Долговременный запоминающий элемент Советский патент 1979 года по МПК G11C16/04 

Изобретение относится к области автоматики и вычислительной техники и может быть использовано при созда нии интегральных перепрограммируемых запоминающих устройств ЭВМ. Известны запоминающие элементы содержащие МДП-транзисторы с изменяеьфлм порогом включения и управляющие транзисторы. Известные эл менты не обеспечивают надёжное программирование состоящего из них запоминающего устройства, так как используют малоустойчивые физические эффекты, имеют сложную структуру ди электрика мдп-прибора и количество шин, превышающее два. Наиболее близким по технической сущности к данному изобретению является долговременный запоминающий элемент, содержащий МДП-прибор с ла винной инжекцией и плавающим затвором, биполярный транзистор, разрядную и числовые шины 4. Однако использование в этой ячейке МДП-прибо ра с лавинной инжекцией и плавающим затвором требует значительных величин управляющих напряжений, в резул тате чего существует значительная вероятность выхода из строя МДП-при бора вследствие пробоя окисла; кро ме того, наличие плавающего затвора делает МДП-прибор менее технологичным, чем МДП-транзистор, програм- мируемый с помощью ионизирующего излучения. Целью изобретения является упрощение запоминающего элемента. Поставленная цель достигается тем, что в долговременный запоминающий элемент, содержащий запоминающий и управляющий транзисторы, разрядную и числовую шины, введен диод, анод которого подключен к числовой шине, а катод соединен с истоками управляющего и запоминающего транзисторов, сток управляющего транзистора соединен с затвором запоминающего транзистора, сток которого соединен с затвором управляющего транзистора и подключен к разрядной шине. На фиг. 1 показана схема предлагаемого запоминающего элемента; на фиг. 2 - структура запоминающего элемента. Запоминающий элемент содержит программируемый с помощью ионизирующего излучения запоминающий МДПтранзистор 1, управляющий МДП-тран;..:;:;,,;;/л//- .. , f ,.: ..f зистор ,, pjji p |||te i04Wft диод 3, чкс ловую,...4 и разрядную шину 5. Запись оперативной информации осуществляется следующим образом. На числовую шину 4 11одается положительный сигнал, который не проходит через закрытый управляющий МДП-тран зистор и напряжение затвор-подложка запоминающих МДП-транзисторов в ячейках строки равно нулю (во все ячейки строки записан лог. О ). Подачей положительных сигналов на разрядную шину производится запись лог. 1 в запоминающий элемент. Запоминание постоянной информации осуществляется путем облучения sjfieMeHTa, в котором сохраняется опе ративная информация, в распределенном поле ионизирующего излучения. В процессе облученияоперативная ин формация фиксируется-. После окончания облучения и отключения питания информация сохраняется в виде встроенных каналов в Запоминающих МДП-транзисторах яч.еек в которых была записана лог. 1 Стирание постоянной информации осуществляется путем повторного об лучения без подачи питания; После того как постоянная информация стер та, в запоминающее устройство може бытьзаписана новая информация. 3 Экономический эффект изобретения состоит в повышении надежности программирования и технологичности, а также в уменьшении размеров запоминающей ячейки.. Формула изобретения Долговременный запоминающий элемент, .содержащий запоминающий и управляющий транзисторы, разрядную и числовую шины, отл и ч аю щи йс я тем, что, с целью упрощения элемента, в него введен диод, анод которого подключен к числовой шине, а катод соединен с истоками управляющего и запоминающего транзисторов, сток управляющего транзистора соединен с затвором запоминающего транзистора, сток которого соединен с затвором управляющего транзистора и подключен к разрядной шине. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1.Заявка Японии № 44-44586, кл. 97(7) G 13, 1973. 2.Заявка Великобритании 1310471, кл. G 4 С, 1973. 3.Заявка Великобритании № 1390034, кл. Н 3 Т, 1975. 4.Заявка Франции 2252627, кл. G 11 С 11/40, 1975.

Й/г.г

Фиг.г