Сегнетокерамический материал с высокой диэлектрической проницаемостью Советский патент 1979 года по МПК C04B35/468 H01G4/12 

Относительное изменение реверсивной , % 33 Тангенс угла диэлектрических потерь при температуре 25±10°С, %0,007 Тангенс угла диэлектрических потерь при температуре 85±3 С, %0,002 Удельное объемное электрическое сопротивление, ГОм,м5 654581 жен хар сат 4 Электрическа-я прочность, МВ/м5,9 Пред1ел прочности при статическом изгибе, МПа60 Температурный коэффициeirr линойиого расширения, °/ Практическое применение предлоного материала позволит улучшить актеристики керамических конденоров сегнетоэлектрической группы.

Формула изобретения .Сегнетокерамический материал с высокой диэлектрической проницаемостью на основе твердых растворов BaTiO -BaZhO, отличающийс я тем, что, с целью повышения диэлектрической проницаемости, удел ного объемного электрического сопротивления, снижения диэлектрических потерь, он дополнительно содержит Mg NtiOg при следующем соотношении компонентов, вес.%: ВаТтОз 83,2 - 90,6 BaZi-O 8 Mg-Ntjpg0,8 Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1.Патент США № 3345189, кл. 106-39, 1969. 2.Вопросы радиоэлектроники. Сер. 3, вып.5, 1962, с. 21-26.