СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ БЕСПРИБЫЛЬНЫХ СЛИТКОВ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ Российский патент 1994 года по МПК B22D23/10 

Описание патента на изобретение RU2009015C1

Изобретение относится к металлургии, в частности к воздействию на металл в процессе его затвердевания в изложнице или кристаллизаторе.

Широко известны различные способы и устройства обработки кристаллизирующегося металла, применяемые для борьбы с дефектами усадочного и ликвационного происхождения, в том числе и способы, интенсифицирующие теплоотвод из осевой зоны слитка путем ввода в жидкую фазу металла охлаждаемых кристаллизаторов.

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому изобретению является способ обработки кристаллизующегося металла, при котором металл, попадая в кристаллизатор, застывает прежде всего у стенок наружного кристаллизатора, затем происходит намораживание слоев, образующихся между поверхностью ранее закристаллизовавшегося слоя, при этом в полости внутреннего кристаллизатора всегда имеется жидкий металл, питающий осевую часть слитка.

Устройство содержит наружный и соосный с ним внутренний кристаллизатор и обеспечивает послойное формирование осевой части слитка в связи с обогащением ликвирующими примесями зоны, примыкающей к фронту затвердевания.

Недостатком известных способа и устройства является то, что они не исключают объемную кристаллизацию металла в осевой зоне слитков, в связи с выделением ликватов на границе стыков слоев затрудняют направленный рост кристаллов и по этой причине не могут гарантировать от образования усадочных и ликвационных дефектов.

Цель изобретения - повышение качества бесприбыльных слитков путем получения физико-химической однородности мелкокристаллической структуры по всему сечению крупного слитка за счет интенсивности охлаждения кристаллизующихся слоев металла, а также рафинирование металла в кристаллизаторе от газов, неметаллических включений и примесей.

Указанная цель достигается тем, что электрошлаковый обогрев, электромагнитное воздействие и обработку инертными газами в кристаллизаторе проводят одновременно с послойным затвердеванием осевой части слитка, при этом жидкий металл в зазоре между вновь затвердевшим слоем в кристаллизаторе и ранее сформированным постоянно обменивают с помощью электромагнитного воздействия, а образовавшиеся слои подпрессовывают кристаллизатором друг к другу усилием, превышающим предел текучести металла при температуре кристаллизации, и выдерживают в этом состоянии до релаксации возникших напряжений. Новым в устройстве, содержащем наружный и соосный ему внутренний кристаллизаторы, является то, что рабочая поверхность выполнена в виде конуса с углом раскрытия, превышающим 45о, внутри полости кристаллизатора на ферромагнитном сердечнике установлен соленоид для повышения концентрации электромагнитных полей в зоне кристаллизации металла, для предотвращения замерзания металла с поверхности в рафинировочный шлак помещают коаксиальный электрод, кроме того в полости кристаллизатора выполнены каналы для продувки металла инертными газами. Охлаждаемая торцовая поверхность обращена выпуклостью в направлении, противоположном послойному наращиванию слитка. Именно заявляемые элементы устройства обеспечивают, согласно способу, послойно-направленное затвердевание внутренних объемов слитков с физико-химической однородностью мелкокристаллической структуры по всему сечению слитка с одновременным электрошлаковым обогревом и порционной обработкой металла в кристаллизаторе электромагнитным полем и инертными газами. Сказанное позволяет сделать вывод, что заявленные изобретения связаны между собой единым изобретательским замыслом.

Сравнение заявляемых технических решений с прототипом позволило установить соответствие их критерию "Новизна".

При изучении других известных технических решений в данной области техники, признаки, отличающие заявленные изобретения от прототипа, не были выявлены и поэтому они обеспечивают заявляемому техническому решению соответствие критерию "Существенные отличия".

Сравнение заявляемого решения с другими техническими решениями показывает, что известны отдельно и электрошлаковый обогрев, и электромагнитное воздействие, и обработка металла инертными газами, и направленное затвердевание. Однако использование всех этих признаков вместе не было известно. Кроме того, указанный способ позволяет, благодаря такому взаимодействию всех признаков, повысить качество слитка и физико-химическую однородность, предотвратить переохлаждение металла, создает условия направленного затвердевания каждого слоя, повысить прочность сцепления слоев в осевой части слитка. Это все позволяет сделать вывод о соответствии технического решения критерию "Существенные отличия".

На чертеже представлено устройство для обработки кристаллизующегося металла.

В устройстве для осуществления указанного способа на поверхности жидкого металла в уширенной прибыльной надставке-компенсаторе объема 1 изложницы (кристаллизатора) 2 наводится активный рафинировочный шлак 3, в который помещают коаксиальный графитовый электрод 4. Вторым электродом является кристаллизатор 5 с охлаждаемой торцевой поверхностью, выполненной в виде конуса с углом раскрытия, превышающим 45о, обращенной выпуклостью в направлении, противоположном послойному наращиванию слитка.

Внутри кристаллизатора для усиления концентрации электромагнитных полей в зоне кристаллизации металла устанавливают соленоид 6 на ферромагнитном сердечнике (водоподводе) 7. Боковая поверхность кристаллизатора изолирована от жидкого металла футеровкой 8, нижняя выступающая часть которой образует с охлаждаемой поверхностью кристаллизатора полость 9, в которую подают инертный газ под давлением, превышающим давление столба металла над этой полостью.

Одновременное пропускание постоянного тока через электроды 4, 5 и соленоид 6 в результате взаимодействия электрического и магнитного полей приводит к возникновению усилий, обеспечивающих постоянное обновление жидкого металла в зазоре между кристаллизатором 5 и ранее затвердевшим слоем. Этим достигается удаление ликвирующих примесей, включений и газов из зоны кристаллизации, предотвращение объемного переохлаждения металла в зазоре, что в свою очередь создает условия для направленного затвердевания металла в формирующемся слое. Дегазация и транспортировка выведенных электромагнитными полями из зазора примесей и неметаллических включений к разогретому пропусканием электрического тока активному рафинировочному шлаку 3 в прибыльной надставке 1 осуществляется пузырьками инертного газа, поступающего в жидкий металл из полости 9, образованной выступом боковой футеровки 8 и охлаждающей поверхностью кристаллизатора 5.

Одновременно с продувкой металла инертными газами, перемешиванием с помощью электромагнитных полей металлов в прибыльной надставке-компенсаторе 1 подогревают электрошлаковым методом до температуры, превышающей ликвидус на 20-50оС. Для более прочного сцепления слоев металла центральной зоны слитков кристаллизатор 5 после намораживания слоя необходимой толщины перемещают вниз для подпрессовки слоев с усилием, превышающим предел текучести кристаллизующегося металла, и выдерживают в этом состоянии до завершения процессов кристаллизации и релаксации, возникших в слоях напряжений.

По мере послойного наращивания центральной части слитка кристаллизатор 5 выводится из полости изложницы 2, а соответствующие объемы металла перетекают в нее из прибыльной надставки 1. На завершающей стадии после затвердевания последнего слоя кристаллизатор 5 выводят в шлак 3 и, подавая напряжение на его нижнюю токоподводящую часть, завершают процесс формирования бесприбыльного слитка. (56) Авторское свидетельство СССР N 526443, кл. B 22 D 27/02, 1974.

Авторское свидетельство СССР N 435052, кл. B 22 D 11/04, 1972.

Похожие патенты RU2009015C1

название год авторы номер документа
Способ отливки крупных слитков и устройство для его осуществления 1981
  • Гуляев Анатолий Васильевич
SU1011330A1
Устройство для электромагнитной обработки кристаллизующегося металла 1976
  • Вихляев Владимир Борисович
  • Пахучий Алексей Алексеевич
  • Клипов Анатолий Дмитриевич
  • Трухин Михаил Константинович
SU636056A1
Способ изготовления стальных слитков 1977
  • Шмуклер Иосиф Срулевич
  • Миславский Александр Михайлович
SU789210A1
Способ обработки кристаллизующегося металла 1978
  • Балуев Анатолий Иванович
  • Горынин Игорь Васильевич
  • Ключарев Валерий Евгеньевич
  • Орлов Лев Павлович
  • Пермитин Владимир Евгеньевич
  • Сенопальников Валерий Михайлович
  • Соболев Юрий Васильевич
  • Трухин Михаил Константинович
SU719803A1
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ БЕСПРИБЫЛЬНОГО ПОЛОГО СЛИТКА 2003
  • Сулягин В.Р.
  • Зубакин А.А.
  • Коноплянко Н.П.
  • Батов Ю.М.
  • Афанасьев С.Ю.
  • Уткин А.А.
RU2261776C2
Установка для внепечной обработки кристаллизующегося металла 1978
  • Шелепов Николай Семенович
  • Орлов Лев Павлович
  • Дубодин Вессарион Макарович
  • Груздев Анатолий Ефремович
  • Пермитин Владимир Евгеньевич
  • Трухин Михаил Константинович
  • Сенопальников Валерий Михайлович
  • Ключарев Валерий Евгеньевич
  • Соболев Юрий Васильевич
  • Лискин Алексей Григорьевич
SU789592A1
УШИРЕННАЯ КВЕРХУ ГЛУХОДОННАЯ ИЗЛОЖНИЦА 1991
  • Вихров А.В.
  • Коробейник В.В.
  • Вишнякова Е.Н.
  • Кириллов В.С.
  • Касьян В.И.
  • Амерханов С.З.
  • Туктарев Р.А.
  • Соляников Б.Г.
  • Чертовикова В.М.
RU2013182C1
СПОСОБ ОБРАБОТКИ КРИСТАЛЛИЗУЮЩЕГОСЯ МЕТАЛЛА 1973
  • А. Хрипков, М. К. Трухин, С. К. Михайлов, Н. С. Шелепов, И. В. Маслов, А. Д. Клипов, А. П. Молчанов, В. Е. Пермитин, В. А. Журавлев, Н. П. Майоров Л. П. Орлов
SU399306A1
ПРИБЫЛЬНАЯ НАДСТАВКА 1996
  • Антипов Б.Ф.
  • Матвеевский Г.А.
  • Мазурин В.В.
  • Руднев В.В.
  • Косцов С.В.
  • Демин Ю.С.
RU2104117C1
ИЗЛОЖНИЦА ДЛЯ СТАЛЬНОГО СЛИТКА 2011
  • Ромашкин Александр Николаевич
  • Назаратин Владимир Васильевич
  • Макарычева Елена Владимировна
  • Дуб Алексей Владимирович
  • Дуб Владимир Семенович
  • Комолова Ольга Александровна
  • Мальгинов Антон Николаевич
  • Иванов Иван Алексеевич
RU2450889C1

Иллюстрации к изобретению RU 2 009 015 C1

Реферат патента 1994 года СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ БЕСПРИБЫЛЬНЫХ СЛИТКОВ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ

Использование: изобретение относится к металлургии, в частности к воздействию на металл в процессе его затвердевания в изложнице или кристаллизаторе. Сущность изобретения: способ получения бесприбыльных слитков заключается послойно-направленном затвердевании слоев при электрошлаковом обогреве. Новым в способе является то, что электрошлаковый обогрев в верхней части кристаллизатора и продувку металла инертными газами совмещают с послойным затвердеванием внутренних объемов слитка и обработкой последних направленными концентрированными электромагнитными полями, а образовавшиеся слои подпрессовывают кристаллизатором друг к другу усилием, превышающим предел текучести металла при температуре кристаллизации и выдерживают в этом состоянии до релаксации возникающих напряжений. В устройстве для получения таких слитков рабочая поверхность выполнена в виде конуса с углом раскрытия, превышающим 45 , а во внутренней охлаждаемой полости на ферромагнитном сердечнике установлен соленоид, объединенный с коаксиальным электродом, внутренним кристаллизатором в единую электромагнитную систему. Изобретение позволяет повысить качество бесприбыльных слитков путем получения физико-химической однородности мелкокристаллической структуры по всему сечению крупного слитка за счет интенсивного охлаждения кристаллизующихся слоев металла. 2 с. п. ф-лы, 1 ил.

Формула изобретения RU 2 009 015 C1

1. Способ получения бесприбыльных слитков, включающий послойно-направленное затвердевание внутреннего объема металла слитка при электрошлаковом обогреве, отличающийся тем, что в процессе послойного затвердевания внутреннего объема осевой части осуществляют одновременно продувку инертным газом и обработку электромагнитными полями, при этом образующиеся слои металла подпрессовывают внутренним кристаллизатором усилием, превышающим предел текучести металла при температуре кристаллизации, и выдерживают в этом состоянии до релаксации возникающих напряжений. 2. Устройство для получения бесприбыльных слитков, содержащее наружный и соосный ему внутренний кристаллизаторы, коаксиальный электрод, отличающееся тем, что оно снабжено средством для подвода инертного газа и соленоидом, размещенным на ферромагнитном охлаждаемом сердечнике в полости внутреннего кристаллизатора, нижняя часть которого выполнена в виде конуса с углом раскрытия, превышающим 45o, при этом соленоид, коаксиальный электрод и внутренний кристаллизатор объединены в единую электромагнитную систему.

RU 2 009 015 C1

Авторы

Пермитин В.Е.

Даты

1994-03-15Публикация

1992-01-22Подача