Устройство бакового кристаллизатора Советский патент 1979 года по МПК B01D9/02 

Описание патента на изобретение SU674753A1

изобретение относится к устройствам для кристаллизационной очистки легкоплавких металлов, например галлия, и мойсет быть использовано для получения солей и органических веществ высокой чистоты Известен кристаллизатор бакового типа, включающий охлаждавшую кристал лизационную с механиэ юм переме щения, бак с расплавом очищаемого ве щества и перем°шивакедее устройство 1), Oxлaждaeiviyю раму опускают в бсш: с расплавомо По мере вытягивания, на ней осаждается сплошной слой кристал лов. После кристаллизации полученная порция вещества переносится в емкость для очищенного вещества к расплавляется з ней. Однако поверхность охлаждаемой кристаллизационной рамы «чри контакте с расплавом очищаемого вешества загрязняет получаетфгй продукт конструк цнонным материа/юм рамы,кроме того, при кристаллизации вегцеств,склонных к переохлаждениюf происходит спонтанное зарождение и- неуправляемый рост кристаллов в массе расплава, что уху шает условия и эффективность процасj5a рафинирования. Цель изобретения - увеличение эффективности работы устройства. Это достигается тем, что устройство бакового кристаллизатора снабжено перфорированной затравочной поверхностью, расположенной на рабочей поверхкости . Кроме того затравочн я поверхность выполнена в виде стак аи а с крышкой. На чертеже схемати-ескн язображе};о п г; г;лагаемое устройство, ов(аий вид Устройство бакового кристаллнзаторз включает охлаждаемую кристаллизационную раму 1, с укрепленной на ней перфорированной оболочкой 2 и затравками 3 из кристаплизуетло о вещества, которы.е образуют развитую затравочную поверхность, поддерживаичую в твердом состоянии, бак 4, заполненный очищаемым веществом 5, механизм 6 перемещения, поднимающий и опусканздий раму 1, емкость 7 для очищенного вещества и электромагнитный индуктор 8 для перемешивания расплава. Устройство (работает следуижцим образом, Охлаждаемую кристаллизационную раму 1 погружают в бак 4 с расплавом очищаемого вещества 5. На развитой затравочной поверхности, образованной перфорированной оболочкой 2 и затравками 3, кристаллизуется слой очищенного вещества. По окончании кристаллизационного рафинирования раму 1 при помсяди механизма б перемещают в ем:кость 7 для очищенного вещества, где производят процесс сплавления. После сплав ления цикл кристаллизационного рафинирования повторяют. Формула изобретения 1. Устройство бакового кристаллизатора, включающее охлаждаемую раму с механизмом перемещения, бак с рас534плавленным очищаемым веществом, емкость для очищенного вещества и перемешивающее устройство, о т л и ч а rent е е с я тем, что, с целью увеличения эффективности работы устройства, оно снабжено перфорированной затравочной поверхностью, расположенной на рабочей поверхности рамы. 2, Устройство по П.1, отличающееся тем, что затравочная поверхность выполнена в виде стакана с крышкой. Источники информации, принятые во внимание при экспретизе 1. Пфанн В. Дж, Зонная плавка, М., Мир, 1970, с. 235.

Похожие патенты SU674753A1

название год авторы номер документа
СПОСОБ РАФИНИРОВАНИЯ ГАЛЛИЯ 2002
  • Козлов С.А.
  • Сидоров О.Л.
  • Сажин М.В.
  • Петрухин И.О.
  • Потолоков Н.А.
RU2221066C2
КРИСТАЛЛИЗАТОР 1971
SU420307A1
Способ очистки 4-ацетоксистирола 1991
  • Джек Чоснек
  • Джорж Е.Бек
  • Донна Л.Кин
  • Сигберт Ритнер
  • Волкер Хаитзел
SU1811524A3
Способ кристаллизации расплавов 1982
  • Пономаренко Виктор Германович
  • Бей Валерий Иванович
  • Потебня Григорий Феодосиевич
  • Рашевский Виталий Дмитриевич
SU1085612A1
СПОСОБ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ МЕТИЛОВОГО ЭФИРА АЛЬФА-L-АСПАРТИЛ-L-ФЕНИЛАЛАНИНА 1992
  • Цугуо Мураками[Jp]
  • Винфред Иоганнес Воутерус Вермейс[Nl]
  • Хидетака Егасира[Jp]
  • Кенго Окадзима[Jp]
  • Хидетоси Вакамацу[Nl]
RU2092490C1
Плазменная шахтная печь для переработки радиоактивных отходов низкого и среднего уровня активности 1990
  • Дмитриев Сергей Александрович
  • Литвинов Владимир Кузьмич
  • Князев Игорь Анатольевич
  • Морозов Александр Прокопьевич
  • Князев Олег Анатольевич
SU1810391A1
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ 1982
  • Емельченко Г.А.
  • Бабашова Л.С.
  • Куриленко В.Г.
  • Титова А.Г.
SU1050300A1
СПОСОБ РЕГУЛИРОВАНИЯ ОБРАБОТКИ ОТРАБОТАННОЙ ТЕКУЧЕЙ СРЕДЫ, ОБРАЗОВАННОЙ ВО ВРЕМЯ НЕФТЕХИМИЧЕСКОГО ПРОЦЕССА, С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ УСТАНОВКИ ДЛЯ СЖИГАНИЯ ОТХОДОВ 2020
  • Лу, Цзэнь-Шиун
  • Кондо, Кен
  • Тох, Цзяпин
  • Янсен, Халбе, Анна
  • Пудак, Клаудиа
RU2814369C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТЕРМИЧЕСКОЙ ОРТОФОСФОРНОЙ КИСЛОТЫ И СПОСОБ ЕЕ ОЧИСТКИ 2010
  • Гринберг Евгений Ефимович
  • Левин Юрий Исаакович
  • Филатова Людмила Николаевна
  • Быковская Алла Сергеевна
  • Пилюгин Валерий Михайлович
  • Заколодина Татьяна Вячеславовна
RU2464225C2
СПОСОБ ИЗВЛЕЧЕНИЯ КСИЛОЗЫ ИЗ РАСТВОРОВ 1996
  • Мирья Линдроос
  • Хейкки Хейккиля
  • Юха Нурми
  • Олли-Пекка Эрома
RU2177038C2

Иллюстрации к изобретению SU 674 753 A1

Реферат патента 1979 года Устройство бакового кристаллизатора

Формула изобретения SU 674 753 A1

Т5Х

SU 674 753 A1

Авторы

Бельский Аркадий Андреевич

Звягин Михаил Сергеевич

Звягин Сергей Борисович

Даты

1979-07-25Публикация

1973-12-13Подача