Резистивная композиция Советский патент 1982 года по МПК H01C7/00 

(S) РЕЗИСТИВНАЯ КОМПОЗИЦИЯ

1

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано, например в микроэлектронике для изготовления резистивных элементов толстопленочных гибридных интеграль-ных микросхем.

Известна резистивная композиция, содержащая токопроводя1цую фазу на основе оксида рутения, металлический рутений и свинцовосиликатнре стеклоГП.

Недостатки известной резистивной композиции состоят в узком диапазоне рабочих температур и удельного сопротивления.

Наиболее близким к изобретению по техническим решениям является резистивная композиция, включающая токопроводящую фазу ИЗ смеси оксидов меди, висмута и рутения, добавку металла и свинцовосиликатное стекло 2.

Недостатки известной резистивной композиции заключаются в узком диапазоне рабочих температур и удельного сопротивления.

Цель изобретения - расширение диапазона рабочих температур и удельного сопротивления в низкоомной области с одновременным повышением временной и температурной стабильности сопротивления.

toПост;авленная цель достигается тем,

что резистивная композиция, включающая токопроводящую фазу из смеси оксидов меди, висмута и рутения, добавку металла и свинцовосиликат15 ное стекло, в качестве добавки металла рутений при следующем количественном соотношении компонентов,-вес. Смесь оксидов меди, висмута и рутения ,9-7,2 20Рутений0,2-6,93

Свинцовосиликатное стекло18,6-49,9

При этом токопровода1чая фаза со-, -держит оксиды меди, висмута и рутения о следукмцен количественном соотношении компонентов, вес.%: Оксид медид () 5, Оксид висмута (В 53|67 Оксид рутения (RuO-j,) 0,Bk Резистивную композицию приготовляют путем смииивания предварительно измельченных смеси оксидов меди, висмута и рутения, металлического рутения и свинцовосиликатного стекла в виде смеси оксидов, вес.%: АЦО 9,6; S102 16,5; РЬО 66,7; 0,2; Т,0; МпО 6,0. Затем полученную смесь тщательно диспертровали в органическом связующем на основе ланолина. Полученнуюкомпозицию наносили методом траффаретной печати

на керамические подложки с последующим отжимом в конвейерной печи при

leso c.

Составы резистивной композиции и характеристики толстопленочных резисторов, изготовленных на ее основе, приведены в таблице.

Изобретение позволяет расширить диапазон рабочих температур и диапазон удельного сопротивления толстопленочных резисторов и низкоомной области, повысить временную и температурную стабильность из сопротивления и увеличить надежность электронной аппаратурЫ|работающей в жестюкх климатических условиях.

)е

о

чО

оо

чО оо

(

.

п оо

1Л (Г

г

-304Г

о

«k

О

о

1Л

Л

00

00

о I

о I

о о

о

(М

1Г

г

1Л чО

ооСП оо -

г

оо

CN

(Л

« о

СП

Lf -Эо

vO .д1Л

7 9609668

изобретенияСвинцовосиликатное

.чающая токопроводящую фазу из смеси2. Композиция по п. 1, о т л и оксидов меди, висмута и рутения, до-чающаяся тем, что токопровобавку металла и Свинцовосиликатноеj дящая фаза содержит оксиды меди, висстекло, отличающаясямута и рутения в следующем количетем, что, с целью расширения диапазо-ственнбм соотношении, вес.%:

нов рабочих температур и удельного Оксид меди ЧСилО) 5,

сопротивления в низкоомной областиОксид висмута (BiiOa)

с одновременным повышением временнойto Оксид рутения (RuOo) ko.Bf

и температурной стабильности сопро-,

тивления, она содержит в качествеИсточники информации, добавки металла рутений при следую-.принятые во внимание при экспертизе щем количественном соотношении компонентов, весД:t$ 1. Патент США З833 07,

Смесь оксидов меди,кл. Н 01 С 7/00, 197.

висмута и рутения 49,9-7,. Патент США If 3950597,

Рутений 0,2-6,98кл. Н 01 С 7/00, 1976 (прототип).