Шихта для изготовления керамического материала Советский патент 1982 года по МПК C04B35/111 C04B35/18 

Изобретение относится к производству материалов для электронной техники, а именно керамики, применяег-юй в вакуумной, радиоэлектронной и других, областях техники.

В электронной прокышленности применяют вакуумплотную керамику, содержащую более 90% оксида алюминия и служащую для изготовления керамичес-г ких подложек, плоских корпусов, микромодулей, конструкционных и изоляторных элементов.

Известна шихта для изготовления керамического материала на основе глинозема для производства вакуум- плотной корундовой керамики |f 1J .

Недостатком данной шихты является высокая температура спекания 1750+ , .

Наиболее близким техническим решением к изобретению является шихта для изготовления керамического материала, вк.лючаю1чая 94,4 мас.% Al2.0 и 5,6 мас.% стеклообраз-ующей добавки, состава/ мас.%:

49,25

SiOo.

42,00

МпО

8,75

Недостатками известной шихты являются высокая температура спекания 1600-1650С и большие диэлектричесс кие потери (тангенс угла диэлектрических потерь при частоте 10 МГц (3-5) 10-4-}.

Целью изобретения является снижение температуры спекания и диэлект Q рических потерь.

Поставленная цель достигается тем, что шихта для изготовления керамического материала, включающая 94,4 мас.% 5,6 мас.% стеклообразующий добавки, содержащей

5 МпО, SiO и Cr., содержит кс тоненты добавки при следующем соотношении, мас.%

МпО52,0-57,7

20 SiO-j.33,8-39,0

,5-9,0

Введение в шихту добавки предложенного состава позволяет получить высокоплотную корундовую керамику

25 за счет того, что увеличение ионов уменьшает вязкость и поверхностное натяжение расплава, способствует растворимости и скорости переноса окиси алюминия, что формирует тонкую и плотную микроструктуру керами