Керамический материал с высокой диэлектрической проницаемостью Советский патент 1981 года по МПК C04B35/497 

I

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при производстве конденсаторов.

Известны керамические материалы на основе РЬТа f 1 J.

Однако они .обладают относительно низкими значениями диэлектрической проницаемости

Наиболее близким техническим решением к предлагаемому является сост тав РЬТаМпО. На частоте 1 КГц дизлектрическая проницаемость у известного материала равна 90, величина омического сопротивления равиа 1,5.. 080MJ 23.

Недостатком известного материала является иизкое значение диэлектрической проницаемости, большое значение диэлектрических потерь,низкая величина омического сопротивления. Отмеченные свойства делают его бесперспективным при практическом ис пользовании.

Цель изобретения - повышение диэлектрической проницаемости, снижение диэлектрических потерь и электропроводности.

Указанная цель достигается тем, что -керамический материал, содержащий РЬО, ТадСуИ MnOj, дополнительно содержит Z гО 2 при следующем соот жжении ингредиентов., мае.%: .

lajtCy28,2-29,3

to

MnOi10,0-10,5

ZrOl1,0-4,8

pbO Остальиое

В предлагаемом материале оксид циркония является связующим компоfSиентом структуры целевого продукта. Кроме того, благодаря небольшой ве личине ионного радиуса катиона циркония присутствие оксида циркония благоприятствует формированию компактных структур.. Причем, как установлено исследоваииями, оптимальная величина добавки оксида циркония ле35ИТ в пределах I ,0-4,8%. Ниже указанной величины влияние оксида циркония не сказывается на свойствах целевого продукта. Вьше указанной величины значительно увегшчивается неетехиометричность соединения Pb2,MnTaO, что приводит к снижению качества целевого продукта Значение величины концентрации оксидов марганца, тантала и находят аналогичным образом. Способ приготовления предлагаемого материала заключается в следующем Смесь порошков из оксидов циркони марганца, танталй, свинца указанного состава подвергают обжигу при 7001 под давлением 30-60 кбар в течение 1-5 мин. Путем исследо вания структуры на рентгеновском дифрактометре УРС-50ИМ в Си К 2. излучении уста новлено, что полученные образцы имеют структуру типа перовскита. Измерения емкости, диэлектрических потерь и сопротивления проводятся на приборах Р-57, Е-6-4. В табл. 1 приведены конкретные составы предлагаемого материала. В итоге изучения целевого продукта установлено, что в упомянутых пределах составов свойства не зависят от концентрации исходных ингредиентов . При этом целевой продукт до +600 С сохраняет структуру перовскита. Химическая формула полученного состава может быть представлена в виде:РЦ(, где 0,03 х $0,14. Свойства предлагаемого материала в сравнении с иявестным представлены в таблице. Таблица 1

59,2 1,0

10,5 29,3

Диэлектрическая проницаемость , 1 кГц

Тангенс угла диэлектрических потерь

Удельное сопротивление, Ом см

Количество обжигов, необходимых для приготовления материала

Продолжительность обжига

57,0 60,8 55,4

4,8 1,0 4,8

10,0 10,0 10,5

28,2 28,2 28,3

Таблица 2

90

1600

-3

8 10

. 1п9

1 ,5- 10

2 0

Не более Более 140 ч J-5 мин

5 8939604

Формула изобретенияTa Og 28,2-29,3

Керамический материал с высокойZrO. 1,0-4,8

диэлектрической проницаемостью, со-РЬС Остальное

держащий РЬО, и MnOj, о т -5

личающийся тем, что. с це-Источники информации,

лью повышения диэлектрической прони-принятые во внимание при экспертизе

цаемости, снижения диэлектрическихj Исупов В.А. Физика твердого

потерь и электропроводности, он до-гела. 1959 т. 1 с. 242-245.

полнйтельно содержит 2гОд при еле- - ;

дующем соотношении ингредиентов,2. Филипьёв B.C. и др. Кристалпомас.%:графия, 1963, т. 3, с. 799.

,0-10,5