1
Изобретение относится к исследованиям химических и физических свойств веществ, в частности к способам приготовления образцов для электронно-микроскопических исследований.
Известен способ подготовки образца для исследования, который заключается в травлении (вскрытии) полированных поверхностей разными травителями с последующим получением угольной реплики 1.
Недостатком этого способа является то, что при каждом травлении возникает необходимость в подборе соответствующего травителя для данного объекта. При взаимодействии травителя с исследуемым веществом происходит реакция с образованием новых минеральных фаз, которые невозможно удалить с поверхности исследуемого объекта. Размер исследуемого участка должен быть не менее 1 мм.
Известен также способ подготовки образца для исследования, включающий скол исследуемых частиц с полированной поверхности твердого тела и сбор этих частиц 2.
Недостатком известного способа является малая эффективность и точность анализа, так как в процессе выка.лывания частичек для препарирования нарушается целостность образца, которая очень важна при изучении геологических, минералогических и других объектов.
Цель изобретения - повышение эффективности и точности анализа за счет использования локального участ0ка поверхности.
Указанная цель достигается тем, что перед ско.пом локальный участок поверхности обрабатывают эмульсией а скол проводят ультразвуком под углом 43-45.
5
Способ осуществляется следующим образом.
Выбранный локальный участок поверхности твердого тела обрабатывают
0 эмульсией, например этиловым спиртом, затем проводят скол исследуемых частиц ультразвуком под углом 43-45. Частицы собирают на стеклянный экран и исследуют.
5 Пример, Исследуемый образец горной породы - пирит с золотом размером см, отполированный с одной стороны помещают.на столик светового микроскопа МИН-9 и при увеличении в 150 раз выбирают исследуемый участок. Устанавливают стеклянны экран размером 3 3 см, перпендикулярно оптической оси светового микроскопа МИН-9, на расстоянии 1,5 см от выбранного участка. Для скапыэания используют ультразвуковой диспергатор УЗДН-1 и универсальный излучатель на 22 кгГц, мощность которого 20 Вт.
I На рабочую часть излучателя, перпендикулярно его оси, напаивают твердосплавный стержень из победита длиной 30 мм и диаметром 2 мм со скалывающей кромкой в 10-15 мкм. На выбранный участок наносят каплю этилового спирта и подводят к нему твердосплавный стержень под углом 45, выбор которого обусловлен тем, что при этом угле происходит наибольший выход сколотых частиц и их оседание на стеклянном экране.
Производят с,калывание в течение 2 с. Сколотые частички тол1циной 1001000 К при помощи аэрозоля собираются на стеклянный экран. Затем снимают стеклянный экран и напыляют его в вакуумной камере углем.
Отделяют частицы от стеклянного экрана с помощью желатина, отмывают их в теплой воде, вылавливают на поддерживанадую сеточку и просматривают в электронном микроскопе.
Таким образом, предлагаемый спо1соб позволяет производить прямое исследование фазового состава твердых полированных объектов, не нарушая их целостности, с высокой точностью за счет использования локальных участков объектов.
Формула изобретения
Способ подготовки образца для исследования, включающий скол исследуемых частиц с полированной поверхности твердого тела и сбор этих частиц, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности и точности анализа за счет использования локального участка поверхности, перед сколом локальный участок поверхности обрабатывают эмульсией, а скол проводят ультразвуком под углом 4.3-45°.
Источники информации, принятые во внимание при экспертизе
1.Грицаенко Г,С. и др. Методы электронной микроскопии минералов. М., 1969, с. 97.
2.Грицаенко Г.С. и др. Методы электронной микроскопии минералов. М., 1969, с. 125-127.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Способ подготовки образца для исследования | 1980 |
|
SU947687A2 |
Способ подготовки образца для исследования | 1982 |
|
SU1084651A1 |
Способ исследования материалов | 1976 |
|
SU815793A1 |
Способ маркирования участка поверхности полупроводникового кристалла,соответствующего объемному микродефекту | 1977 |
|
SU728183A1 |
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПЛОТНОСТИ ДИСЛОКАЦИЙ В МОНОКРИСТАЛЛАХ ГЕРМАНИЯ МЕТОДОМ ПРОФИЛОМЕТРИИ | 2015 |
|
RU2600511C1 |
СПОСОБ ПРОВЕДЕНИЯ МЕТАЛЛОГРАФИЧЕСКИХ ИССЛЕДОВАНИЙ | 2004 |
|
RU2273014C1 |
СПОСОБ КОНТРОЛЯ КАЧЕСТВА ТВЕРДОСПЛАВНЫХ ЗУБКОВ ДЛЯ БУРОВЫХ ДОЛОТ | 2006 |
|
RU2315984C1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СВЕТОПОГЛОЩАЮЩЕЙ КРЕМНИЕВОЙ СТРУКТУРЫ | 2015 |
|
RU2600076C1 |
СПОСОБ ПРОЯВЛЕНИЯ ДЕФЕКТОВ НА ИССЛЕДУЕМОЙ ПОВЕРХНОСТИ ИЗДЕЛИЙ | 2006 |
|
RU2301990C1 |
СПОСОБ КАЛИБРОВКИ ПЬЕЗОСКАНЕРА АТОМНО-СИЛОВОГО МИКРОСКОПА | 2000 |
|
RU2179704C2 |
Авторы
Даты
1981-05-23—Публикация
1979-04-09—Подача