Долговременный запоминающий элемент Советский патент 1979 года по МПК G11C16/04 

,1 Изобретение относится к области автоматики и вычислительной техники и может быть использовано при создании интегральных перепрограммируеvsjx. запоминающих устройств ЭВМ.

Извастны запоминающие элементы 1-3, содержащие ВДП-прибор с изменяемлм порогом включения и управляющие транзисторы. Однако известные элементы не обеспечивают надежное программирование состоящего из них запоминающего устройства, так как используют малоустойчивые физические эффекты, имеют сложную структуру диэлектрика МДП-прибора и количество шин, превышающее два.

Наиболее близким по технической сущности к данному йзо5рет.ению является долговременный запотнающий элемент, содержащий ЩП-прибор с лавинной инжекцией и плавающим затвором, биполярный транзистор, разрядную и числовые шины 4. Однако использование в этой ячейке МДПприбора с лавинной инжекцией и плавающим затвором требует значительных величин управляющих напряжений, в результате чего существует значительная вероятность выхода из строя МДП-прибора вследствие пробоя окисла; кроме того, наличие плавающего затвора делает ,МДП-прибор менее технологичным, чем МДП-транзистор, программируемый с помощью облучения.

Целью изобретения является упрощение запоминающего элемента.

Поставленная цель достигается тем, что в долговременный запоминающий элемент, содержащий биполярный

0 транзистор, коллектор которого соединен с затвором МДП-транзистора, а эмиттер - с разрядной шиной, и числовые шины записи и считывания, введен диод, анод которого подклю5чен к ЧИСЛОВОЙ шине считывания, катод - к истоку МДП-транзистора, сток которого соединен с эмиттером биполярного транзистора, база которого подключена к числовой шине записи.

0

На фиг. 1 показана схема запоминающего элемента; на фиг. 2 - структура запоминающего элемента,-который содержит программируемый с помощью ионизирующего излучения МДП-транзис5тор,, биполярный транзистор 2, диод 3, разрядную шину 4, чис.повые шину : записи 5 и шину считывания 6.

Запись оперативной информации в запоминающий элемент происходит сле0дующим образом: на шину записи 6

подается положительный сигнап, в результате чего через коллекторный переход биполярного транзистора 2 заряжаются емкости затвор-подложка МДП-транзистора и oh открывается (записана лог. 1). Затем, подачей тока в базу биполярного транзистора 2 по шине записи 6 при нулевом потенциале на выбранных разрядных шинах 4 осуществляется нейтрализация заряда на затворе МДП-транзистора (записан Лог.О ). Считывание оперативной,информации осуществляется подачей сигнала на шину считывания 5 через развязывающий диод 3 и открытый МДП-транзистор.

. Запоминание постоянной информации осуществляется путем облучения элемента, в котором сохраняется оперативная информация, в распределенном поле ионизирующего излучения. В процессе облучения оперативная ийформация фиксируется. После окончания, облучения и отключения питаЙия .информация сохраняется в виде встроенных каналов в МДП-транзисторах ячеек, в которых была записана Лог.1.

Стирание постоянной информации производится путем повторного облучения без подачи питания. После того как постоянная информация стерта, может быть записана новая информация.

Экономический эффект изобретения состоит в повышении надежности программирования и технологичности запоминающей ячейки.

5Формула изобретения

Долговременный запоминающий элемент, содержащий биполярный транзистор, коллектор которого соединен с

o затвором МДП-транзистора, а эмиттер с разрядной шиной, и числовые шины записи и считывания, отличающийся тем, что, с целью упрощения эл.емента,- в него введен диод,

5 анод которого подключен к числовой шине считывания, а катод - к истоку ВДП-транзистора, сток которого соединен с эмиттером биполярного траизистора, база которого подключена к числовой шине записи.

Источники информации, принять е во внимание при экспертизе

1.Заявка Японии 44-44586, кл. 97/7/С 13, 1973.

2.Заявка Великобритании 1310471, кл. С 4 С, 1973.

3.Заявка Великобритании №1390034, кл. Н 3 Т, 1975.

4.Заявка Франции 2252627, кл. G 11 С 11/40, 1975.

.

В