Способ выращивания кристаллов и установка для осуществления этого способа Советский патент 1953 года по МПК C30B7/02 

Описание патента на изобретение SU96144A1

Способы выращивания кристаллов из раствора путем его охлаждения известны. Выращивания кристаллических блоков этими способами обычно основаны на использовании те.мпературно зависимости растворимости вещества. Выращивание осуществляется циклично, за счет изменения температуры раствлра. При этом количество кристаллизуе.мого вещества остается неизменным в течение всего процесса кристаллизации.

Кристаллы, выра1Ц 1ваемыс полобными способами, вследствие -их образования при различных температурах, как правило, неоднородны по строению и имеют внутренние механические напряжения. Кроме того, для веп;еств, обладающих малой температурной зависимостью растворимости, способ выращивания, основанный на изменении температуры раствора, оказывается недостаточно производительным.

Предлагаемый способ выращнвания криста.1лов и установка для осуществления этого способа обеспечивают устранение выптеупомяпутых недостатков и позволяют повысить качест;ю выращиваемых кристаллов. Это достигается тем, что, с целью повышения качества продукции, пг-и выращивании криста.-глон применяют местное (только в зоне р.оста кр11сталла) переохлаждение недонасьицеиного в остальной массе раствора.

.Установка д.-1я осуществления предлагаемого способа cocTOiri- из бака с раствором, 1з котором расиоложены формы для выран нвания кристаллов. Непрерывная работа установки обеспечивается тем, что каждая из форм снабжена охладителем для переохлаждения раствора внутри этой qbopMbi ири неизменной темнературе раствора в баке.

На чертеже схематически представлена конструкция предлагаемой установки в двух нроекциях.

Выраншвание кристаллов осуществляется в разборных формах 1, погруженных в бак 2 с ненасьпценным раствором 5. Для выращивания блоков заданного размера или пластинок определенной толщины

Похожие патенты SU96144A1

название год авторы номер документа
Способ выращивания кристаллов 1952
  • Поздняков П.Г.
  • Штернберг А.А.
SU101179A1
Способ и устройство для выращивания кристаллов 1947
  • Штернберг А.А.
SU72182A1
Способ изготовления затравок для выращивания кристаллов виннокислого калия и способ выращивания последних из этих затравок 1952
  • Поздняков П.Г.
  • Штернберг А.А.
SU101189A1
Способ изготовления затравок для выращивания кристаллов 1952
  • Поздняков П.Г.
  • Штернберг А.А.
SU100988A1
Способ крепления проволочных держателей к пьезоэлектрической пластине 1949
  • Поздняков П.Г.
  • Штернберг А.А.
SU91033A1
Устройство для выращивания кристаллических блоков 1947
  • Штернберг А.А.
SU76654A1
Способ поддержания постоянства расхода флотореагентов цианплава и цинкового купороса 1959
  • Калмаков А.А.
  • Хан Г.А.
  • Штернберг В.Б.
SU126431A1
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЙ 1995
  • Озерных И.Л.
  • Битушан Е.И.
  • Драков А.А.
  • Саяпин С.Н.
  • Свириденко И.П.
RU2105831C1
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВА МЕТОДОМ АМОСОВА 2004
  • Амосов В.И.
RU2261297C1
Способ выращивания кристаллов и кристаллизатор для осуществления этого способа 1952
  • Поздняков П.Г.
SU100124A1

Иллюстрации к изобретению SU 96 144 A1

Реферат патента 1953 года Способ выращивания кристаллов и установка для осуществления этого способа

Формула изобретения SU 96 144 A1

SU 96 144 A1

Авторы

Штернберг А.А.

Даты

1953-01-01Публикация

1952-04-30Подача