Стекло для защиты кремниевыхплАСТиН Советский патент 1981 года по МПК C03C3/10 

(54) СТЕКЛО ДЛЯ ЗАЩИТЫ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН

Изобрете1ше относится к составам стекол для производства защитного покрытия полупроводник свых устройств.. , Известно стекло 11, используемое в качеств покрытия полупроводниковых устрсйств, включающее РЬО, , ZnO, SiOa, M -fl-t, в еледующих количествах, мол.%: РЬО 50-66; 4,5-22; ZnO 6-15,5; SiO 3-21; AljO 6-15 Наиболее близким по техническсж сущности и достигаемому результату к предлагаемому изобретению является стекло (2, используемое в качестве покрытия по кремнию, следующего состава, вес.%: РЬО 65-90; ZnO 0-15; 5-30; SiOj 0-20; 5. Известное , стекло имеет ТКЛР в пределах (42 -55) и используется для псясрымя кремния при температурах ниже 600° С. К недостаткам известных стекол относятся ысокие значения коэффициента линейного ермического расширения (КЛТР) и малый емпературный интервал использования защитого покрытия. Цель изобретения - снижение КЛТР стекла. Предлагаемая цель достигается тем, что текло, включающее SiO , , Al-jOj, ЬО, ZnO, содержит указанные компоненты в следующем соотношении, масс.%: ЗЮз30-42 ВгОз2-10 АЦ.ОЗ4-15 РЬО35 - 45 ZnO8-15 Конкретные составы (Стекол приведены в табл.1. Таблица 1 Эти составы варятся при температ)фе 1500° С в печах любой конструкрш в условиях окислительной среды. В табл 2 приведены свойства стекол. Т.а блица 2

Предлагаемый состав стекла для защитного : покрытия поверхности кремниевых пол)шроводников имеет низкие значения КЛТР и может испсшьзоваться в широком температурном интервале (до 850С) Использование полупенных

Фо рмула изобретения

Стекло ДЛЯ1 защиты кремниевых пластин, включающее SiO,j, ВдО, , PbO, ZnO, отличающееся тем, что, с целью снижения коэффициента линейного термического расширения, оно содержит указанные компоненты в следующем соотношении, масс.%: SiOj30-42

ВгОз2 - 10

А ОЗ4-15

РЬО35 - 45

ZnO8-15

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1. Патент США № 3551355, кл. 252-514, 1970.

2. Патент Франции N 2329602, кл. С 03 С 3/12, 1978. стекол для пассивации выводов р-п переходов кремииевых полупроводников позволяет заменить дорогостоящий корпус из цветного металла на более дешевый.