Для обеспечения быстрого роста одиородного кристаллического тела иеобходимо, чтобы его растущие поверхности 1непре;рывно соприкасались с одинаково сильно насыщенным pacTBOpiOM. Эти условия обеспечиваются предлагаемым устройством для выращивания кристаллических блоков, схематично изображенным на чертеже.
Свободно лежащий на гладкой ло(верхности кристаллический блок 1 одним своим концом соприкасается с быстро движущейся (3-4 м в секунду) резиновой лентой 2.
Движение ленты обеспечивается ведущим шкивом 3 и четырьмя направляющими роликами 4. Рабочая noBepXHiocTb ленты омывается свежим pacTBOpiOM при соприкосновении ее с вращающимся в обратном иапр авлении вали.ком 5, частично опуЩСнным в нагретый до тамлературы 40-45°С Слегка недосыщенный раствор.
Избыток раствора с валика 5 и ленты 2 снимается резиновыми совками 6.
Смоченная горячим и почти насыщенным раствором движущаяся лента обдувается струей воздуха, например при помощи вентилятора 7. В результате ча-стичного испарения растворителя и охлаждения расTiBop на лаверх1ности ленты становится насыщенным и в таком виде приходит IB соприкосновение с кристаллом.
Кристалл, по .Mepie овоегО роста, под давлением ленты сдвигается по поверхности гладкой площадки 3 в направлении, указанном стрелкой.
Предмет изобретения
Устройство для выращивания кристаллических блоков, отличающееся тем, что оно выполнено в виде движущейся бесконечной ленты, взаимодействующей с частично погруженньш в слегка недосыщенный раствор вращающимся валикОМ и с расположенной на столике затравкой, к .которой раствор, увлекаемый лентой, благодаря частичному испарению растворителя, подхо-. дит в насыщенн0,м состоянии.
