Терморезистивный материал Советский патент 1981 года по МПК H01C7/04 

Описание патента на изобретение SU801118A1

1

Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано для изготовления датчиков температуры, саморегулирующихся термостатов и бесконтактных реле на основе оксидных соединений ванадия.

Известны терморезистивные материалы на основе диоксида ванадия (VO) с добавлением Ge; Fe; Со; Ni; Mn; Ti; W; Та; Cr или их оксидов, электросопротивление которых резко уменьшается в области 60 - 750с 1 .

Однако в области температурного интервала 75 - 118°С отсутствует резкое уменьшение величины их электросопротивления .

Наиболее.близкий к предлагаемому по технической сущности терморезистивный материал на основе оксидных соединений ванадия (оксидные ванадиевые бронзы), имеющие фазовый переход полупроводник - металл, сопровождающийся резким уменьшением величины электросопротивления в интервале 400бОО С 2.

Недостатком этих материалов является то, что при. температуре выше 75 и ниже не наблюдается резкого уменьшения величины их электросопротивления. Поэтому они не могут быть

использованы дпя изготовления терморезисторов с резким уменьшением электросопротивления в указанной области температур.

Цель изобретения - уменьшение величины электросопротивления в интервале 76 - И8°С.

Поставленная цель достигается тем, что в терморезистивном материале на

0 основе оксидных соединений ванадия, в качестве их использованы оксидные ванадиевые соединения типа ,j-xO , где О, 05 -х 0,25.

Синтез указанных оксидных ванадиевых соединений проводят по обьпной керамической технологии, путем обжига смесей оксида ванадия ( w ) и ортованадата железа, взятых согласно реакции

0

xFeVO i-(l-x) в вакуумированных ампулах при

в течение -50 ч, а затем при 700°С в течение ч.

- В результате такого взаимодействия происходит замещение ионов V на Fe и V6+ по схеме V + Fe и образование оксидногр ванадиевого соединения , температура фазового перехода полупроводник - ме0талл и резкое уменьшение электросопротивления которого находится в области 76 - .

Пример. Для получения оксид кого ванадиевого соединения состава Feo,o5 Vj,95 0 .берут 3,15 г Vg 0 и 0,17 г FeVO. Компоненты тщательно реремешивают в агатовой ступке и помещают в кварцевую ампулу, из которой отк-ачивают воздух до остаточного давления 2 «10 мм рт.ст. Ампулу заваривают и обжигают при в течение 50 ч, а затем при 700С в течение 100 ч. После охлаждения до комнатной температуры извлекают продукт заданного состава 4

Пример2. Из мелкокристаллического порошка оксидного ванадиевого соединения состава i,95 полученного согласно примеру 1, прессуют под давлением - 10000 кг/см таблетку диаметром б и высотой 3 мм. После этого образец помещают-в вакуум и с помощью цифрового омметра измеряют его электросопротивление в зависимости от температуры.

Измерения показали, что в процессе нагревания образца при л. происходит резкое уменьшение электросопротивления. При охлаждении имеет место гис терезис электросопротивления величиной 20 - .

П р и м е р 3, Аналогично примеру 2 для оксидного ванадиевого соединения состава P&o,iQ V 9о Здесь наблюдается большое электросопротивление образца при , выше которой проис-: ходит скачкообразное уменьшение злек аросопротивления.

П р и м е р 4. Аналогично примеру 2 для оксидного ванадиевого соединения состава ,0o °-4

уменьшение электросопротивления наблюдается при л,97°С.

П р и м е р 5. Аналогично примеру 2 для оксидного ванадиевого соединения состава Fee,2o V,0u °4

Уменьшение электросопротивления наблюдается при .

П р и м е р б. Аналогично примеру 2 для оксидного ванадиевого соединения СОстава SQ o,15 1,75 4

Уменьшение электросопротивления наблюдается при .

Средняя температура резкого уменьшения электросопротивления предлагаемого терморезистивного материала пропорционально увеличивается с ростом значения х в формуле соединения .x 0 .

Таким образом, использование терморезистивных материалов на основе оксидных ванадиевых соединений типа . 0,05 X 0,25 позволяет изготовлять терморезисторы, обладающие резким уменьшением величины электросопротивления в интервале 76118 0.

г5

Формула изобретения

Терморезистивный материал на основе оксидных соединений ванадия, отличающийся тем, что, с целью уменьшения величины- электросопротивления в интервале температур 76 - , в качестве оксидных соединений ванадия использованы оксидные ванадиевые соединения типа Fe.V2.xO, где 0,05 X 0,25.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1.Патент ФРГ № 1515950, кл. Н 01 С 7/04, 1972.

2.Авторское свидетельство СССР № 491163, кл. Н 01 С 7/04, .1973 (прототип).

Похожие патенты SU801118A1

название год авторы номер документа
Кристаллогидраты изополиванадатов молибдатов или вольфраматов щелочных металлов в качестве терморезистивных материалов или катализаторов окисления триметилфенолов и способ их получения 1983
  • Волков Виктор Львович
  • Захарова Галина Степановна
  • Ивакин Анатолий Александрович
  • Коленко Иван Петрович
  • Коренский Валентин Ильич
  • Скобелева Валентина Дмитриевна
  • Харчук Валентина Георгиевна
SU1098911A1
КАТАЛИЗАТОР И СПОСОБ КОНВЕРСИИ АММИАКА 2008
  • Исупова Любовь Александровна
  • Сутормина Елена Федоровна
  • Марчук Андрей Анатольевич
  • Куликовская Нина Александровна
RU2368417C1
Токопроводящий материал 1979
  • Базуев Геннадий Васильевич
  • Макарова Ольга Васильевна
  • Швейкин Геннадий Петрович
SU813542A1
МАГНИТНЫЙ ВАНАДИЕВЫЙ ДИСУЛЬФИД ХРОМА-МЕДИ С ГИГАНТСКИМ МАГНИТОСОПРОТИВЛЕНИЕМ 2006
  • Абрамова Галина Михайловна
  • Петраковский Герман Антонович
  • Киселев Николай Иванович
  • Альмухаметов Рафаил Фазыльянович
RU2324656C2
Оксидные ванадиевые бронзы редкоземельных элементов в качестве электродноактивного материала и способ их получения 1983
  • Волков Виктор Львович
  • Зубков Владимир Георгиевич
  • Федюков Александр Сергеевич
  • Зайнулин Юрий Галиулович
  • Манакова Лидия Ивановна
SU1110751A1
Гольмий-марганцевый сульфид с гигантским магнитосопротивлением 2016
  • Романова Оксана Борисовна
  • Аплеснин Сергей Степанович
  • Ситников Максим Николаевич
RU2629058C1
Способ получения @ -фазы оксидных ванадиевых бронз 1986
  • Барабошкин Алексей Николаевич
  • Бутримов Виктор Викторович
  • Калиев Кабир Ахметович
  • Бабенко Евгений Викторович
  • Фотиев Альберт Аркадьевич
  • Гасаналиев Абдулла Магомедович
SU1366554A1
Термочувствительный материал для резисторов 1973
  • Капусткин Владимир Константинович
  • Волков Виктор Львович
  • Фотиев Альберт Аркадьевич
SU491163A1
Твердый электролит 1990
  • Леонидова Ольга Николаевна
  • Леонидов Илья Аркадьевич
  • Фотиев Альберт Аркадьевич
SU1772847A1
ЭКСТРУДИРОВАННЫЙ КАТАЛИЗАТОР С СОТОВОЙ СТРУКТУРОЙ 2012
  • Чэндлер Гай Ричард
  • Коллинз Нил Роберт
  • Дотцель Ральф
  • Мюнх Йорг Вернер
  • Филлипс Пол Ричард
  • Смедлер Гудмунд
  • Уолкер Эндрю Питер
RU2777329C2

Реферат патента 1981 года Терморезистивный материал

Формула изобретения SU 801 118 A1

SU 801 118 A1

Авторы

Волков Виктор Львович

Новак Петр Яковлевич

Фотиев Альберт Аркадьевич

Переляев Валентин Аркадьевич

Даты

1981-01-30Публикация

1979-01-16Подача