Способ определения местоположения дефектов в изделиях Советский патент 1981 года по МПК G01N29/04 

(54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ МЕСТОПОЛОЖЕНИЯ ДЕФЕКТОВ В ИЗДЕЛИЯХ

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и может быть использовано в ультразвуковой дефектоскопии для определения местоположения приповерхностных дефектов в изделиях со сложным профилем поверхности.

Известен способ определения местоположения дефектов в изделиях эхо-методом, заключающийся в том, что в контролируемом изделии возбуждают импульсы ультразвуковой волны, принимают эхо-сигналы от дефекта, последовательно изменяют граничные условия в различных точках по поверхности изделия, регистрируют минимум этого сигнала и по нему определяют направление на дефект.

Этот способ может быть использован для любого типа волн и определения местоположения дефектов на различной глубине из делия с учетом отрезков времени между зондирующим и эхо-сигналами. Контроль по этому способу ведут отраженным лучом, что определяется наличием отражающих поверхностей 1.

Недостатком этого способа является невозможность определения местоположения

приповерхностных дефектов в изделиях со сложным профилем, обусловленным отсутствием отраженного от поверхности сигнала. Цель изобретения - обеспечение возможности контроля приповерхностных дефектов в изделиях со сложным профилем поверх5 ности.

Эта цель достигается за счет того, что возбуждают поверхностные ультразвуковые волны, изменение граничных условий осуществляют демпфером поверхностных волн,

10 а местоположение дефекта определяют по положению демпфера на поверхности изделия в момент увеличения амплитуды эхосигнала, отраженного от дефекта.

На фиг. 1 представлена схема контроля

IS данным способом, соответственно, в начале контроля; на фиг. 2 - то же, при перемещении демпфера; на фиг. 3 - то же, в случае обнаружения дефекта.

20 Схема содержит преобразователь 1 поверхностных волн, поверхностный дефект 2, расположенный в контролируемом изделии 3, демпфер 4 поверхностных волн.

Способ заключается в следующем.

На контролируемое изделие устанавливанэт преобразователь 1 поверхностных волн. Возбуждают импульсы этих волн в контролируемом изделии 3 и принимают эхо-сигналы в случае наличия поверхностного дефекта 2. Перед преобразователем 1 располагают демпфер 4 поверхностных волн заданного размера, например порядка длины волны, и перемещают его поперек направления распространения волны до тех пор, пока не произойдет уменьщение величины сигнала отраженного от дефекта. Минимум этого сигнала будет соответствовать расположению демпфера на линии преобразователь-дефект. Затем демпфер перемещают по этой линии от преобразователя к дефекту. О местоположении дефекта судят по положению Демпфера в момент АеЛичения сигнала. В случае наличия си аловот нескольких дефектов, направления на них и их местоположения определяют последовательно, одно за другил;.

Использование этого способа позволяет определить приповерхностные дефекты в изделиях со сложным профилем поверхности при высокой точности и низкой трудоемкости.

Формула изобретения

Способ определения местоположения дефектов в изделиях эхо-методом, заключающийся в том, что в контролируемом изделии возбуждают импульсы ультразвуковой волны, принимают эхо-сигналы от дефекта, последовательно изменяют граничные условия в различных точках на поверхности изделия, регистрируют минимум этого сигнала и по нему определяют направление на дефект, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности контроля приповерхностных дефектов в изделиях со сложным профилем поверхности, возбуждают поверхностные ультразву ковые волны, изменение граничных условий осуществляют демпфером поверхностных волн, а местоположение дефекта определяют по положению демпфера на поверхности изделия в момент увеличения амплитуды эхо-сигнала, отраженного

от дефекта.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1. Авторское свидетельство СССР по заявке № 2726768/25-28, кл. G 01 N 29/04

16.02.79 (прототип).

////

(риг.2