Сегнетоэлектрический накопитель информации Советский патент 1983 года по МПК G11C11/22 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах вычислительных машин. Известна сегнетоэлектрическая матрица, содержащая пластину из: сегнетоэлектрика, расположенные на пластине экранирующие, разрядные и перпендикулярные им числовые элек троды и воз Суждения fl 1 Известна также ферроэлектрическа матрица памяти, в которой используе пластина из ферроэлектрика с нанесе ными на ее противоположные стороны двумя парами электродов записи-считывания 2. Недостатками этих матриц являетс акустическая связь между соседними элементами, сложные конструкция .и технология изготовления. Наиболее близкой по технической сущности к изобретению является сегнетопьезокерамическая матрица запсминаюших элементов с не разрушаю щим чтением, содержащая активную пьезопластииу, взаимно перпендикуля .ные числовые и разрядные шины, расп ложенные, с двух сторон активной пьезопластины CsJ. Недостатком известной матрицы яв ляется низкая надежность из-за акус тических помех, обусловленных монолитной конструкцией запоминающей матрицы. Целью изобретения является .повыи ние надежности накопителя за счет уменьшения механической связи между элементами памяти. Поставленная цель достигается тем, что в сегнетоэлектрическом на копителе информации, содержащем подложку с нанесенными на ее поверхность электродами строк, элементы памяти, .выполненные в виде Ьластин сегнетоэлектрической керамики, и электроды столбцов, перпендикулярные электродам строк, пластины сегнетоэлектрической керамики размещены на электродах строк, а электроды столбцов нанесены на пластины сегнетоэлектрической керамики и подложку. На чертеже показано предлага-ёмоё устройство. Устройстве содержит подложку 1, электроды 2 строк, электроды 3-столбцов и пластины 4, сегнетоэлектрической керамики, образующие элементы 5 памяти.. Устройство работает следующим образом. Запись информации осушествляют в пластины 4. При записи к электродам 2 и 3 прикладьшают и мпульс напряжения поляризации, например, положительной полярности и поляризуют пластины 4. При записи О производят деполяризацию пластин 4. При считывании информации к электродам 2 и 3 прикладывают импульсы ; напряжения считывания и хранимою информацию определяют по наличию или отсутствию пьеэотока, протекающего через элемент 5. Изобретение позволяет сушественно повысить надежность сегнетоэлектрического накопителя информации за счет уменьшения механической связи между элементами памяти. .

СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ НАКОПИТЕЛЬ ИНФОРМАЦИИ, содержаший подложку с нанесенньми на ее поверхность электродами строк, элементы памяти, выполненные в виде пластин сегнетоэлектрической керамики, и электроды столбцов, перпендикулярные электродам строк,отличающийся тем, что, с целью повышения надежное-ти за счет уменьшения механической связи между эл леитами памяти, пластины сегнетоэлектрической керайики размещены на электродах строк, а , электроды .столбцов нанесены на пластины сегнетоэлектрической кергшики . и прдлож-ку.Q . . в 4ib 00 | 4i сд