Сегнетоэлектрический керамическийМАТЕРиАл Советский патент 1981 года по МПК C04B35/497 

(54) СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ

Изобретение относится к сегнетоэлектрическим материалам, используемым в радиотехнике и радиоэлектропике, в частности, для изготовления конденсаторов. Известны сегнетоэлектрики на основе сложных танталатов свинца с величиной диэлектрической проницаемости 60 и точкой Кюри - 50° С 1, известны такие сегнетоэлектрики как РЬгСоТаОе с величиной диэлектрической проницаемости 100 и точкой Кюри при 200° С 2.

Общим недостатком сегнетоэлектрических материалов является малое значение диэлектрической проницаемости и низкие значения точек Кюри. Указанные недостатки пе позволяют использовать отмеченные составы в практических целях.

Техническим решением, наиболее близким к данному является сегнетоэлектрик РЬ2СгТаОб, синтезированный при высоком давлении |3.

Однако указанный сегнетоэлектрический материал имеет верхнюю точку Кюри - 50° С и низкое значение диэлектрической проницаемости - 80.

Целью изобретения является увеличение диэлектрической проницаемости.

Указанная цель достигается тем, что известный сегнетоэлектрический керамический материал на основе PbjCrTaOe дополнительно содержит LisO, причем состав материала,соответствуетформуле

РЬгСп-л-ТаЫхО,, где J 0,03-0,05.

Для получения материала было приготовлено несколько смесей, содержащих

каждая, %: а) РЬО 57, СгаОз 9; ТагОз 27; LiaCOs 7; b) PbO 59, СгаОз 7, TaaOg 30; ЫйСОз 4, с) РЬО 59, СггОз 9; TaoOj 30, LisCOs 2.

Каждую смесь тщательно перемещивали, подвергали обжигу по обычной керамической технологии, затем производили обжнг в условиях высокого давления от 30 до 40 кБ/} ,и температуре 700-1000° С. После снятия давлеиия на образцы наносили

электропроводящую пасту и идентифицировали их на наличие сегнетоэлектрических свойств. В результате выполненных исследсванпй установлено, что во всех трех случаях образуется сегнетоэлектрический материал.

ЗНачения диэлектрической проницаемости для состава с X 0,04 приведены в таблице, а частотная и температурная зависимости, диэлектрической проницаемости

соответственно на фиг. 1 и 2.

Формула изобретения

Сегнетоэлектрический керамический материал на осноВе РЬ2СгТаОе, о т л и ч а юЖ7,

/J0

ш; и и с я тем, что, с целью увеличения диэлектрической проницаемости, он доиолнительно содержит LigO, причем состав материала соответствуетформуле:

РЬ2Сг.,-л- TaLi.Oe, где X 0,03-0,05.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

iQO

so

80 70 6020 W 60 SO ifJO /20 /W IKO .г/