Изобретение относится к радиоiэлектронике и может быть использовано при изготовлении тонкопленочных резисторов.
;, известен резистивный материал для изготовления тонкопленочных резисторов, состоящий из хрома и смеси окислов. На основе этого материа ла путем термического испарения в вакууме, можно получать резистивные пленки с малыми значениями температурного коэффициента сопротивления (ТКС) И.
Недостатком указанного материала является узкий диапазон получаемых удельных сопротивлений с малыми значениями ТКС. Так, при удельных сопротивлениях менее 100 Ом/о возрастает величина абсолютных значений ТКС, а при удельных сопротивле.ниях выше 1 кОм/D возникает трудность получения малых значений ТКС в связи с сильной зависимостью R и ТКС от режимов испарения резистивного материала и температуры отжига резистивных пленок.
Наиболее близким к предлагаемому является резистивный материал для изготовления тонкопленочных резисторов, содержащий хром, железо, никель, алюминий и смесь ,окислов с соотношением ингредиентов , вес. %:
40-80
Хром 0,1-20 Железо 0,1-20 Никель 0,1-5,0 Алюминий Остальное L2J Смесь окислов
Однако этот материал характеризу0ется низкой термостойкостью. В связи с тем, что для получения малых значений ТКС резистивных пленок с удельным сопротивлением f менее 200 Ом/а иногда необходимо проводить
5 их отжиг при высоких температурах (свыше 450С) , при этом ввиду низкой термостойкости резистивного материала при таком высокотемпературном .отжиге на поверхности резистивной
о пленки образуется большое количество дефектных пятен, которые приводят к резкому ухудшению стабильности резисторов. Низкая термостойкость указанного резистивного материала не
5 дает возможности его использование ;для получения резистивных пленок с удельным сопротивлением свыше 200 Ом/п , так как малые значения ТКС таких пленок могут быть получены
0 только при отжиге их при температуре
свыие 450°С, .т.е. в области температур, где всегда наблюдается образова«ние дефектных пятен, приводящих к ухудшению стабильности резисторов.
Цель -изобретения - повьшхение термостойкости.
Для достижения указанной цели визвестном резистивном материале для изготовления тонкопленочнык резисторов, содержащем хром, железо, алюминий, двуокись кремния и .алунд, исходные компоненты взяты в следующем соотношении, вес.%:
Хром10-80
Железо3-20
. 8-25 8-50
кремния Остальное
Для получения резистивного материала подготовлены три смеси с различным содержанием исходных компонентов, которые после термического испарения в вакууме и последующего отжига полученных пленок при температурах от 400 до 600 С дают ВОЗМОЖНОСТЬ получать тонкопленочные резисторы с характеристиками, приведенными в таблице .
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
МАТЕРИАЛ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ | 1993 |
|
RU2036521C1 |
РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ | 2008 |
|
RU2369934C1 |
РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ | 1983 |
|
SU1119515A1 |
МАТЕРИАЛ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ | 2008 |
|
RU2369933C1 |
МАТЕРИАЛ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ | 2007 |
|
RU2338283C1 |
МАТЕРИАЛ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ | 2007 |
|
RU2340971C1 |
МАТЕРИАЛ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ | 2007 |
|
RU2340024C1 |
МАТЕРИАЛ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ И СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ РЕЗИСТИВНОЙ ПЛЕНКИ НА ЕГО БАЗЕ | 2006 |
|
RU2323497C1 |
Резистивный материал для высокоомных тонкопленочных резисторов | 1980 |
|
SU924765A1 |
Способ изготовления пленочных цилиндрических резисторов | 1980 |
|
SU1109814A1 |
Получен пленок из резистивного материала проводится в установке вакуумного .напыления при вакууме 10 Тор. В камеру напыления вертикально помещаются два вольфрамовых испарителя , один из которых с нанесенным HSI него резистивны м . материалом, а другой чистый, без резистивного материала. Вокруг испа рителей размещс1ются основания резис торов, нанизанные на металлические спицы, которые вращаются вокруг сво оси и одновременно вокруг испарителей, чтобы досгичь равномерного процесса формирования плег.ки на всей поверхности каяодого основания резистора и одинаковых условий осаж дения пленок для оснований резисторов, находящихся на разных спицах. Реэистивные пленки, получаемые после термического испарения-в ваку уме Предлагаемого резистивного материала, обладают высокой термостой костью, что позволяет проводить их от5киг для получения малых значений ТКС при высоких температурах -(до ) без образования дефектных пя тен на поверхности. Повышенная термостойкость предлагаемого резистивного материал обеспечивает получен тонкопленочных резисторов с малым значением ТКС в широком диапазоне удельных сопротивлений от -30 до 10 кОм/D . Формула изобретения Резистивный материал для изготовления тонкопленочных резисторов, содержгвдий хром, железо, алюминий, двуокисБ кремния и алунд, о т л и ч а ю щ и и с. я.тем, что, с -целью повышения термостойкости, он содержит исходные компоненты в следующем соотношении, вес.%: Железо Алюминий 8-50 Двуокись кремния Остальное Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1.Авторское свидетельство СССР №352319, кл. Н 01 С 7/00-, 1969. 2.Авторское свидетельство СССР № 520628, кл. Н 01 С 7/00, 1976 (прототип) .
Авторы
Даты
1981-05-30—Публикация
1979-06-07—Подача