Изобретение относится к электрон ной технике и может быть использовано в производстве керамических высокочастотных конденсаторов. Известны керамические материалы для высокой частоты на основе системы TiO..j,-BaO-NdO-Bi/j O 3 содержащие добавки бората кальция и глины 1 . Недостаток этого материала заключается в его высокой температуре спекания и низком значении диэлектр ческой проницаемости. Наиболее близким к предлагаемому является материал, состоящий из ок сидов свинца (65-67%), галлия 13-15 и ниобия (остальное) 12. Однако такой материал имеет бол шое, значение тангенса угла диэлектрических потерь (,6) -и недостаточную стабильность по частоте и температуре. Цель изобретения - уменьшение диэлектрических потерь и повышение стабильности по частоте и температуре. Указанная цель достигается тем, что керамический материал, включаю щий РЬО и , дополнительно сод жит при соотношении компонентов , мае. % : РЬО 70-72 Nb-jOs- 20-22. Al2.0 6-10 При этом ион алюминия имеет меньший ионный радиус, чем ион галия, и это благоприятствует формированию более компактных структур. Смесь оксидов алюминия, свинца и ниобия в указанном соотношении подвергают, согласно процедурам обычной керамической технологии, первичному обжигу при 700-900 С и атмосферном давлении в течение 20 мин 1ч. Проведенные структурные исследования показывают, что после первичного обжига из смеси оксидов образуется материал со структурой пирохлора, который подвергают повторному 00ЖИГУ при той же температуре в камере высокого давления при давлении 20-60 кбар в течение 1-10 мин. Затем снижают температуру до комнатной, а давление до атмосферного. Полученные -образцы имеют правильную форму цилиндра и пригодны для исследований. Изучение их структуры показывает, что происходит превращеЧ ние структуры пирохлорперовскит, В процесое исследований приготовляют три группы составов, вес.%: 1Nb-ipg 20 10 РЬО 70 2Itb jOg 20 8 PbO 72 22 AlxjO б PbO 72 Исследования целевого продукта показывают, что в упомянутых пределах свойство материала не зависит от состава. В результате исследований материалов установлены следующие численные значения параметров; Диэ- -... проницае140 140 140 140 20 мость Часто(Г) 10 10 10 3-10 та Тангенс угла ктрических потерь Удельное сопро1-10 Ом-см тивление е 10 ст са о с по 5 ча те со пр № 25 че (п Электрическая Колее 30 см прочность Температурный коэффициент диэлектрической про10 град- 1 ницаемости Предельная рабо+400°с. чая температура Формула изобретения Керамический материал, преимущевенно для высо.кочастотных конденторов, включающий РЬО и NbjO, тличающийс я тем, что, целью уменьшения диэлектрических терь и повышения стабильности по стоте и температуре, он дополнильно содержит при следующем отношении компонентов,мае.%: РЬО 70-72 NbOs 20-22 А1, 6-10 Источники информации, инятые во внимание при экспертизе 1.Авторское свидетельство СССР 628134, кл. С 04 В 35/OU, 1978. 2.Известная АИ СССР. Неорганиские материалы I 5, 1968, с. 1279 рототип).
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Керамический материал для высокочастотных конденсаторов | 1980 |
|
SU1022957A1 |
Сегнетоэлектрический материал | 2022 |
|
RU2786939C1 |
Сегнетоэлектрический керамический материал | 1989 |
|
SU1609780A1 |
Сегнетоэлектрический керамическийМАТЕРиАл | 1978 |
|
SU810641A1 |
Керамический диэлектрический материал | 1988 |
|
SU1527219A1 |
ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ | 2015 |
|
RU2596837C1 |
Высокочастотный пьезоэлектрический керамический материал на основе титаната-цирконата свинца | 2021 |
|
RU2764404C1 |
Способ получения керамического материала на основе оксидов висмута-цинка-ниобия | 2023 |
|
RU2804938C1 |
НИЗКОТЕМПЕРАТУРНЫЙ СТЕКЛОКЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ | 2020 |
|
RU2753522C1 |
Керамический материал с высокой диэлектрической проницаемостью | 1980 |
|
SU893960A1 |
Авторы
Даты
1981-06-30—Публикация
1979-09-28—Подача