СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МЕТАЛЛОКЕРАМИЧЕСКИХ КОММУТАЦИОННЫХ ПЛАТ Российский патент 1995 года по МПК C04B41/88 

Изобретение относится к электронной технике, в частности к способам изготовления металлокерамических коммутационных плат, и может быть использовано при производстве металлокерамических узлов радиоэлектронной техники.

Целью изобретения является повышение выхода годных изделий путем уменьшения расслоений многослойных плат при увеличении разрешающей способности коммутационной схемы.

Способ изготовления металлокерамических плат осуществляется следующим образом. На тестовую подложку наносится тестовая металлизационная полоска заданной ширины, равной, например, пятикратной толщине пленки из пасты N 1 с коэффициентом усадки К_к. Эту тестовую подложку спекают, контролируют соответствие коэффициентов усадки проводника и подложки путем замера ширины проводника в области локализации дефекта, соотносят его с коэффициентом усадки сплошного слоя из пасты N 1 и по нему дополнительно регулируют состав пасты N 1, уменьшая ее коэффициент усадки на величину, равную разности коэффициента усадки проводника и сплошного слоя из пасты N 1.

Корректировка производится по результатам расчета, когда на основе экспериментального измерения разности (ΔК_т) коэффициентов усадки исходной пасты N 1 (К_к) и коэффициента усадки тестовой полоски (К_т) определяют величину а по формуле
α · где d_т ширина тестовой полоски металлизации;
h_т толщина тестовой полоски металлизации.

После чего определяют величину
Δ K, по формуле
ΔK a· · 1 + где h толщина металлизационной пленки;
d ширина металлизационной пленки.

Уменьшение коэффициента усадки пасты от значения К_к и до (К_к- ΔК) производят путем смешивания исходной пасты N 1 с коэффициентом усадки К_к с пастой N 2 отличающегося коэффициента усадки К_м, массовая концентрация которой С_км определяется по формуле
C_км=
В качестве примера можно привести результат согласования усадок керамики и металлизации, когда первоначально на поверхность круглого образца был нанесен сплошной слой металлизации из частиц диаметром 2 мкм и 0,7 мкм толщиной 25 мкм. Скорректированная паста не вызывала изгиба образцов. На изделиях с шириной межслойных проводников (50.100) мкм такая паста вызывала расслоение, регистрируемое методом капиллярной дефектоскопии. После дополнительной коррекции по предлагаемой схеме брак снизился на (4.6)% Для плиток толщиной 25 мкм при ширине d_т=120 мкм величина Δ К_т составила 9% Для коррекции использовалась паста с усадкой К_к=16% и К_м=28%

Использование: изобретение относится к электронной технике, в частности к способам метализации керамических изделий. Сущность изобретения: на тестовую высокоглиноземистую подложку наносят металлизационную пасту сплошным слоем толщиной 20 30 мкм, спекают при температуре 1450 1650°С, регулируют состав пасты, наносят отрегулированную пасту (N 1) в виде проводника заданной ширины на дополнительную тестовую подложку, спекают, контролируют соответствие коэффициентов усадки проводника и подложки путем замера ширины проводника в области локализации дефекта, соотносят его с коэффициентом усадки сплошного слоя из пасты N 1 и по нему дополнительно регулируют состав пасты N1, уменьшая ее коэффициент усадки на величину, равную разности коэффициента усадки проводника и сплошного слоя пасты N1, наносят готовую пасту на подложку и спекают.

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МЕТАЛЛОКЕРАМИЧЕСКИХ КОММУТАЦИОННЫХ ПЛАТ, включающий приготовление металлизационной пасты на основе вольфрама и/или молибдена, нанесение пасты сплошным слоем толщиной 20-30 мкм на неспеченную тестовую высокоглиноземистую подложку, спекание при 1450 1650^oС, контроль соответствия коэффициентом усадки сплошного слоя пасты и подложки, регулировка состава пасты, последующее нанесение отрегулированной пасты (N 1) на неспеченную заготовку коммутационной платы и спекание при указанной температуре, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных образцов путем уменьшения расслоений многослойных плат при увеличении разрешающей способности коммутационной схемы, перед нанесением пасты N 1 на заготовку платы эту пасту наносят в виде проводника заданной ширины на дополнительную тестовую подложку, спекают, контролируют соответствие коэффициентов усадки проводника и подложки путем замера ширины проводника в области локализации дефекта, соотносят его с коэффициентом усадки сплошного слоя пасты N 1 и по нему дополнительно регулируют состав пасты N 1, уменьшая ее коэффициент усадки на величину, равную разности коэффициентов усадки проводника и сплошного слоя из пасты N 1.