НЕЙРИСТОР Советский патент 2018 года по МПК H04N5/30

Похожие патенты SU749352A1

название	год	авторы	номер документа
БИБЛИОТЕКА IНЕЙРИСТОР	1970		SU285114A1
НЕЙРИСТОР	1978	Гурин Н.Т.	SU747389A1
НЕЙРИСТОР	1977	Гурин Н.Т.	SU694005A1
НЕЙРИСТОР	1977	Гурин Н.Т. Ямлеев М.А.	SU738487A1
НЕЙРИСТОР	1977	Гурин Н.Т.	SU694006A1
Устройство для преобразования изображения в электрический сигнал	1970	Золотарев Валентин Федорович Шамшев Борис Борисович	SU476706A1
НЕЙРИСТОР	1973	Гурин Н.Т. Золотарев В.Ф.	SU563100A1
ПЛОСКИЙ ТЕЛЕВИЗИОННЫЙ ЭКРАН (НЕЙРОСКОП)	1971		SU310419A1
ЭЛЕМЕНТ ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМОЙ ЭЛЕКТРИЧЕСКИ ПЕРЕПРОГРАММИРУЕМОЙ ПАМЯТИ	2016	Мордвинцев Виктор Матвеевич Кудрявцев Сергей Евгеньевич	RU2637175C2
ЯЧЕЙКА МАТРИЦЫ ПАМЯТИ	2004	Мордвинцев В.М. Кудрявцев С.Е. Левин В.Л.	RU2263373C1

Формула изобретения SU 749 352 A1

1. Нейристор, содержащий два проводящих электрода, между которыми расположены слой диэлектрика и полупроводниковый слой с S-образной характеристикой, отличающийся тем, что, с целью обеспечения обработки оптической информации, полупроводниковый слой с S-образной характеристикой выполнен светоизлучающим и разделен на дискретные области, промежутки между которыми заполнены светопроницаемой средой.

2. Нейристор по п.1, отличающийся тем, что, по крайней мере, один из проводящих электродов выполнен из светопроницаемого материала.

3. Нейристор по п.1, отличающийся тем, что слой диэлектрика выполнен из того же материала, что и светопроницаемая среда.

4. Нейристор по п.1, отличающийся тем, что слой диэлектрика выполнен из материала, обладающего фоточувствительностью.

SU 749 352 A1

Авторы

Гурин Н.Т.

Даты

2018-07-31—Публикация

1978-03-20—Подача