Способ изготовления запоминающих матриц на цилиндрических магнитных пленках Советский патент 1986 года по МПК G11C11/14 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на цилиндрический магнитны пленках (ЩШ) .

Цель изобретения - повышение надежности изготовления запоминйющих матриц на ЦМП..

На фиг. 1 показана технологическая схема изготовления запоминающих матриц; на фиг. 2 - вид А на фиг. I, момент поднятия технологических стру на одинаковую высоту и прокладки про .водника в зеве; на фиг. 3.- то же, момент образования обратного зева и формовки проводника.

Изготовление запоминающих матриц на ЦМП осуществляют следующим образом.

Технологические струны 1 натягивают в качестве основы на ткацком станке. Затем путем поднятия ремизок 2 разводят технологические струны 1, образуя зев 3. Линия 4 расположения мест поднятия технологических струн располагается под углом к технолЪги- ческим струнам за счет того, что ре- для каждой последующей технологической струны располагают со сме- зо путем их разведения, прокладывании в

щением вдоль технологических струн на заданный шаг. Поднятие ремизок 2 осуществляют на одинаковую высоту. Путем пропускания челнока 5 с проводом 6 в зев 3 располагают проводник числовой обмотки УОПО линии, параллельной линии 4 расположения мест . поднятия технологических струн 1. В , зев помещают ограничительную прокладку 8. Путем перемещения ремизок 2 разводят технологические струны 1 в противоположное от их нейтрального положения состояние. При этом технологические струны переводят в обратный зев 9. Технологические струны опираются на ограничительн-ую прокладку 8, оставляя проводник в свободном состоянии. При извлечении ограничительной прокладки 8 в сторону сво- бодного конца провода 6 технологические струны сходят с кромки прокладки 8 и, надавливая на провод 6, осуществляют его формовку. Аналогично осуществляется формовка последующих витков матриц.

Таким образом,, разведение технологических струн с Возрастающим на постоянный шаг расстоянием от опушки сплетенного полотна до места поднятия каждой последующей технологической струны в направлении свободного конца проложенного в зеве проводника при одинаковой высоте поднятия каждой технологической струны и одинаковом расстоянии от мест укладки на технологические струны проложенного в зеве

проводника до мест поднятия соответствующих технологических струн приводит к тому, что условия формования витков провода оказываются одинаковыми, это позволяет осуществлять равномернзпо формовку проложенного в зев

проводника по всей его длине,это обеспечивает стабильные геометрические размеры матриц, постоянный шаг технологических струн, исключает отклонение технологических струн от их нейтрального .положения и локальные напряжения в матрице. .

25

Формула изобретения

Способ изготовления запоминающих матриц на цилиндрических, магнитных пленках, основанный на натяжении технологических струн, образовании зева

0

образовавшийся зев проводника числовой обмотки вместе с ограничительной прокладкой под углом к технологическим струнам, последовательном форми- c ровании витков числовых обмоток струнами путем образования обратного зева и извлечения ограничительной прокладки, перемещении сформованных витков к числовым обмоткам, заливке компаундом и извлечении технологических струн, отличающийся тем, что, с целью повьшения надежности изготовления запоминающих матриц, разведение технологических струн осуществляют с возрастающим на постоянный шаг расстоянием от опушки сплетенного полотна до места поднятия каждой последующей технологической струш,1 в направлении свободного конца, проложенного в зеве проводника, и при одинаковой высоте поднятия каждой технологической струны и одинаковом расстоянии от мест укладки на технологические струны проложенного в зеве проводника До мест под- НЯТИ.Д соответствующих технологических струн.

5

0

5

8

cL

2 Г

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть исполь-. зовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных пленках (ЦМП). Целью изобретения является повышение надежности изго- тойления запоминающих матриц на ЦМП. В соответствии с предложенным способом при изготовлении запоминающих матриц на ЦМП натягивают технологические струны в качестве основы на ткацком станке. Затем путем поднятия ремизок разводят технологические струны, образуя зев, Линия расположения мест поднятия технологических струн располагается под углом к технологическим струнам за счет того, что ремизки для каждой последующей технологической струны располагают со смещением вдоль технологических струн на заданньй шаг. Поднятие ремизок осуществляют на одинаковую высоту. Путем пропускания челнока с проводом в зев располагают проводник числовой обмотки по линии, параллельной линии расположения мест поднятия технологических струн. В зев помещают ограничительную прокладку. Путем перемещения ремизок разводят техно- . логические струны в противоположное от их нейтрального положения состояние. При этом технологические струны .переводят в обратный зев.Технологические струны опираются на ограничительную прокладку, оставляя проводник в свободном состоянии.При извлечении ограничительной прокладки в сторону свободного конца провода технологические струш 1 сходят с кромки прокладки и, надавливая на провод, осуществляют его формовку. Аналогично осуществляется формовка последующих витков матриц. 3 ил.(О (Л ю 4 й к

7

Редактор И. Касарда

Составитель Ю, Розенталь

Техред И.Попович Корректор Е. Сирохмай

Заказ 3924/55Тираж 543Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР

по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

фиг.З

2 2