси трудного намагничивания ЦМП.

3143

Формула изобретения

Способ изготовления цилиндрических магнитных пленок, основанный на электролитическом осаждении магнитного слоя на немагнитную проволочную подложку с медным подслоем при одновременном воздействии на немагнитную проволочную подложку постоянным током

Фиг.2

и переменным током промышленной частоты и термомагнитной обработке, о т- личающийся тем, что с целью повышения надежности изготовления цилиндрических магнитных пленок, электролитическое осаждение и термомагнитную обработку магнитного слоя проводят при.свободном провисании проволочной подложки.

J7

фиг.З

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1988 года SU1432607A1

Ильюшенко Л.Ф
Электролитически осажденные магнитные пленки
- Минск, 1972
Способ получения цилиндрических магнитных пленок 1982
  • Гогин Владимир Павлович
  • Станина Елена Касторовна
  • Шадрина Татьяна Николаевна
  • Пыхтина Людмила Ивановна
SU1016833A1

SU 1 432 607 A1

Авторы

Станина Елена Касторовна

Пыхтина Людмила Ивановна

Иванов Виктор Алексеевич

Даты

1988-10-23Публикация

1987-03-23Подача