Способ изготовления запоминающих матриц на цилиндрических магнитных пленках Советский патент 1980 года по МПК G11C11/14 

(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЗАПОМИНАЮШИХ,

МАТРИЦ НА ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ПЛЕНКАХ соседних струн с формуемым проводникогл что приводит к необходимости увеличения угла прокладок провода, а это приводит к увеличению длины проводника в зеве, что вызывает дополнительную деформацию сформованных полуволн при подбивке сформованного провода к адресным обмоткам, увеличение толщины сплетенно го полотна и нарушение шага между стру нами..- При этом происходит также сжатие струнами полуволн этого провода и изменение их формы, что влияет на амплитуду магнитного поля внутри волувитка, а следовательно, и на величину выходноiго сигнала, уровень помех и степень влия ния адресных обмоток друг на друга. Цель изобретения - повышение технологичности изготовления запоминающих матриц. Поставленная цель достигается того, что в известном способе располагают технологические струны с превышение по высоте друг относительно друга, ориен тируют проводник адресной обмотки по линииего формобания относительно техно -логических струн и фиксируют fero в заданном положении закрывают зев поочередно каждой разведенной при образовании зева технологической струной и формуют каждый полувиток адресной обмотки, перемещают технологические струны в сторону свободного конца формуемого провода до полного закрывания зева, сохраняя при этом постоянные углы наклона технологических струн.. Сущность предложенного изобретения поясняется чертежами, где на фиг. 1а изображено устройство для изготовления запоминающих матриц на ЦМП в соответствии с предложенным способом; на фиг. 1б - разрез А-А фктг, 1а (расположение четных и нечетных технологических струн с превыщением друг относител йо друга по высоте); на фиг. 2а - разрее Б-Б фиг. (расположение черных и нечетных технологических струн в сечении зева, перпендикулярном плоскости нейтрального положения); на фиг. 26 - т же при смене положения четных и нечет;ных струн в зеве; на фиг. За, б, в, г, д последовательное закрывание зева и фор- мованиё проводника. Устройство для изготовления матриц (фиг. 1а) содержит технологические с тру ны 1, 2, 3, 4, 5, 6, натянутые на раму станка 7 в качестве основы, ремизки 8 и 9,для разведения струн 1-6 при образ

714495 вании зева 1О между ними, ограничитель зева 11, челнок 12 для прокладывания проводника адресной обмотки 13 в зеве 10, ориентатор-фиксатор 14 для фиксации проводника 13 по линии формования, батан 15, адресные обмотки 16. Изготовление заполняющих матриц осуществляют следующим образом. Для образования зева 1О между струнами 1-6 перемещают ремизки 8 и 9. Перемещением ремизок 8, например, вверх разводят нечетные струны I, 3,. 5, а перемещением ремизок 9 вниз разводят четные струны 2, 4, 6. В конце перемещения ремизок 8 и 9 нечетные струны 1, 3, 5 и четные 2, 4, 6 располагают с превышением друг относительно - друга по высоте, начиная от первой струны к пятой и от второй к шестой. Разведенные струны 1, 3, 5 и 2, 4, б образуют по щирине зеза Ю различные углы наклона (фиг, 1б), а в. сечении зева 10, перпендикулярном плоскости нейтрального положения струн, образуют наклонные под острыми углами сС к этой плоскости ряды (фиг. 2а, б). Линии продолжения этих рядов сходятся в одной точке на нейтральной плоскости по линии формования проводника адресной обмотки (фиг. 3). Линию формования располагают на заданном расстоянии от ограничителя зева 11 и фиксируют ее относительно струн 1-6 в этом положении, например, гребенкой 14. Прокладывают проводник 13 в зев Ю свободным концом его со стороны крайних струн с меньшим углом раскрытия зева между ними, ориентируют проводник 13 вдоль ориентира фиксатора 14 и фиксируют в этом положении на заданном расстоянии от ограничителя зева 11, после чего закрывают зев, перемещая ре- мизки 8- вниз, а ремизки 9 вверх. При этом производят последовательное сближение струн 1-6 с проводником 13 до полного закрывания зева 1О поочередно каждой струной и одновременное формование из проводника 13 каждого полувитка адресной обмотки в отдельности, начи- на я со струн с меньшим углом между ними (в начальном положении) в порядке следования струн: 6, 5, 4, 3, 2, 1, (фиг. За, б, в, г, д). При этом сохраняют постоянными углы ct наклона рядов струн в плоскости, перпендикулярной плоскости нейтрального положения струн, перемешают их в сторону с зободного Конца формуемого провода 571 до полного закрывания зева (фиг, 3л, б, , в, г, д). После формирования проводника ориентатор фиксатор 14 выводят из плоскости проводшка а полувиток обмотки сдвигают батаном 15 при закрытом зеве к пакеру обмоток 18, Затем прижимы ограничители зева 11 разводят,- перемещают стру- . ны 1--6 и отделяют адресные обмотки 16 от зоны плетения. Затем прижимы ограничителя збва li сводят, производят очередное раскрытие зева 10, меняя направления разведения четных 2, 4, 6 и нечетных 1, 3, 5 струн и направления наклонов их рядов (фиг. 26 в плоскости, перпендикулярной плоскости нейтрального положения струн, проводник 13 прокладывают челноком 12 в .противо положном направлении, я асе дальнейшие операции формирования полувитка адрес ной обмотки из проводника 13 пов торяйтся до попуч ения адресной обмотки te. Яспользорание, предложенного способа изготовления аапоманающйх матриц на ЦМП обеспечивает по сравненик) с существукидими способами следующие пре- имущества: ..-повышение геометрической точности и идентичности размеров адресных обмоток, шага между разрядными обмотками ; и повышение однородности электрических и магнитных параметров адресных обмОток;-стабилизаиию натяженияпроводников адресных обмоток при плетении, снижение ;количества обрывов и нарушения изоляции проводаиков, -возможность автоматизации трудоемкого процесса плетения адресных обмо-« 956 1ток малогабаритных запоминающих матриц на иМП. , Формула изобретения Способ изготовления запоминающих матриц-на цилинщжческих магнитных пленках, основанный на натяжении технологических струн, образовании зева между ними, прокладывании в зев проводника адрес- 1ЮЙ обмотки, перемещении сформованного провод1шка к адресймк обмоткам, перемещекии технологических струн, отделении адресных обмоток от зоны плетения, заливке компаундом и извлечении технологическнх струн, о Т Л и ч а ю щи и с я тем, что, с целью повьпцения технологичности. изготовления запоминающих матриц, располагают технологические струны с превьппением по высоте друг относительно друга, ориентируют проводник адресной обмотки по ЛИНИЙ его формования относительно технологических струн и фиксируют его в заданном положении, аакрывают зев поочередно каждой разведенной при образовании аеЬа технологической струной и формуют каждый полувиток адресной обмотки, перейешают технологицеские струны в сторону свободного конца формуемого провода до полного зокрывания зева, сохраняя при этом псютоянные углы наклона технологических струн, Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1. Авторское свидетельство СССР № 282428, кл. д 11 С 11/14, 1971, 2. Авторскоесвидетельство СССР № 474842, кл. G 11 С 5/О2, 1975 (прототип). 5

4-5

V

L

/2

,t

«./

а

Jг

---l

H

«

/J

I

«г.2 «Л //1, /« IT 2 /I ли /А 65 714495 12

TTT-SSfifeC

. (-т

6 5

О