Изобретение относится к сегнетоэлектрическим материалам и может быть использовано для изготовления сегнетоэлектрических подложек, применяемых в специальном приборостроении, где требуется сочетание широкого интервала рабочих температур, прямоугольной петли гистерезиса,малого коэрцитивного поля и плотности и возможности изготовления тонких элементов с высокой чистотой обработки поверхности.
Известны сегнетоэлектрические керамические материалы на основе ниобатов щелочных меташлов 1, ,
Указанные материалы имеют либо недостаточно высокую точку Кюри, либо крупнозернисты и спекаются при относительно высоких температурах, либо имеют резко сниженную величину электросопротивления t f V )
Наиболее близким к предлагаемому является материал на основе ниобата калия (KNBOii) t.
Известен материал, полученный методом горячего прессования при Tj-o Г 1000 С,давлении (Р) 400 кг/см и времени выдержки LC ) 40 мин 4 .
Недостатком материала являются относительно невысокие значения точки Кюри.
Цель изобретения - повьшение точки Кюри материала при сохранении высокого удельного сопротивления и небольшого размера зерен.
Указанная цель достигается тем, что сегнетоэлектрический керамичес10кий материал, содержащий и , дополнительно содержит SiOi при следуюцем соотношении компонентов..мо.п.% : ,74-49,70
NbiOy43,10-49,10
15
SiOu1,20-9,16
Полученный материал представляет собой синтезированный порошок KNBOj, в который перед горячим прессованием вводится 1,86-13,80 мол.% стекла,
20 состава, мол.%: K, 33,6; 510,,4. Получение предлагаемого материала осуществляют следующим образом.
Порошок KNBOi получают синтезом при в течение 5 ч из и 25 марки ЧДА. Стекло получают
сплавлением соответствующих количеств КдСО,, и SiOi (которые предварительно перемешивают 0,5 ч в фарфоровой ступке) в фарфоровом тигле при 1100 С в 30 течение 1ч. После этого стекло выливают на стальную плиту и затем тщательно измельчают. Полученный порошок стекла добавляют к порошку KNBOj в количествах, мол.%.: 1,86, 3,69, 6,00, 11,60, 13,80 и далее смесь перемешивают 1,5 ч в фарфоровых ступках. Горя-5 чее прессование проводят 40 мин при
давлении 400 кг/см -. Т. подбирают по кривым усадки. Диэлектрическую проницаемость определяют по частоте 1 кГц с помощью моста Е8-2.
Полученные результаты представлены в таблице.
| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| Сегнетоэлектрический керамический материал | 1979 |
|
SU854915A1 |
| Сегнетоэлектрический керамический материал | 1980 |
|
SU897757A1 |
| Керамический нелинейный диэлектрический материал | 1983 |
|
SU1102786A1 |
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ВОЛОКОННО-ТЕКСТУРИРОВАННОЙ СТЕКЛОКЕРАМИКИ | 2009 |
|
RU2422390C1 |
| Способ получения керамических материалов на основе сложных оксидов АВО3 | 2019 |
|
RU2725358C1 |
| Способ получения сегнетоэлектрической керамики | 1980 |
|
SU908775A1 |
| Керамический материал | 1982 |
|
SU1138395A1 |
| Пьезоэлектрический керамическийМАТЕРиАл | 1979 |
|
SU833835A1 |
| Высокочастотный пьезоэлектрический керамический материал на основе титаната-цирконата свинца | 2021 |
|
RU2764404C1 |
| Способ изготовления композита титанат бария - феррит бария в алюминийсодержащих тиглях | 2021 |
|
RU2761797C1 |
На фиг. 1 показаны температурные зависимости некоторых составов; на фиг. 2 - петли диэлектрического гис .терезиса (цифры у кривых соответствуют номерам составов, указанным в таблице).. Из данных таблицы и фиг. 1 видно, что предлагаемые материалы имеют по сравнению с И|звестным более высокие значения Тц при сохран НИИ высокой плотности и небольшого среднего размера зерна. При этом Т предлагаемого материала несколько ниже, чем известного. Оптимальным является интервал концентраций стекол. При более высоких содержаниях стекла Тц практически не увеличивается, но подавляется максимум (фиг. 1), увеличивается D и. снижается PV . Формула изобретения Сегнетоэлектрический керамический материал, включающий и отличающийся тем, что, с целью повышения точки Кюри при , сохранении высокого удельного сопротивления и небольшого размера зерен, он дополнительно содержит SiO при следующем соотношении, компонентов, мол.%: 47,74-49,70 K,iP 43,10-49,10 1,20-9,16 siO Источники информации, принятые во внимание при экспертизе Патент Великобритании 1140305, кл. С 1 J, 1967. 2. Патент США № 3437597, 252-629, опублик. 1969. 3.Авторское свидетельство СССР № 580198, кл. С 04 В 35/00, 1977. 4. Неорганические материалы. т.14, 1959, W 5, с. 438-439.
