Полусумматор на инжекционных элементах Советский патент 1982 года по МПК G06F7/50 

(З) ПОЛУСУММАТОР НЛ ИНЖЕКЦИОННЫХ ЭЛЕМЕНТАХ

I

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении больших интег- ральных схем с инжекционным питанием

(),

Известен инжекционный полусумматор, содержащий четыре двухколлекторных транзистора и три одноколлекторных транзистора l.

Недостатком его является сложность конструкции.

Известен также инжекционный полусумматор, содержаний два двухколлекторных транзистора и четыре одноколлекторных транзистора. Базы всех транзисторов соединены с выходами источников тока, а эмиттеры соединены с нулевой шиной Г21.

Недостатком его является относительная сложность конструкции полусумматора .

Цель изобретения - упрощение полусумматора.

Поставленная цель достигается тем, что полусумматор на инжекционных элементах, содержащий первый и второй двухколлекторные транзисторы, пер. .вый и второй одноколлекторные транзисторы, причем базы всех транзисторов подключены.к выходам соответствующих источников тока, эмиттеры подключены к шине нулевого потенциала, базы первого и второго двухколлекторных транзисторов являются входами полусумматора, первые коллекторы этих транзисторов объединены, вторые коллекторы соединены с базами соответственно первого и второго одноколлекторных транзисторов, коллекторы которых объединены, содержит также трехколлекторный транзистор,база которого соединена с первыми коллекторами первого и второго двухколлекторных транзисторов,и с выходами источника тока, первый коллектс р этого транзистора соединен с вторым коллектором первого двухколлекторного