Способ получения проводящих прозрачных покрытий из оксида индия Советский патент 1982 года по МПК C23C15/00 

(54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПРОВОДЯЩИХ ПРОЗРАЧНЫХ ПОКРЫТИЙ ИЗ ОКСИДА ИНДИЯ

1

Изобретение относится к нанесению покрытий, в частности к катодному распылению электропроводящих покрытий, и может быть использовано для получения прозрачных электродов и обогревательных элементов.

Известен способ получения электропроводящих прозрачных покрытий из оксидов металлов с порядковым номером от 48 до 51 на подложке из стекла путем катодного распыления в атмосфере аргона, кислорода и водорода 1 .

Однако получить этим способом низкоомные покрытия с высоким светопропусканием невозможно.

Наиболее близким по технической сущности к изобретению является способ получения проводящих прозрачных покрытий из оксида индия, включающий катодное распыление материала покрытия и осаждение на подложку в атмосфере, содержащей инертный газ, кислород и водород 2.

Однако полученные по данному способу покрытия имеют низкое качество.

Цель изобретения - повыщение качества покрытий.

Поставленная цель достигается тем, что в способе получения проводящих прозрачных покрытий из оксида индия, включающем катодное распыление материала покрытия и осаждение на подложку в атмосфере, содержащей инертный газ, кислород и водород, распыление проводят при следующем соотнощении газов об. %:

Инертный газ75-77

Кислород6-7

Водород.17-18,

10

причем в качестве подложки используют цолимерный материал.

Осаждение прозрачного электропроводящего покрытия из оксида индия проводят путем распыления металлического индия ме15тодом катодного реактивного распыления при соотнощении реактивных и инертных газов в распылительной камере: 75-77 ч. инертного газа, 6-7 ч. кислорода и 17-18 ч. водорода с охлаждением подложки от -100 2Q до +20°С. При этом в качестве подложки используют также полимерный материал, что намного расщиряет возможности применения этих покрытий (например, фото- и кинотехника, системы записи и воспроизведения информации). Пример 1. Осаждение пленки оксида индия производят на подложке из стекла в атмосфере аргона, кислорода и водорода (соотношение газов в распылительной камере приведено в таблице) распылением индиевого катода. Время осаждения 60 мин, расстояние катод-анод 50 мм, напряжение между катодом и анодом 3 кВ, плотность тока 1 мА/см2, температура анода 10-20°С, температура подложки 10-20°С. Основные параметры, характеризующие полученные покрытия в сравнении с известным способом приведены в таблице. Пример 2. Условия напыления идентичны условиям примера 1, но в качестве подложки используют лавсановую пленку. Время осаждения 30 мин, температура подложки 50°С.«. в результате получают высококачественные проводящие прозрачные покрытия из оксида индия не только на подложке из стекла, но и на полимерной подложке из лавсановой пленки. Покрытия на подложке из стекла отличаются в 2-5 раз более высокой электропроводностью при светопропускании на 2-8% выше, чем покрытия, полученные известным способом. Причем в отличие от свойств покрытий, полученных известными способами, покрытия, полученные предложенным способом, обладают одновременно и высокой проводимостью и повышенным светопропусканием, что особенно важно дл покрытий на полимерной подложке, весьма перспективных в фото- и кинотехнике, а также в системах записи и хранения информации.