Способ изготовления матриц для запоминающих устройств на цилиндрических магнитных пленках Советский патент 1983 года по МПК G11C5/02 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных пленках (ЦМП).

Известен способ изготовления матриц для запоминакяцик устройств на ЦМП, основанный на натяжении технологических струн, образовании зева путем их разделения, прокладывании в зев проводников числовых обмоток и формировании из них числовых обмоток путем закрытия зева, отделении сформированных обмоток от зоны плетения, заливке готовых обмоток компаундом и извлечении технологических струн I.

Недостатком способа является то, что формование проложенных в зев проводников числовых обмоток происходит всеми струнами одновременно, что приводит к возникновению значительных деформаций и уточнений формируемого проводника, его обрывам, нарушениям изоляции и стягиванию технологических струн по шагу.

Наиболее близким по технической с;,паности к предлагаемому является способ изготовления матриц для запоминающих устройств на ЦМП, основанный на натяжении технологических струн, образовании зева путем их разведения, прокладывании в образовавшийся зев проводника числовой обмотки под углом к технологическим струнам, последовательном формовании витков числовых обмоток струнами путем образования обратного звена, перемещении сформованных витков из зоны плетения, заливке компаундом и извлечении технологических струн. I

Согласно известному способу натягивают в качестве основы технологические струны, при помощи ремизок раздвигают струны для образования зева и прокладывают в него с помощью челнока проводники числовой обмотки под углом к технологическим струнам, после чего прюизводят последовательное формование проводника с втягиванием егй. свободного конца из более широкой части зева, переводя технологические струны в обратный зев для более полной формовки проводника 2

Недостаток известного способа неравномерная формовка технологическими струнами проложенного в зев проводника. Это вызвано тем, что технологические струны при формовании проводника образуют все увеличивающийся обратный зев в направлении свободного конца проводника,что приводит к образонию неодинаковых по размеру петель формируемого проводника - минимальных в начале формовки и увеличивающихся к- концу формовки. Неодинаковые по размеру петли, образующиеся в процессе формовки проложенного ь зев проводника, вызывают дополнительную деформацию сформированных петель при подбивке сформованного проводника к опушке сплетенного полотна, увеличение толщины сплетенного полотна и нарушение шага между струнами. При этом происходит также сжатие струнами петель этого проводника, что влияет на амплитуду магнитного поля внутри полувитка и, следовательно, на величину выходного сигнала, уровень помех и степень влияния числовых обмоток одна на другую; в результате чего снижается надежность матриц для запоминающего устройства.

Цель изобретения - повышение на дежности изготовления матриц для запоминающих устройств на ЦМП путем повышения геометрической точности и идентичности размеров числовых обмоток и стабилизации шага между разрядными обмотками.

Поставленная цель достигается тем что согласно способу изготовления матриц для запоминающих устройств на ЦМП при последовательном формовании витков числовых обмоток перемещают сформованные петли числовой обмотки JK опушке сплетенного полотна при каждом шаге их формования, а несформованную часть проложенного в зев проводника числовой обмотки перемещают при этом паралелльно его первоначальному положению на величину перемещения сформованных петель числовой обмотки при каждом шаге их перемещения ..

Сущность предлагаемого способа заключается в том, что на специаль ном устройстве натягивают в качестве основы технологические струны, разводят их для образования зева, прокладывают в образовавшийся зев проводник числовой обмотки под углом к технологическим струнам, последовательно переводят струны в обратный зев, после; перевода каждой технологической струны в обратный зев перемещают сформованную этой- струной петлю обмотки к опушке сплетенного полотна, а несформованную часть проводника в зеве перемещают при этом параллельно его первоначальному положению на в€гличину перемещения сформированных петель при каждом шаге их перемещения и повторяют эти операции до полной формовки проложенного в зев проводника.

На фиг. 1 приведено расположение проводника в зеве после его формовки на первом шаге (второй технологической струной); на фиг, 2 - разрез А-А на фиг. 1; на фиг. 3 - расположение проводника в зеве после его формовки на втором шаге (четвертой технологической струной); на фиг. 4 - разрез Б-Б на фиг. 3; на фиг. 5 - располож ние проводника в зеве после его фор мовки на последнем шаге (двенадцато технологической струной); на фиг.6 разрез В-В на фиг. 5. На фиг. 1-6 обозначены технологи ческие струны 1-12, проводник 13 чи ловой обмотки, гребенка 14. Изготовление матриц для запомина гадих устройств на цмп по предлагаемому способу осуществляют следующим образом. Смещают технологические струны 2 4, 6, 8, 10-и 12 с помощью ремизок (не показаны) вверх для образования зева и прокладывают в образовавшийся зев под углом оС к технологическим струнам проводник 13 числовой о мотки. Для образования первой петли формуемого проводника 13 переводят технологическую струну 2 в обратный зев (фиг. 1 и 2). При этом величина образующейся петли h минимальная, так, как обратный зев в месте ее фор мовки также минимальный. Сформованную первую петлю числовой обмотки перемещают с помощью гребенки 14 к опушке сплетенного полотна. Одновременно с перемещением первой сформованной петли перемещают в зеве несформованную часть проводника 13 числовой обмотки параллельно .своему первоначальному положению на величину, определяемую величиной перемещения сформованной первой петли проводника. Перемещение сформованной петли проложенного в зев проводника к опушке сплетенного полотна и одновременное перемещение несформованной части проводника параллельно своему первоначальному положению осу ществляют с помощью гребенки 14 специальной формы, которую при каждом шаге перемещения смещают по струнам в направлении свободного конца проложенного в зев проводника. Затем производят формовку следующей петли проложенного в зев проводника 13 переводом технологической струны 4 в обратный зев. Петля h про водника, сформованная технологической струной 4 на втором шаге формовки (Фиг. 3 и 4), равна петле проводника, сформованной технологической струной 2 на первом шаге формовки, так как условия Формования петли технологической струной 4 аналогичны условиям формования петли технологической струной 2 (перед -формовкой петли на втором шаге формируемый проводник 13 перемещается параллельно своему первоначальному положению в зону формовки, где технологическая струна 4 Образует обратный зев, равный по величине обратному зеву, образованному технологической струной 2 на первом шаге формовки). После формовки проводника технологической струной 4 перемещают сформованную петлю к опушке сплетенного полотна, а несформованную часть проводника 13 перемещают параллельно его предыдущему положению еще на один шаг. Перемещение сформованных петель к опушке сплетенного полотна и несформованной части параллельно своему предыдущему положению производят после перевода каждой четной технологической струны Б обратный зев. Положение проводника 13 в зеве, сформованного последней технологической струной 12, показано на фиг. 5 и 6. Условием параллельного перемещения несформованной части проложенного в зев проводника является сохранение угла между проложенным в зеве проводником и опушкой сплетенного полотна пocтoянны 1. Таким образом, перемещение каждой сформованной петли к опушке сплетенного полотна и перемещение несформованной части проложенного в зев проводника при каждом шаге перемещения параллельно своему первоначальному положению на величину перемещения сформованных петель при каждом шаге их перемещения повышает геометрическую точность и идентичность размеров числовых обмоток, стабилизирует шаг между разрядными обмотками, что, в свою очередь, повышает однородность электрических и магнитных параметров числовых обмоток, и надежность матриц для запоминающих устройств на ЦМП.

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАТРИЦ ДЛЯ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ НА ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ПЛЕНКАХ, основанный на натяжении технологических струн, образований зева путем их разделения, прокладывании в образовавшийся зев проводника число.вой обмотки под углом к технологическим струнам, последовательном формовании витков числовых обмоток струнами путем образования обратного зева, перемещениисформированнкхзитков из зоны плетения, заливке компаундом и извлечении технологических струн, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности изготовления матриц для запоминающих устройств на цилиндрических магнитных пленках путем повышения геометрической точности и идентичности размеров числових обмоток и стабилизации 1ьага между разрялныьл обмоткам-, при последовательном форьювании витков числовых обмоток перемещают сформованные петли числовой обмотки к опушке сплетенного полотна при канодом шаге их формования, а несформованную часть проложенного в зев проводника числовой обмотки перемещают при этом параллельно его первоначальному положению на величину перемещения сформованных петель числовой обмотки при каждом шаге их перемещения,

10 12

,8

,/Vj/

/4

Фиг.З