Стекло для защиты полупроводниковых приборов на основе арсенида галлия Советский патент 1986 года по МПК C03C3/145 

Изобретение относится к полупроводниковой технике, к составам стекол для защиты силовых полупроводниковых приборов, в частности, на арсениде галлия.

Цель изобретения - повышение удель кого поверхностного сопротивления и смачиваемости.

Составы стекол приведены в табл. 1 .

Для приготовления шихты используют следующие реактивы: ZnO, CdO,.H,BO,j, AlF , PbFj и BiF. Варку стекол проводят в корундовых тиглях при 1000- 1050 С в течение 20-25 мин. Готовое стекло вырабатывают на металлическую плиту, затем его растирают и из полученного порощка приготавливают суспензию на тетраэтоксисилане, которую заливают в V-образные канавки на ме- заструктурах арсенида галлия. Затем проводят оплавление в течение 20 - 30 мин при ЗЗО-ЗУО С и инерциальное охлаждение. После оплавления стекло ровным тонким слоем покрывает поверхность V-образных канавок.

Оптимальное количество вводимого в состав стекла фторида висмута нахоСвойства стекла

Температура деформации

Температура оплавле- ,ния, С .408

клтр oi I О ; 1 / °с

г

дится в пределах ,0 мас,%, так введении BiF в количестве, меньшем 5,0 мас,%, не наблюдается хо- .рошего растекания стекла по поверхности GaAs, а введение BiF в количестве, большем 14,5 мас.%, приводит к кристаллизации защитной пленки стекла и ухудшению его диэлектрических характеристик.

Свойства стекол приведены в табл. 2.

В табл. 3 представлены значения обратных напряжений арсенидгаллиевых диодных мезаструктур до и после защиты предлагаемым составом стекла. Из табл. 3 В5-1ДНО, что значения напряжения после защиты не уменьшают своей величины.

Таким образом, предлагаемое стекло обладает высоким удельным поверхностным сопротивлением и смачиваемостью, что делает возможным применение его в качестве тонкослойной диэлектрической защиты диодных арсенидгаллиевых мезаструктур.

Таблица 1

Таблица

Состав стекла

338

410 78,0

340

410

77.2

Свойства стекла

Удельное объемное сопротивление , Ом .см

300 с

Удельное поверхностное сопротивление f, Ом -см 20 С

200 °С

Краевой угол смачивания, град

Составитель Г. Каменских Редактор Н. Яцола Техред Г.Гербер Корректор А. Зимокосов

4192/22

Тираж 457Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР

по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

12489714

Продолжение таблицы

Состав стекла

5,21 Ю 5,65.10 5,1 Ю

10

2,3 . 10 ,1,1- 10 2,2 -10

3.0 Ю 5,1 10 3,5-10

5.1 10 2,0- 7,0-10

13

12,5

8,5

Таблица