Запоминающая матрица Советский патент 1981 года по МПК G11C11/22 

(54) ЗАПОМИНАЮЩАЯ МАТРИЦА

Изобретение относится к запоминающим устройствам. Известна запомингиощая матрица,содержащая плату возбуждения, запоминающую плату и демпфирующие платы, на которые нанесены системы шин, и которые объединены в монолитную конструкцию путем теплового вплавления Недостатком такой конструкции явл ется низкая амплитуда выходных сигна лов обусловленная тем, что каждый запоминаклдий злемент механически зажат по периметру, так как конструкци матриць является монолитной. Кроме того, эта матрица имеет высокий уровень помех на выходе. Наиболее близким техническим решением к изобретению является запоминеи||цая матрица, содержащая группы сегнетопьезозлектримескик пластин, соединенных по экранирующим электро дам и имеющих разрядные и общие эле троды С 2,. Недостатком этой запоминающей ма рицы является низкая амплитуда выходных сигнсшов, снижающая помехоус тойчивость матрицы и определяемая жесткостью закрепления запоминающих ячеек памяти в матрице. Кроме того. эта запоминающая матрица обладает невысокой технологичностью, обусловленной тем, что одноименные разрядные электроды необходимо объединять в разрядные шины. Цель изобретения - повышение помехоустойчивости и технологичности матрицы., Поставленная цель достигается тем, ,jTO в запоминающей матрице, содержащей группы сегнетопьезоэлектрических пластин, соединенных экранирующими злектродами, разрядные электроды,причем на сегнетопьезозлектрические пластины второй группы параллельно экранирующим электродам, расположенным на одной стороне сегнетопьезоэлектрических пластин, нанесены общие электроды, расположенные на другой стороне сегнетопьезоэлектрических пластин, разрядные электроды расположены на одной из сторон сегнетопьезоэлектрических пластин первой группы перпендикулярно экранирующим электродам. На фиг. 1 изображена конструкция запоминающей матрицы; на Фиг. 2 и .3 - варианты конструкции запоминающей матрицы (когда одна из групп пластин .заменена одной пластиной). УстройстВО содержит запоминающую матрицу (см.фиг.1), состоящую из первой 1 и второй 2 группы сегнетопьезоэлектрических пластин, соединенных экранирующими электродами 3. На пластины первой группы 1 нанесены разрядные электроды 4, пластины второй группы

2- общие электроды 5. Разрядные электроды 4 расположены на одной из сторон пластин 1 перпендикулярно экранирукнцим электродам 3. Такая ко струкция позволяет акустически развязать как входные, так и выходные цепи.

Если необходимо развязать только входные или только выходные цепи, то предпочтительными являются варианты конструкции, запоминающей матрицы, изображенные соответственно на фиг. 2 и 3.

Матрица работает следующим образом.

Магнитопьезоэлектрические пласти ны 2 между общим 5 и экранирующими

3электродами жестко заполяризованы при изготовлении матрицы. Запись информации осуществляется в сенетопьезокерамических пластинах приложением напряжений поляризации требуемой амплитуды, полярности и длительности между разрядными 4 и экранирующими 4 электродами.

Направление и величина поляризации этих участков определяет записанную информацию.

При считывании информации все экранирующие электроды 3 подключают к шине нулевого потенциала (не показана) . Напряжение считыванцд можн

подавать либо на разрядные электроды 4, тогда считанную информацию снимают с общих электродов 5, либо на общий электрод 5, тогда считанну информацию снимают с разрядных электродов 4.

Описанные выше конструкции сегнетопьезоэлектрических запоминающих матриц позволяют объединить положительные особенности монолитных матриц и матриц из числовых линеек,которым присущи высокие выходные сигналы и развязка от акустических помех. У монолитных матриц каждый запоминающий элемент со всех сторон зажат, отсюда выходные сигналы невысокие и, кроме того, есть пути распространения акустических волн, а значит и помех. Однако матрицы из 5 числовых линеек имеют невысокую технологичность, так как необходимо единичные разрядные электроды объединять в разрядные шины. От этого не достатка свободны монолитные матри10 ды, поскольку разрядные электроды сразу объединены в разрядные шины. Сохранив полосовые электроды и разделив монолитные пластины на rto- лосы,т.е. образовав группу пластин

15 представляется возможность сохранить технологичность монолитных конструкций (разрезы можно выполнять травлением) , а также получить более мощные выходные сигналы и акустические,раз20-вязать входные или выходные цепи.

Формула изобретения

Запоминающая матрица, содержащая группы сегнетопьезоэлектрических пластин, соединенных экранирующими электродами, разрядные электроды,причем на сегнетопьезоэлектрические пластины второй группы параллельно

0экранирующим электродам, расположенным на одной стороне сегнетопьезоэлектрических пластин, нанесены общие электроды, расположенные на другой стороне сегнетопьезоэлектрических

5 пластин, о,уличающаяся тем, что, с целью повышения помехоустойчивости и технологичности матрицы, в ней разрядные электроды расположены на одной из сторон сегнетопье0 зоэлектрических пластин первой группы перпендикулярно экранирующим электродам.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

/ ysSmS

х ч ; чЧ чччу;у

X

J/ L

J wi.J