Полупроводниковая интегральная схема Советский патент 1985 года по МПК H01L27/04 

Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и может быть использовано при создании полупроводниковых интегральных схем. Известна полупроводниковая структура, выполненная на основе полупроводниковой подложк-и р-типа проводимости в приповерхностном слое которой находятся области м - типа про водимости первого слоя, с расположен ными на ней эпитаксиальным слоем h-типа проводимости, в котором выпол нены на всю его глубину области ртипа проводимости второго слоя, в приповерхностном слое которого расположены области обоих типов проводи мости tlj. На основе такой структуры создана интегральная схема, содержащая .n-p-h транзисторы и 1-резисторы и изолирую щие области, наличие последних приводит к значительному увеличению Площади, занимаемой транзисторами на кристалле. . Известна полуп оводниковая интегральная схема, содержащая полупроводниковую подложку первого типа проводимости, в которой образованы участки противоположного типа проводимости, расположенные на границе эпитакЬиальным слоем того же, что и подложка, типа проводимости и совмещенные с локальными областями того же типа проводимости, глубина которых равна толщине эпитаксиального слоя, образуя при этом области, по крайней мере, в одной из- которых соз даны приповерхностные области противоположного типа проводимости 2. Известная структура интегральной схемы содержит резисторы из материала р-типа проводимости, для которых необходима изолирующая областьмтипа проводимости, занимающая дополнительную площадь на подложке, кроме ТОГО, на такой структуре невозможно одновременно .создать транзисто ры р-П-р и (-р-п-типа, . Целью изобретения является увеличение степени интеграции с расширекием функциональных возможностей. Поставленная цель достигается тем что в известной- полупроводниковой интегральной схеме, содержащей полупроводниковую подложку первого типа проводимости, в которой образованы участки противоположного типа .проводимости, расположенные на границе с эпитаксиальным слоем, того же, что и подложка, типа проводимости и совмещенные с локальными областями.того же типа проводимости, глубина которых равна толщине эпитаксиального слоя, образуя при этом области, по крайней мере в одной из которых созданы приповерхностные области противоположного типа проводимости, в эпитаксиальном слое созданы дополнительные области противоположного типа проводимости на глубину, равную толщине эпитаксиального слоя, по крайней мере в .одной из которых, образованы-приповерхностные области первого типа проводимости, концентрация примесей в которых не менее чем в пять раз превьшает концентрацию примесей в дополнительных областях. На чертеже представлена полупроводниковая интегральная схема. Схема включает полупроводниковую подложку 1 первого типа проводимости, участки 2 противоположного типа проводимости, расположенные на границе с эпитаксиальным слоем 3, локальные области 4 того же типа проводимости. глубина KOTOpbix равна толщине эпитак- сиального слоя первого типа проводимости, приповерхностные области 5 противоположного типа проводимости, дополнительные области 6, образованные в-эпитаксиальном слое 3, того же ти-} па проводимости, приповерхностные области 7 первого типа проводимости. Как видно из чертежа, интегральная схема содержит как р-п-р, так и п-р-птранзисторы, а также резисторы на основе полупроводникового материала 1- и р-типа. Наличие резисторов на основе материала Л- и р-типа позволя ет увеличить степень интеграции, так как такие резисторы являются самоизолированными. Для нормального функционирования эмиттера р-Й-р транзистора данной структуры необходимо, чтобы концентрация примесей в приповерхностных областях 7 по крайней мере в пять раз превышала концентрацию примесей в дополнительных областях 6. Реализация в предлагаемой схеме р-М-р транзисторов совместно с п-р-о транзисторами, позволяет расширить функциональные возможности схемы, т.е. увеличить количество разнообразJных устройств, реапизуамых на ве данной интегральной схемы, личить степень ее интеграции, 8205464 осно- схем полупроводниковой инте.гральи уве- ной памяти улучшить также быстродейа для ствие и потребляемую мощность.

ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА, содержащая полупроводни- ровую подложку первого типа про_во- димости, в которой образованы участки противоположного типа проводимости, расположенные на границе с эпитаксиальным;слоем того же,что и подложка, типа проводимости и совмещенные с ^локальными областями того жетипа проводимости, глубина которых равна толщине эпитаксиального слоя,, образуя при этом области, по крайней мере в одной из которых созданы при— • поверхностные области противоположного типа проводимости, о т л и ч а» ю щ а я с я тем, что, с целью увеличения степени интеграции с расширением функциональных возможностей, в эпитаксиальном слое созданы дополнительные области противоположного типа проводимости на глубину, рав- •ную толщине эпитаксиального слоя, по крайней мере в одной из которых образованы приповерхностные области первого типа проводимости, концентрация примесей в которых не менее чем ' в пять раз превышает концентрацию .примесей в дополнительных областях.W\ю о ел4:^СГ>&'