РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ Российский патент 2000 года по МПК H01C7/10 H01C17/00 

Описание патента на изобретение RU2152099C1

Изобретение относится к электротехнике, в частности к области электропроводных материалов, и может быть использовано для изготовления нелинейных резисторов, применяемых, например, в устройствах, предназначенных для защиты от перенапряжений.

Известен резистивный материал [1), содержащий неорганическое связующее - портландцемент и воду, электропроводную фазу - порошок углерода и диэлектрический наполнитель - кварцевый песок и периклаз в следующих соотношениях, мас.%:
Связующее - портландцемент - 23 - 43,
Связующее - вода - 8 - 9
Порошок углерода - 6 - 29
Диэлектрический наполнитель - Остальное
Электрическое сопротивление этого материала 1•104Ом•см.

Недостатком этого материала является низкий коэффициент нелинейности, равный 1,1 - 1,5 и низкое начальное удельное сопротивление.

Известен резистивный материал [2] следующего состава, мас.%:
Портландцемент - 35-50
Диэлектрический наполнитель - 40-60
Технический углерод - 5 - 20
Сульфированный нафталинформальдегидный олигомер - 0,35 -1,5
Вода - Остальное
Резисторы из этого материала имеют хорошие физико-механические и электрофизические характеристики. Недостатком материала является низкий коэффициент нелинейности и низкое начальное удельное сопротивление. Известен резистивный материал [3], принятый за прототип. Он содержит токопроводящую фазу на основе мелкодисперсного углерода и связующее на основе портландцемента или жидкого стекла. Материал дополнительно содержит оксид цинка при следующем соотношении компонентов, мас.%:
Портландцемент или жидкое стекло - 34-39,
Мелкодисперсный углерод - 6 - 17
Оксид цинка - 44 - 60
Этот материал имеет коэффициент нелинейности β, равный 5-50. Недостатком материала является низкое начальное удельное сопротивление.

Цель изобретения: обеспечение одновременно высоких значений коэффициента нелинейности и начального удельного сопротивления.

Поставленная цель достигается за счет того, что в резистивном материале, включающем токопроводящую фазу и связующее, новым является то, что в качестве токопроводящей фазы он содержит карбид бора. Компоненты взяты в следующих соотношениях, мас.%:
Карбид бора B4C - 10-70
Связующее - 10 - 30
Диэлектрический наполнитель - Остальное.

Резистивный материал в качестве связующего может содержать неорганическое связующее.

Резистивный материал в качестве связующего может содержать органическое связующее.

Резистивный материал в качестве связующего может содержать неорганическое и органическое связующие.

Резистивный материал в качестве диэлектрического наполнителя содержит, по крайней мере, один компонент из группы, мас.%: ZnO 1 - 65, CuO 0,5 - 50, Fe2O3 (или FeO) 0,5 - 50, MnO2 (или MnO) 0,3 - 2, Co2O3 (или CoO) 0,5 - 5, Bi2O3 0,5 - 5, Sb2O3 0,5 - 50, Cr2O3 0,3 - 50, V2O5 0,5 - 5, K2Cr2 O7 (или Na2Cr2O7, или NH4Cr2O7 0,5 - 3).

Предлагаемый резистивный материал, как и прототип, содержит токопроводящую фазу и связующее. В отличие от прототипа в качестве токопроводящей фазы используется не углерод, а карбид бора В4С в количестве 10 - 70 мас.%.

Связующие могут быть как неорганические, например фосфатные цементы, так и органические, например эпоксидные клеи в количестве 10 - 30 мас.%.

В зависимости от заданных электрофизических, прочностных и технологических свойств в состав предлагаемого материала входит также, по крайней мере, один компонент из группы, мас.%: ZnO 1 - 65, CuO 0,5 - 50, Fe2O3 (или FeO) 0,5 - 50, MnO2 (или MnO) 0,3 -2, Co2O3 (или CoO) 0,5 - 5, Bi2O3 0,5 - 5, Sb2 O3 0,5 - 50, Cr2O3 0,3 -50, V2O5 0,5 - 5, K2Cr2O7 (или Na2Cr2O7, или NH4Cr2O7) 0,5 - 3.

Начальное электрическое сопротивление и коэффициент нелинейности вольт-амперной характеристики заявляемого материала больше, чем у прототипа и в зависимости от состава они достигают значений 1012 Ом•см и до 50 соответственно. При этом высокие значения коэффициента нелинейности и начального удельного сопротивления реализуются в заявляемом материале одновременно. У известных же материалов оба эти параметра (коэффициент нелинейности и начальное удельное сопротивление) существенно меньше [1,2]. Прототип при высоком коэффициенте нелинейности характеризуется низким начальным удельным сопротивлением [3].

Достижение цели предполагаемого изобретения определяется использованием в качестве токопроводящей фазы карбида бора вместо углерода. Замена углерода в прототипе на карбид бора приводит к повышению начального сопротивления без снижения коэффициента нелинейности. Заявляемые пределы содержания карбида бора определяются тем, что при уменьшении его концентрации ниже 10 мас.% коэффициент нелинейности резко снижается, а при содержании карбида бора больше 70 мас.% возрастает вероятность электрического пробоя из-за малого расстояния между токопроводящими частицами.

Использование оксидов ZnO, CuO, Fe2O3 (или FeO), MnO2 (или MnO), Co2O3 (или CoO), Bi2O3, Sb2O3, Cr2O3, V2O5, а также солей К2Cr2O7 (или Na2Cr2O7, или NH4Cr2O7) приводит к увеличению начального электрического сопротивления, но одновременно способствует повышению коэффициента нелинейности. При этом они увеличивают коэффициент нелинейности даже в относительно небольших концентрациях за счет увеличения количества контактов между разнородными частицами, перестраивающими свою электронную структуру в электрическом поле.

В таблице в качестве примера приведены состав и свойства (логарифм начального электрического сопротивления lg( ρ , Ом•см) и коэффициент нелинейности β) 9 образцов предлагаемого материала и прототипа. В качестве неорганического связующего могут использоваться, например, промышленные фосфатные цементы марок "Висфат" или "Фосфат", которые поставляются в виде порошка и затворяющей жидкости. В качестве органического связующего могут использоваться эпоксидные клеи, состоящие из смолы и отвердителя.

Из таблицы видно, что предлагаемый материал при близких к прототипу значениях коэффициента нелинейности вольт-амперных характеристик обладает на 2-6 порядков более высоким начальным удельным электрическим сопротивлением. Этим и определяется существенное техническое его преимущество.

Достоинством нового резистивного материала является его технологичность. Технология изготовления элементов любой конфигурации проста и не требует высокотемпературного обжига. Сначала производят сухое перемешивание порошков карбида бора и диэлектрических наполнителей. Затем в полученную смесь добавляется связующее.

В случае использования в качестве связующего фосфатного цемента к смеси карбида бора и диэлектрического наполнителя добавляется порошок фосфатного цемента и производят сухое перемешивание. В полученную сухую смесь добавляют затворяющую жидкость фосфатного цемента. Полученная масса тщательно перемешивается.

В случае использования в качестве связующего эпоксидной смолы к сухой смеси карбида бора и диэлектрического наполнителя добавляется эпоксидная смола и отвердитель. Полученная масса тщательно перемешивается.

В случае использования в качестве связующего фосфатного цемента и эпоксидной смолы к смеси карбида бора и диэлектрического наполнителя добавляется порошок фосфатного цемента и производят сухое перемешивание. В полученную смесь добавляются жидкости: сначала эпоксидная смола и отвердитель, затем затворяющая жидкость фосфатного цемента. После этого производится тщательное перемешивание.

Полученная масса укладывается в форму нужной конфигурации и размеров. В форме происходит затвердевание массы при комнатной температуре. Затвердевшая заготовка извлекается из формы и в случае необходимости поверхности ее могут подшлифовываться.

Например, для изготовления образцов резистивного материала N 4 (по таблице) в расчете на 100 г шихты необходимо 24 г порошка карбида бора B4C смешать с 50 г порошкоообразных оксида железа (FeO) и 1 г бихромата калия (K2Cr2O7). К полученной сухой смеси необходимо добавить 20 г эпоксидной смолы и 5 г отвердителя. Полученную массу необходимо тщательно перемешать и уложить в формы. Через сутки смесь полностью затвердевает и заготовки извлекают из форм. Плоскости изделий могут подшлифовываться до заданной толщины.

Список литературы
1. RU, авторское свидетельство N 484573, H 01 С 7/10, 1973 г.

2. RU патент N 2009559, H 01 C 7/00, 1994 г.

3. RU, авторское свидетельство N 978205, H 01 С 7/10, 1981 г.

Похожие патенты RU2152099C1

название год авторы номер документа
ОПОРНО-ИЗОЛЯЦИОННАЯ КОНСТРУКЦИЯ 1996
  • Гусейнов Г.А.
  • Иманов Г.М.
RU2107348C1
ОПОРНО-ИЗОЛЯЦИОННАЯ КОНСТРУКЦИЯ 1996
  • Гусейнов Г.А.
  • Иманов Г.М.
RU2107349C1
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЗАЩИТЫ ОТ ПЕРЕНАПРЯЖЕНИЙ 1996
  • Гусейнов Г.А.
  • Иманов Г.М.
RU2097863C1
ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫЙ НАГРЕВАТЕЛЬНЫЙ ЭЛЕМЕНТ ДЛЯ БЫТОВЫХ ЭЛЕКТРОНАГРЕВАТЕЛЬНЫХ ПРИБОРОВ, ЭЛЕКТРОИЗОЛЯЦИОННАЯ ЭМАЛЬ ДЛЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО НАГРЕВАТЕЛЬНОГО ЭЛЕМЕНТА, ЭЛЕКТРОИЗОЛЯЦИОННЫЙ СЛОЙ ДЛЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО НАГРЕВАТЕЛЬНОГО ЭЛЕМЕНТА, НАРУЖНЫЙ ТЕПЛОЗАЩИТНЫЙ И ГИДРОФОБНЫЙ СЛОЙ ДЛЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО НАГРЕВАТЕЛЬНОГО ЭЛЕМЕНТА И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО НАГРЕВАТЕЛЬНОГО ЭЛЕМЕНТА ДЛЯ БЫТОВЫХ ЭЛЕКТРОПРИБОРОВ 1994
  • Варламов С.А.
  • Верховец М.Н.
  • Иванов А.С.
  • Ковалев Б.И.
RU2091986C1
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЗАЩИТЫ ОТ ПЕРЕНАПРЯЖЕНИЙ 1997
  • Бондаренко П.Н.
  • Виткин А.Л.
  • Корень М.Г.
  • Кузнецова М.Г.
  • Петухов А.П.
  • Пономарева В.А.
  • Пукшанский М.Д.
  • Розет В.Е.
RU2125748C1
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЗАЩИТЫ ОТ ПЕРЕНАПРЯЖЕНИЙ 1995
  • Гусейнов Г.А.
  • Иманов Г.М.
  • Гусейнова К.Н.
RU2096850C1
ВАРИСТОР И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ 1996
  • Бондаренко П.Н.
  • Егоров Г.Г.
  • Корень М.Г.
  • Кузнецова М.Г.
  • Петухов А.П.
  • Полухин В.Н.
  • Пономарева В.А.
RU2118006C1
СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ СТЕКЛОВИДНОГО ПОКРЫТИЯ НА ЦИЛИНДРИЧЕСКУЮ ПОВЕРХНОСТЬ ИЗДЕЛИЯ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ 1997
  • Бондаренко П.Н.
  • Корень М.Г.
  • Кузнецова М.Г.
  • Паничев Г.И.
  • Петухов А.П.
  • Полухин В.Н.
  • Пономарева В.А.
RU2115765C1
СПОСОБ ГЕРМЕТИЗАЦИИ СИТАЛЛОКЕРАМИЧЕСКИХ РЕЗИСТОРОВ 1990
  • Копылова М.Г.
  • Редкин Ю.И.
  • Логоша Т.Ю.
RU2103757C1
АБРАЗИВНЫЙ ИНСТРУМЕНТ 1994
  • Мартынов В.Н.
  • Эфрос М.Г.
  • Цывьян А.М.
  • Стратиевский И.Х.
  • Зинченко В.П.
RU2078678C1

Иллюстрации к изобретению RU 2 152 099 C1

Реферат патента 2000 года РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ

Изобретение относится к электротехнике, в частности к электропроводным материалам, и может быть использовано для изготовления нелинейных регисторов, применяемых, например, в устройствах, предназначенных для защиты от перенапряжений. Резистивный материал содержит токопроводящую фазу, связующие и диэлектрический наполнитель. Согласно формуле изобретения в качестве токопроводящей фазы он содержит карбид бора. Содержание компонентов следующее, мас.%: карбид бора В4С 10-70, связующее 10-30, диэлектрический наполнитель - остальное. Связующее может быть неорганическим или органическим. В качестве диэлектрического наполнителя содержит, по крайней мере, один компонент из группы, мас. %: ZnO 1-65, CuO 0,5-50, FeO3 (или FeO) 0,5-50, MnO2 (или MnO) 0,3-2, Co2O3 (или CoO) 0,5-5, Bi2O3 0,5-5, Sb2O3 0,5-50, CrO3 0,3-50, V2O3 0,5-5, K2Cr2O7 (или Na2Cr2O7, или NH4Cr2O7) 0,5-3. Техническим результатом является обеспечение одновременно высоких значений коэффициента нелинейности и начального удельного сопротивления. 4.з.п. ф-лы, 1 табл.

Формула изобретения RU 2 152 099 C1

1. Резистивный материал, содержащий токопроводящую фазу, связующее и диэлектрический наполнитель, отличающийся тем, что в качестве токопроводящей фазы содержит карбид бора B4C, при следующем соотношении компонентов, мас.%:
Карбид бора В4С - 10 - 70
Связующее - 10 - 30
Диэлектрический наполнитель - Остальное
2. Резистивный материал по п. 1, отличающийся тем, что он в качестве связующего содержит неорганическое связующее.
3. Резистивный материал по п. 1, отличающийся тем, что он в качестве связующего содержит органическое связующее. 4. Резистивный материал по п. 1, отличающийся тем, что он в качестве связующего содержит неорганическое и органическое связующие. 5. Резистивный материал по п. 1, отличающийся тем, что он в качестве диэлектрического наполнителя содержит, по крайней мере, один компонент из группы, мас.%:
ZnO - 1 - 65
Fe2O3 (или FeO) - 0,5 - 50
MnO2 (или MnO) - 0,3 - 2
Со2О3 (или СоО) - 0,5 - 5
Bi2O3 - 0,5 - 5
Sb2O3 - 0,5 - 50
Cr2O3 - 0,3 - 50
V2O5 - 0,5 - 5
K2Cr2O7 (или Na2Cr2O7, или NH4Cr2O7) - 0,5 - 3
CuO - 0,5 - 50о

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2000 года RU2152099C1

Резистивный материал 1981
  • Манчук Руслан Владимирович
  • Хромов Евгений Георгиевич
  • Власенко Людмила Семеновна
  • Катков Валентин Григорьевич
  • Энтин Иосиф Абрамович
  • Новиков Владимир Павлович
SU978205A1
РЕЗИСТИВНЫЙ КОМПОЗИЦИОННЫЙ МАТЕРИАЛ 1991
  • Пугачев Г.А.
  • Автономов И.В.
  • Халин М.В.
  • Ильюшенко А.С.
  • Маевский Е.К.
  • Волков С.В.
RU2009559C1
Резистивный материал 1973
  • Добжинский Михаил Станиславович
  • Репях Леонид Николаевич
  • Власенко Людмила Семеновна
  • Горелов Валерий Павлович
  • Манчук Руслан Владимирович
  • Врублевский Лев Евгеньевич
  • Андрейченко Август Вячеславович
  • Жаворонков Алексей Андреевич
  • Зорин Валентин Дмитриевич
  • Григорашвили Олег Евгеньевич
SU484573A1
ГИБКИЙ ПРИВОД ДЛЯ МОЛОКООТСОСА 2010
  • Так Йоханнес Виллем
RU2547077C2
ОЧКИ ЗАЩИТНЫЕ 2016
  • Кисляков Владимир Витальевич
RU2639042C1
US 4477793 A, 16.10.84
US 4730179 A, 08.08.88.

RU 2 152 099 C1

Авторы

Бондаренко П.Н.

Иманов Г.М.-О.

Корень М.Г.

Кузнецова М.Г.

Петухов А.П.

Полухин В.Н.

Пономарева В.А.

Щавелев К.О.

Щавелев О.С.

Якобсон Н.А.

Даты

2000-06-27Публикация

1998-05-20Подача