(54) СПОСОБ УПРАВЛЕНИЯ N-КЛНАЛЬНЫМ НАКОПИТЕЛЬНШ ПОЛЕВЫМ ТРАНЗИСТОРОМ. .остаточные заряды между запоминающим затвором и подложкой, благодаря чему параллельная схема запоминающего полевого транзистора после разряда не имеет те же самые первоначальные свойства, которые имеются перед прог ,рс1ммированием. Это обуславливает ненадежность управления и большую величину управляющего напряжения.. Целью изобретения является повыше ние надежности и снижение управляющего напряжения, . Достигается это способом управления. N-канальнйм накопительным полевы транзистором с накопительным плаваю цим затвором, окруженным со всех сто рон изолятором, . в частности для нако ления двоичной информации, при котором-программирование осуществляют пу тём отрицательного заряда накопитель -ноге затвора и прикладывают к-стоку пЬтёнцисШ, положительный относйтельно потенциала истока для. вызывания к нальной йнжекгций.;. - Велйчина напряжения может, быть до -тат очна для разогревания электронов. Дб энергииf 3-3,8 eV. При наличии управляющего - затво а к нему может, быть приложен потенциал -поЛожитёльный по , сравнению с пйтёнцйалом стока; - ; - . . При: упра:влении по способу, согласйо изобретению;, отрицательный заряд, -йаходящийсй до ётбгб присрав нйтеЛьнрположитеЛьно.м потенциале запоминающего; satBdfia, пройс 5Гбйит , ; электрйче.еки с помощью канальйой ин жекции.. йагсопительны.й затв.ор полевого-; ранзйст6ра при программиЕ 6ёанйи ; зарйжаётсй . зарядами, которые cami формйрутотся ;вполевйм транзисторе т.ёкиМ оёразой, что заря;д, благсд аря Ййдукцйй, воздействует, на ,ток CTOKистока тормозяьщм образом вместрпе.редающего так, что заряженный накр ;пй елаьный. Затвор в программйррванном состоя1|ии рбнаруживает запирающее :влияние .научастке сток-исток. ;. С помощью канальноййнжекцййм6 . гут быть нагреты, электроны, заряжающйё йакопительный затвор. ,П им е р. Осуществляют программирование N-канального накопитель ног6 транзистора. с плавающим з атвором, отрицательно заряжаемьш посред™ (твом нагретых электронов, получае с помощью каналь.ной инжекдии в вобственном канале, Запоми.н ающий эат ЭТРГ-О з а:рйй& сГ п5м(5щШг его отрицательного заряда посредст-, вом индукции оказывает на ток стокистРка тормозящее действие на участке сток-исток. Для осуществления способа предпочтителен полевой транзистор с малым каналом, например 3 мк или короче, и с высокоомной под ложкой 3-10 ом.см. Канал должен имет участки ускорения, образованные пространственной неоднородностью, котоые позволяют сильно нагреть электроны, заряжающие накопительный затвор. Электроны, заряжающие накопительный затвор, управляют участком сток-исток в запертом состоянии, потому что на затворе собираются инжектированные заряды посредством индукции дырок между стоком и Истоком, так.что сопротивление между стоком и истоком увеличивается, В непрограммированном состоянии полевой транзистор имеет канал .накЬ пительного типа, который при нормаль-; ном положении заперт« При, программировании он. запирается еще сильнее по сравнению с непрограммированным соетоянием. Если полевой транзистор имеет канал обедненного типа, то в программированном состоянии из-за электронов, получ.аемых с помощью каналовой инж,екции в собственном канале, он запирается или становится высокоомным. Если полевой транзистор снова должен быть разряжён, .то ёдо запирающий р-п сток-исток-переход может быть нагружен до пробоя так, что получаемые в самом полевом транзисторе заряды разряжают накопительный затвор, - М канальный накопительный полевой транзистор имеет .окруженный со всех Сторон изолятором в электрическом отношении плавающий накопительный зат вор, .Подложка является р-легированной И имеет две-п-легированные области, образующие сток и исток, между кото- рглми обра.зуется в подложке канал, если этот полевой транзистор управляется в проводящем состоянии. Управление осуществляют от внешнего источййка спомощью управляющего затвора, - - Канал в его плохо проводящем или та.кжё в его хороши проводящем сос:тоя.н.ии имеет участок, в котором локальная продольная напряженность пол.я. между стоком и истоком значительно больше, чем в остальных областях этого канала. Благодаря локально ограниченной высокой напряженности поля, в канале образуется ускорительный участок, в котором свободные электроны сильно нагреваются, например, до 3,5eV, так что часть из них в этом месте покидает канал, проходит через изолятор и может отрицательно зарядить .накопительный затвор, . Способ может быть также применен. . для управления матрицей накопительных полевых транзисторов«К управляющему- затвору соответствующего выбранного полевого транзистора прикладывают достаточно высокий положительный потенциал для получения, ускоряющего напряжения между накопительным затвором и ускоряющим участкоми через соответств тощую строчную управляющую
линию к программирующему источнику канального напряжения протекает ток, нагревающий электроны, которые на основе канальной инжекции отрицательно заряжают соответствующий накопительный затвор.
С помрщью изобретения возможно проведение электрического гашения благодаря свободным носителям, нагреваемым в полевом транзисторе, а также сокращение длительности программирования до миллисекунды.
Управляегный полевой транзистор является невосприимчивым к помехам.
Формула изобретения
1. Способ управления N-канальным яакопительным полевым транзистором с накопительным плаваювднм затвором/
окруженным со всех сторон изолят -. в частности, для накопления двоичной информации, при котором программирование осуществляют путем отрицательного заряда накопительного затвора, отличающ-ийся тем, что, с целью повышенная надежности и снижения управляющего напряжения, прикладывают к стоку потенциал, положитель-. ный относительно потенциала истока для вызывания канальной инжекции.
2. Способ по п.1, отличаю0щий с я тем, что величина напряжения достаточна для разогрева электронов до энергии в 3-3,8ev.
Источники информации, принятые во внимание при экспертизе
5
1.Патент США № 366Q819, кл. 3 7-235, 1972.
2. Jorn.boEid. St Слгс SC7 Ni5, 1972, Р.5&9-575, .
