I
Изобретение относится к резисторостроению, в частности может быть использовано для изготовления высокоомных тонкопленочных резисторов.
Известен резистивный материал для изготовления высокоомных тонкостенных резисторов, состоящий из смеси порошков металлов и диэлектрика, включающего окислы кремния и алюминия СП.
Недостатком известного резистивного.материала является трудность получения высокоомных резистивных пленок с малым значением температурных коэффициентов сопротивления (ТКС), связанная с тем, что в каждой партии полученных после напыления заготовок резисторов наблюдается большой разброс по величине ТКС, вследствие чего доля высокомных резисторов с малым ТКС очень незначительна .
Наиболее близким к предлагаемому является резистивный материал для изготовления тонкопленочных резисто
ров, включающий хром, железо, алюми,ний и смесь окислов кремния и алюминия 2.
Недостатком этого резистивного материала является то, что он не позволяет получать резистивные пленки с удельным поверхностным сопротивлением более 10 кОм/д с малым (близким к нулю) значением ТКС, что необходимо для прецизионных высокоомных ре10зисторов.
Изменяя температуру отжига резистивных пленок, полученных после напыления в вакууме известного резистивного материала на керамические ос15нования резисторов можно в определенных пределах управлять величиной ТКС. При этом, чем выше температура отжига, тем более положительные значения ТКС полумаются.Однако для резистивных
30 пленок с поверхностным сопротивлением выше 10 кОм/аТКС лучше чем -50 х получить не удается, так как значительное повышение температуры отжига с целью смещения ТКС к нулевому значению уже не дает результата, потому что происходит резкое, неуправляемое изменение величины сопро.тивления резистивных пленок (, Цель изобретения - расширение диапазона удельных поверхностных сопротивлений резисторов в высокоомную сто рону с одновременным уменьшением ТКС. Указанная цель достигается тем, что резистивный материал для изготовления высокоомных тонкопленочных резисторов, включающий хром, железо, алюминий, смесь окислов кремния и алюминия дополнительно содержит окись
кадмия при следующем количественном соотношении компонентов, вес.%:
12-40 1-10
10-20 2-15
Остальное
Вводимая в предлагаемый резистивный материал окись кадмия смещает
ла производится напылением его в ваг кууме на керамические основания, после чего полученные резистивные пленки отжигаются на воздухе.
Ниже приведены конкретные примеры приготовления резистивных материалов предлагаемого состава с различнык со; держанием исходных компонентов, а также характеристики резистивных материалов (таблица). ТКС получаемых резисторов в положительную область и за счет этого обеспечивается получение ТКС, близких к нулю и с положительным знаком для высокоомных резисторов с удельным поверхностным сопротивлением от 1 до 30 кОм/о (после отжига напыленных пленок в диапазоне температур +50 600°С). Предлагаемый резистивный материал представляет собой смесь порошков исходных компонентов с размером частиц до 60 мкм. Изготовление резистоp g - использованием этого материа
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
МАТЕРИАЛ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ | 1993 |
|
RU2036521C1 |
Резистивный материал | 1979 |
|
SU834778A1 |
МАТЕРИАЛ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ И СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ РЕЗИСТИВНОЙ ПЛЕНКИ НА ЕГО БАЗЕ | 2006 |
|
RU2323497C1 |
МАТЕРИАЛ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ | 2007 |
|
RU2338283C1 |
РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ | 2008 |
|
RU2369934C1 |
Способ изготовления пленочных цилиндрических резисторов | 1980 |
|
SU1109814A1 |
МАТЕРИАЛ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ | 2008 |
|
RU2369933C1 |
МАТЕРИАЛ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ | 2007 |
|
RU2340971C1 |
РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ | 1983 |
|
SU1119515A1 |
ЗАЩИТНЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ | 1983 |
|
SU1186013A1 |
Как видно из таблицы,резистивный материал может быть использован при изготовлении высокоомных тонкопленочных резисторов с малым уровнем ТКС. Простота получения резистивного материала и его напыления на керамическом основании дают возможность его исполь-50 зования без дополнительных затрат в любом серийном производстве тонкопленочных резисторов, где используются методы вакуумно-термического напыления.55
Таким образом, предлагаемый резис.тивный материал для высокоомных тонкопленочных резисторов обладает технико-экономической эффективностью, так как дает возможность выпускать высокоомные прецизионные резисторы с малым ТКС. Предлагаемый резистивный материал находится на стадии внедрения в производство.
Формула изобретения
Резистивный материал для высокоомных тонкопленочных резисторов, включающий хром, железо, алюминий, смесь окислов кремния и алюминия, о т л и592«7чающийся тем, что, с целью расширения диапазона удельных поверхностных сопротивлений резисторов в высокоомную сторону и уменьшения ТКС, он дополнительно содержит окись кад- j мия при следующем количественном соотношении компонентов, весД: Железо Алюминий 5 Окись кадмия 2-15 Смесь окислов кремния и алю миния Остальное Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1. Авторское свидетельство СССР )Г 520628, кл. Н 01 С 7/00, 1975. . 2. Авторское свидетельство СССР по заявке № 2778023/21, кл. Н 01 С 7/00, (прототип).
Авторы
Даты
1982-04-30—Публикация
1980-10-23—Подача