Изобретение относится к области электротехники и электроники, в частности к изготовлению полупроводниковых термистороз на основе кислородных соединений ванадия.
Известные термочувствительные резистивные материалы (нач:ример, VO2 и УО,,) имеют Моттовский переход (полупроводник- металл) или скачок значения сопротивления в области температур ниже 70° С. В связи с этим они не могут быть использованы при изготовлении полупроводниковых резисторов, имеюпхих переход полупроводник-металл при температурах выше 70° С.
Цель изобретения - получить Моттовский переход в области температур 400- 600° Сие повышенным гистерезисом.
Поставленная цель достигается тем, что в качестве материала полупроводниковых термисторов используются кислородные ванадиевые бронзы типа Мех VeOis и Мех V OsoПроведенный цикл физико-химических исследований установил, что в области температур 400-600° С за счет миграции ионов кислорода происходят незначительные структурные изменения в бронзах данного типа. Это приводит к перекрыванию 3d орбиталей ионов ванадия и появлению металлического характера проводимости.
Пример 1. Из мелкокристаллического порошка кислородной ванадиевой бронзы
натрия NaVeOio прессуют под давле1П1ем - 10000 кг/см таблетку диаметром 6 мм и длиной 10 -мм. Таблетку спекают в вакуумнрованной ампуле при температуре 650° С в
течение - 25 час. После этого образец помешают в вакуум 10 мм рт. ст. и потенциометрическим методом на постоянном токе измеряют его электропроводность в зависимости от температуры.
На графике (фиг. 1), где по осп ординар отложен логарифм электросопротивления (в ом см), а по оси абсцисс - единица, деленная на абсолютную температуру (в Т°, ), кривая / получена при нагревании образца и 2 при его охлаждении. Эти данные показывают, что в области температур 400- 600° С резко возрастает электропроводность и полупроводниковый характер проводимости переходит в металлический (наблюдается так
называемый Моттовский переход). При охлал дении имеет место значительный гистерезис электропроводности.
Пример 2. То же, что и в примере 1. Только при измерении электросопротиплепня
в атмосфере воздуха. Переход полупроводник-металл наблюдается в области температур 400-500° С (фиг. 2).
Пример 3. Из мелкокристаллического
порошка кислородной ванадпевой бронзы
етронция SrVi2O3o прессуют под давлением
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
СПОСОБ ПРОИЗВОДСТВА НАНОЭЛЕКТРОННЫХ И НАНОМЕХАНИЧЕСКИХ ПРИБОРОВ | 2007 |
|
RU2389681C2 |
Терморезистивный материал | 1979 |
|
SU801118A1 |
Способ жидкофазного синтеза нанокерамических материалов в системе LaO-SrO-Ni(Co,Fe)O для создания катодных электродов твердооксидного топливного элемента | 2022 |
|
RU2784880C1 |
Твердый электролит на основе сложных оксидов висмута в системе CaO-BiO-FeO и способ их получения | 2016 |
|
RU2619907C1 |
Способ изготовления твердофазного внутреннего полуэлемента для ионоселективного стеклянного электрода | 1981 |
|
SU1038869A1 |
Электрод для определения активности ионов цезия в растворах | 1981 |
|
SU1002936A1 |
Электрод для определения активности ионов рубидия в растворах | 1981 |
|
SU1029065A1 |
Способ жидкофазного синтеза нанокерамических материалов в системе LaO-MnO-NiO для создания катодных электродов твердооксидного топливного элемента | 2020 |
|
RU2743341C1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МАНГАНИТА ЛАНТАНА, ЛЕГИРОВАННОГО КАЛЬЦИЕМ | 2012 |
|
RU2505485C1 |
ДИОД СИЛОВОЙ НИЗКОЧАСТОТНЫЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ НЕПЛАНАРНЫЙ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ | 2009 |
|
RU2411611C1 |
Авторы
Даты
1975-11-05—Публикация
1973-10-09—Подача