Устройство для вытягивания монокристаллов из расплава Советский патент 1980 года по МПК B01J17/18 

кость 3, имеющая с тиглем общую стенку 4 с отверстиями 5.

Под дном тигля и кольцевой емкости расположены плоские секции 6 нагревателя, помещенные в углубления футеровки 7. Над тиглем установлен бункер 8 с исходным материалом в виде порощка или гранул, поступающим в емкость 3 по трубке 9. Поступающий материад плавится в емкости, и расплав стекает в тигель через отверстия 5. Тигель в процессе вытягивания вращают при помощи привода (на чертеже не показан), температуру на секцки 6 нагревателя поддерживают такой, чтобы за один оборот тигля происходило полное расплавление поступивщего в емкость 3 подпитывающего материала. Вытягивание монокристалла ведут, перемещая затравку 10, укрепленную на щтоке 11, вверх.

Формула изобретения

Устройство для вытягивания монокристаллов ,из расплава с подпиткой твердым

661966

измельченным материалом, включающее тигель и расположенную коаксиально верхней части тигля кольцевую емкость, имеющую с тиглэм общую стенку с отверстием, и нагреватель, отличающееся тем, что, с целью обеспечения непрерывности подпитки вследствие предотвращения кристаллизации расплавляемого материала на стенках кольцевой емкости, дно ее расположено выще дна тигля, отверстие выполнено на уровне дна и нагреватель выполнен из двух секций, одна из которых расположена под дном тигля, а другая - под дном кольцевой емкости.

Источники информации,

принятые во внимание при экспертизе 1. Романенко В. Н. Получение однородных полупроводниковых кристаллов. М., «Металлургия, 1966, с. 114-115.

2. Патент ФРГ № 1188040, кл. 12 с, 2, 1965.

3. Патент США № 2892739, кл. 252-62.3, 30.06.59.