Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано пр построении электрически программируемых запоминающих устройств (ПЗУ).
Целью изобретения, является повы- шение надежности устройства.
На чертеже приведена схема предлагаемого устройства.
Устройство содержит матричный накопитель 1, состоящий из словарньпс шин (СШ) и разрядных шин (РШ), в местах пересечений которых расположены запоминающие ячейки, состоящие из п-р-п транзисторов плавких перемычек дешифратор 2 слов, состоящий из эле- ментов И, построенных на диодных сборках 3 и 4 и резисторах 5, и формирователей импульсов выборки строки построенных на тиристорах 6, адресные формирователи 7, дешифратор 8 разрядов, селектор 9, выходные усилители 10, формирователь 11 напряжения контроля, состоящий из п-р-п транзисторов 12, трех диодов 13-15 р-п-р транзисторов 16 и двух резисторов 17 и 18, вход 19 и вьшод 20 контроля, формирователь 21 запрета выборки.
Устройство работает следующим образом.
Для измерения токов утечки матриц на ПЗУ подают напряжение питания ре- жима программирования, при этом все разрядные шины отключаются от остальной части ПЗУ и ток не должен протекать ни через какую-либо плав- кую перемычку накопителя 1. При подаче на входы адресных формирователей 7 адресного кода, соответствую - .щего словарной шине, которая соединена с выходом 20 контроля, на выбран- ной словарной шине установится уровень напряжения V, На невыбранных словарных шинах присутствует низкий потенциал, так как хотя бы один диод из диодных сборок 4 подключен своим катодом к одному из выходов адресных формирователей, находящемуся в состоянии логического
О
При подаче на вход 19 контроля от внешнего формирователя напряжения разрешающего уровня напряжения включается транзистор 12 и на входе формирователя выборки словарной шины устанавливается низкий потенциал, оп- ределяемый цепью смещения из диодов 13-15 и р-п-р транзистора 16. При подаче на контролируемую контактную площадку от внешнего Формирователя
напряжения уровня напряжения V, равного напряжению на выбранной словарной шине, в режиме программирования все переходы база - эмиттер транзисторов, подключенных к невыбранным словарным шинам, находятся под обратным смещением, а тиристор 6 дешифратора слов 2 оказывается выключенным, так как потенциал на его базе, определяемый формирователем 11 напряжения контроля ниже потенциала на катоде тиристора 6, определяемого уровнем напряжения внешнего формирователя напряжения. В результате, если есть утечка одного из переходов база - эмиттер транзисторов накопителя 1, то он легко может быть измерен подключением измерительного прибора между выходом 20 контроля и внешним формирователем напряжения V. Диоды 13-15, р-п-р транзистор 16 определяют уровень напряжения, вырабатываемый формирователем 11 напряжения контроля. Этот уровень должен быть, с одной стороны, достаточно низким, чтобы напряжение между базой и катодом тиристора 6 бьшо меньше граничного напряжения включения база - змит- терного перехода тиристора 6, ас другой стороны, достаточно высоким, чтобы предотвратить пробой в цепи: внешний формирователь напряжения, подключенный к выходу 20 контроля, - словарная шина - обратно смещенный переход база - эмиттер тиристора 6 - формирователь 11 опорного напряжения. С этой целью и включена в коллектор транзистора 12 цепь смещения,состоящая из диодов 13-15 и р-п-р транзистора 16.
Формула изобретения
Постоянное запоминающее устройство, содержащее матричный накопитель, дешифратор слов, который состоит из элементов И и формирователей выборки, входы которых соединены с выходами соответствующих элементов И, а выходы соединены со словарными шинами матричного накопителя, дешифратор разрядов, селектор, адресные формирователи, входы которых являются адресными входами устройства, а выходы соединены с соответствующими входами соответствующих элементов И дешифратора слов и с входами дешифратора разрядов, выходы которого
соединены с управляющими входами селектора, информационные входы которого соединены с разрядными шинами матричного накопителя, усилители считывания, входы которых соединены с выходами селектора, а выходы являются информационными выходами устройства, формирователь запрета выборки, вход которого является управляющим входом устройства, а выход соединен
Редактор И.Шулла
Составитель С.Королев
Техред В.Кадар Корректор М.Дгмчик
Заказ 1460/51 Тираж 590Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета СССР
по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
.Производственно-полиграфическое предприятие, г.Ужгород, ул. Проектная, 4
с управляющими входами усилителей считывания, отличающееся тем, что, с целью повьшения надежности устройства, в него введен формирователь напряжения контроля, вход которого является входом контроля устройства, а выход соединен с входом одного из формирователей выборки, выход которого является выходом контроля устройства.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Программируемое постоянное запоминающее устройство | 1988 |
|
SU1635218A1 |
Полупроводниковое запоминающее устройство с произвольной выборкой | 1984 |
|
SU1215135A1 |
Постоянное запоминающее устройство | 1978 |
|
SU752482A1 |
Постоянное запоминающее устройство | 1986 |
|
SU1388950A1 |
Запоминающее устройство с произвольной выборкой | 1977 |
|
SU769626A1 |
Постоянное запоминающее устройство | 1979 |
|
SU841047A1 |
Формирователь уровня считывания | 1984 |
|
SU1244718A1 |
Дешифратор | 1986 |
|
SU1399817A1 |
Оперативное запоминающее устройство | 1979 |
|
SU903972A1 |
Запоминающее устройство | 1977 |
|
SU769627A1 |
Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении постоянного запоминающего устройства (ПЗУ). Целью изобретения является повьшение надежности ПЗУ. Для этого в устройство введен формирователь напряжения контроля с соответствующими связями. Введение формирователя позволяет производить измерение токов утечки тран-- зисторов накопителя. При превышении токов утечки допустимого уровня негодные ПЗУ отбраковываются. 1 ил. оо о СП vl СП
Валиев К.А., Орликовский А.А | |||
Полупроводниковые интегральные схемы памяти на биполярных транзисторных структурах | |||
- М.: Советское радио, 1979, с | |||
Трансляция, предназначенная для телефонирования быстропеременными токами | 1921 |
|
SU249A1 |
, Bipolar Memory PROM Series | |||
AMD inc, 1980 p | |||
Кипятильник для воды | 1921 |
|
SU5A1 |
Авторы
Даты
1987-04-23—Публикация
1985-08-20—Подача