Шихта для изготовления керамического конденсаторного материала Советский патент 1983 года по МПК C04B35/472 

Изобретение относится к радиоэлектронике и может быть использовано для изготовления керамических конденсаторов .

Известны керамические конденсатор-, ные материалы на основе BaTiO с высокой диэлектрической проницаемо-. i стью Г1 .

Однако их диэлектрическая проницаемость либо недостаточно высока, либо они обладают большими температурными коэффициентами диэлектрической проницаемости. .

Наиболее близкой к предлагаемой является шихта для изготовления керамических конденсаторов следующего состава, мае.%:

BaTiO 86-98

M-baOf 0,5-5

5т20э 0,4-5

IrOz0,1-5

Материал имеет величину диэлектрической проницаег юсти /6о 25002800. стабильность емкости материала в интервале температур от -60 до +125°С составляет ±20% С2 Ъ

Однако указанный материал имеет относительно невысокое значение диэлектрической проницаемости и недостаточную температурную стабильность.

Целью изобретения является повышение диэлектрической проницаемости керамики и улучшение ее температурной стабильности.

Указанная цель достигается тем, что состав шихты для изготовления керамического конденсаторного материала, содержащий SaTiOg, irOo .Ti02, дополнительно содержит СаСО ,

10 WO, ZnO, Al20,| при следующем соотношении компонентов, мас.%:

BaTiOj 83,10-89,00

,10-9,00

Ti021,10-3,55

15

СаСОз , 2,10-6,10

WOj0,05-0,60

гго 0,05-0,60

AljOj 0,05-0,60 Сущность изобретения заключается

20 в том, что содержание в сегнетокерамическом материале ионов кальция способствует сглаживанию температурной зависимости емкости. Если содержание СаСОз меньше, чем 2,10%, эф25фект сглаживания незначителен. При содержании CaCO, превышающем 6,10%, происходит уменьшение диэлектрической проницаемости. Если WOj содержится менее 0,05 мас.%, то эффект увели30чения €f6o незначителен. В случае.