Термочувствительный материал для резисторов Советский патент 1975 года по МПК H01C7/04 

Описание патента на изобретение SU491163A1

Изобретение относится к области электротехники и электроники, в частности к изготовлению полупроводниковых термистороз на основе кислородных соединений ванадия.

Известные термочувствительные резистивные материалы (нач:ример, VO2 и УО,,) имеют Моттовский переход (полупроводник- металл) или скачок значения сопротивления в области температур ниже 70° С. В связи с этим они не могут быть использованы при изготовлении полупроводниковых резисторов, имеюпхих переход полупроводник-металл при температурах выше 70° С.

Цель изобретения - получить Моттовский переход в области температур 400- 600° Сие повышенным гистерезисом.

Поставленная цель достигается тем, что в качестве материала полупроводниковых термисторов используются кислородные ванадиевые бронзы типа Мех VeOis и Мех V OsoПроведенный цикл физико-химических исследований установил, что в области температур 400-600° С за счет миграции ионов кислорода происходят незначительные структурные изменения в бронзах данного типа. Это приводит к перекрыванию 3d орбиталей ионов ванадия и появлению металлического характера проводимости.

Пример 1. Из мелкокристаллического порошка кислородной ванадиевой бронзы

натрия NaVeOio прессуют под давле1П1ем - 10000 кг/см таблетку диаметром 6 мм и длиной 10 -мм. Таблетку спекают в вакуумнрованной ампуле при температуре 650° С в

течение - 25 час. После этого образец помешают в вакуум 10 мм рт. ст. и потенциометрическим методом на постоянном токе измеряют его электропроводность в зависимости от температуры.

На графике (фиг. 1), где по осп ординар отложен логарифм электросопротивления (в ом см), а по оси абсцисс - единица, деленная на абсолютную температуру (в Т°, ), кривая / получена при нагревании образца и 2 при его охлаждении. Эти данные показывают, что в области температур 400- 600° С резко возрастает электропроводность и полупроводниковый характер проводимости переходит в металлический (наблюдается так

называемый Моттовский переход). При охлал дении имеет место значительный гистерезис электропроводности.

Пример 2. То же, что и в примере 1. Только при измерении электросопротиплепня

в атмосфере воздуха. Переход полупроводник-металл наблюдается в области температур 400-500° С (фиг. 2).

Пример 3. Из мелкокристаллического

порошка кислородной ванадпевой бронзы

етронция SrVi2O3o прессуют под давлением

Похожие патенты SU491163A1

название год авторы номер документа
СПОСОБ ПРОИЗВОДСТВА НАНОЭЛЕКТРОННЫХ И НАНОМЕХАНИЧЕСКИХ ПРИБОРОВ 2007
  • Петров Владимир Семенович
  • Логинов Борис Альбертович
  • Логинов Павел Борисович
RU2389681C2
Терморезистивный материал 1979
  • Волков Виктор Львович
  • Новак Петр Яковлевич
  • Фотиев Альберт Аркадьевич
  • Переляев Валентин Аркадьевич
SU801118A1
Способ жидкофазного синтеза нанокерамических материалов в системе LaO-SrO-Ni(Co,Fe)O для создания катодных электродов твердооксидного топливного элемента 2022
  • Калинина Марина Владимировна
  • Дюскина Дарья Андреевна
  • Полякова Ирина Григорьевна
  • Арсентьев Максим Юрьевич
  • Шилова Ольга Алексеевна
RU2784880C1
Твердый электролит на основе сложных оксидов висмута в системе CaO-BiO-FeO и способ их получения 2016
  • Горовец Анастасия Алексеевна
  • Беспрозванных Надежда Владимировна
  • Петров Сергей Алексеевич
  • Синельщикова Ольга Юрьевна
RU2619907C1
Способ изготовления твердофазного внутреннего полуэлемента для ионоселективного стеклянного электрода 1981
  • Бубырева Нина Сергеевна
  • Дамешек Геннадий Александрович
  • Елисеев Владислав Борисович
  • Зайденман Иосиф Арнольдович
  • Передерий Игорь Михайлович
  • Погребная Валентина Егоровна
  • Розенблюм Наталья Дмитриевна
SU1038869A1
Электрод для определения активности ионов цезия в растворах 1981
  • Волков Виктор Львович
  • Манакова Лидия Ивановна
  • Курбатов Дмитрий Иванович
SU1002936A1
Электрод для определения активности ионов рубидия в растворах 1981
  • Волков Виктор Львович
  • Манакова Лидия Ивановна
  • Курбатов Дмитрий Иванович
SU1029065A1
Способ жидкофазного синтеза нанокерамических материалов в системе LaO-MnO-NiO для создания катодных электродов твердооксидного топливного элемента 2020
  • Калинина Марина Владимировна
  • Арсентьев Максим Юрьевич
  • Федоренко Надежда Юрьевна
  • Шилова Ольга Алексеевна
RU2743341C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МАНГАНИТА ЛАНТАНА, ЛЕГИРОВАННОГО КАЛЬЦИЕМ 2012
  • Солин Николай Иванович
  • Наумов Сергей Владимирович
  • Костромитина Наталья Владимировна
RU2505485C1
ДИОД СИЛОВОЙ НИЗКОЧАСТОТНЫЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ НЕПЛАНАРНЫЙ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ 2009
  • Гунгер Юрий Робертович
  • Кузнецов Евгений Викторович
  • Абрамов Павел Иванович
  • Селиванов Олег Юшевич
RU2411611C1

Иллюстрации к изобретению SU 491 163 A1

Реферат патента 1975 года Термочувствительный материал для резисторов

Формула изобретения SU 491 163 A1

SU 491 163 A1

Авторы

Капусткин Владимир Константинович

Волков Виктор Львович

Фотиев Альберт Аркадьевич

Даты

1975-11-05Публикация

1973-10-09Подача