название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОРОШКОВ ТУГОПЛАВКИХ СОЕДИНЕНИЙ НА ОСНОВЕ ТИТАНА | 1998 |
|
RU2149076C1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ГАЛЛИЯ ИЗ ЩЕЛОЧНО-АЛЮМИНАТНЫХ РАСТВОРОВ ГЛИНОЗЕМНОГО ПРОИЗВОДСТВА И ЭЛЕКТРОЛИЗЕР ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ | 1997 |
|
RU2127328C1 |
Способ получения алюмината лития | 2022 |
|
RU2793006C1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СЛОЖНОГО ОКСИДА ЛИТИЯ И КОБАЛЬТА | 2016 |
|
RU2637222C2 |
Способ изготовления аморфного магнитного материала | 1989 |
|
SU1705407A1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ДИБОРИДА МАГНИЯ | 2001 |
|
RU2202515C2 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ КОМПОЗИЦИОННЫХ КАТОДНЫХ МАТЕРИАЛОВ LiFeMSiO/C | 2012 |
|
RU2522918C2 |
ИЗНОСОСТОЙКОЕ ПОКРЫТИЕ | 2000 |
|
RU2191217C2 |
ПОРОШКОВЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ЗАЩИТНЫХ НАПЛАВОЧНЫХ ПОКРЫТИЙ | 1999 |
|
RU2171309C2 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ АМОРФНОГО МАГНИТНОГО МАТЕРИАЛА | 2008 |
|
RU2406769C2 |
1. Состав для получения электроизоляционного покрытия на лентах аморфных или нанокристаллических сплавов, содержащий оксид фосфора и воду, отличающийся тем, что он дополнительно содержит оксид цинка и карбонат лития при следующем соотношении компонентов, мас.%:
Оксид фосфора - 24,5 - 28,0
Оксид цинка - 11 - 12
Карбонат лития - 9,5 - 10,0
Вода - Остальное
2. Способ приготовления состава для электроизоляционного покрытия на лентах аморфных или нанокристаллических сплавов путем смешивания исходных компонентов, отличающийся тем, что сначала к фосфорной кислоте добавляют оксид цинка, после полного его растворения порциями при интенсивном перемешивании вносят карбонат лития, после прекращения выделения углекислого газа смесь выдерживают в течение 8 - 10 ч, а затем добавляют воду до получения плотности 1,25 - 1,33 г/см3.
3. Способ получения электроизоляционного покрытия на лентах аморфных и нанокристаллических сплавов, включающий нанесение состава, содержащего оксид фосфора и воду, на обрабатываемую поверхность, термообработку на воздухе и последующий отжиг, отличающийся тем, что наносят состав, дополнительно содержащий оксид цинка и карбонат лития, термообработку проводят в градиентном режиме от 25 до 250 - 320oС со скоростью движения ленты 0,3 - 0,4 м/мин, а отжиг проводят при температуре кристаллизации материала или на 80 - 120oС ниже этой температуры.
4. Способ по п. 3, отличающийся тем, что отжиг проводят в присутствии продольного постоянного магнитного поля величиной более 50 Нс материала ленты.
Авторы
Даты
1997-04-10—Публикация
1994-07-19—Подача