КОРПУС ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ Российский патент 2010 года по МПК H01L23/10 

Описание патента на изобретение RU2386190C1

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при разработке корпусов интегральных схем на основе технологии BGA, связанной с большим количеством каналов ввода-вывода микросхем.

Известен корпус интегральной схемы, содержащий основание, на верхней поверхности которого лицевой стороной смонтирована интегральная схема способом «Flip-Chip», представляющим собой присоединение перевернутого кристалла через шариковые выводы (1).

На нижней поверхности основания, по периферии, расположено множествво шариковых выводов, а в центральной зоне основания - рассеиватель тепла.

Сверху интегральная схема закрыта крышкой, выполняющей функцию теплосъемника, имеющего тепловой контакт с внутренней поверхностью интегральной схемы.

Недостатком данной конструкции корпуса является уменьшенное количество внешних выводов из-за размещения рассеивателя тепла в центральной зоне основания.

Кроме того, отвод тепла от интегральной схемы в окружающую среду происходит через три слоя различных материалов (основание, клеевое соединение, теплосъемник), что значительно уменьшает эффективность теплопередачи в условиях многослойной структуры.

Такое выполнение корпуса интегральной схемы сопряжено с появлением внутренних напряжений, связанных с различиями температурных коэффициентов расширения материалов.

Наиболее близким к заявленному изобретению по совокупности признаков (прототипом) является корпус интегральной схемы, включающий керамическое основание с многослойной проводящей структурой, матрицей шариковых выводов и центральным монтажным отверстием, в зоне которого расположена коммутационная вставка, электрически связанная с основанием внутренними выводами (2).

На коммутационной вставке смонтирована интегральная схема способом «Flip-Chip», а на противоположной стороне вставки установлен теплоотвод в виде металлической пластины.

Сверху основания корпус снабжен устройством съема тепла, соединенным с основанием и внутренней поверхностью интегральной схемы адгезионным материалом.

Зона расположения интегральной схемы и коммутационной вставки заполнена компаундной смесью.

Недостатком известного технического решения является то, что коммутационная вставка, установленная в монтажном отверстии, выполнена на основе многослойных структур, включающих разветвленную систему проводящих рисунков с большим электрическим сопротивлением, что приводит к отклонениям от нормального теплового режима и потери работоспособности устройства.

Металлический теплоотвод, смонтированный на внешней поверхности коммутационной вставки, перекрывает центральную зону корпуса, что уменьшает количество внешних выводов, сокращая тем самым функциональные возможности известного устройства.

Кроме того, применение в конструкции корпуса компаундной смеси не обеспечивает необходимой степени герметичности, что снижает надежность изделий при воздействии механических и климатических факторов.

Задача, решаемая настоящим изобретением, состоит в устранении указанных недостатков путем увеличения количества внешних выводов при одних и тех же габаритных размерах корпуса и обеспечении эффективного теплосъема из зоны расположения интегральной схемы.

Для решения этой задачи в предлагаемом корпусе интегральной схемы, содержащем керамическое основание с многослойной проводящей структурой и матрицей шариковых выводов, имеющее в центре монтажное отверстие для размещения интегальной схемы, коммутационной вставки и теплоотвода, в соответствии с изобретением и в отличие от прототипа коммутационная вставка и теплоотвод совмещены и выполнены в виде коммутирующего теплоотвода - пластины из нитрида алюминия, на лицевых внутренней и внешней поверхностях которой размещены соответственно контактные площадки и шариковые выводы, электрически соединенные между собой сквозными металлизированными проводниками, при этом шариковые выводы основания и коммутирующего теплоотвода расположены в одной плоскости, а коммутирующий теплоотвод соединен с основанием корпуса металлической рамкой посредством пайки.

Изобретение поясняется чертежами, где:

на фиг.1 изображен поперечный разрез корпуса интегральной схемы;

на фиг.2 изображен корпус интегральной схемы в плане (вид снизу).

Устройство содержит основание 1 с проводящей структурой, в центральной части которого выполнено сквозное монтажное отверстие 2.

В наружной плоскости основания 1 расположено множество шариковых выводов 3, а также металлическая рамка 4, на которой смонтирован коммутирующий теплоотвод 5.

Коммутирующий теплоотвод 5 выполнен в виде пластины из нитрида алюминия, на лицевой внутренней поверхности которой размещены контактные площадки 6, а на лицевой внешней поверхности - шариковые выводы 7, соединенные между собой металлизированными проводниками 8.

Внутри монтажного отверстия 2 установлена интегральная схема 9 способом «Flip-Chip», заключающимся в присоединении перевернутого кристалла через шариковые выводы.

Коммутирующий теплоотвод 5 соединен с основанием 1 внутренними выводами 10.

Сверху монтажное отверстие 2 основания 1 перекрывается крышкой 11, которая крепится к основанию с помощью ультразвуковой сварки.

Металлическая рамка 4 присоединяется к основанию 1 и коммутирующему теплоотводу 5 паянными швами.

Устройство работает следующим образом.

Сигнал поступает на выводы корпуса через многослойные проводящие линии к интегральной схеме, проходит соответствующую обработку (усиление, преобразование частоты, переключение на разные выводы и т.д.). Преобразованный сигнал снимается с внешних выводов корпуса, в том числе с внешних выводов коммутирующего теплоотвода, с помощью которого тепло, выделяемое схемой, отводится в окружающую среду.

Предложенный корпус интегральной схемы характеризуется увеличенной плотностью активных элементов и, как следствие, увеличенным количеством выводов. Реализация технических решений в предложенной конструкции корпуса интегральной схемы, где коммутирующий теплоотвод используется как в качестве рассеивателя тепла, так и в качестве коммутационного устройства, позволяет увеличить количество выводов не менее чем в 1,3 раза при сохранении габаритных размеров корпуса интегральной схемы.

Применение в качестве материала коммутирующего теплоотвода нитрида алюминия, который обладает высокой теплопроводностью, позволяет повысить эффективность теплосъема из зоны расположения интегральной схемы, а наличие металлизированных вертикальных проводников с малым омическим сопротивлением снижает перегрев проводников и исключает нежелательные физико-химические изменения в элементах соединений и окружающего диэлектрика. Технология изготовления коммутирующего теплоотвода включает в себя:

- сверление вертикальных отверстий с помощью лазерного излучения;

- металлизацию отверстий;

- металлизацию внутренней поверхности теплоотвода с образованием контактных площадок;

- формирование шариковых выводов на внешней поверхности теплоотвода.

Источники информации

1. Патент US №7002246B2, кл. H01L23/10, 2005 г.

2. Патент US №7411281B2, кл. H01L23/34, 2008 г.

Похожие патенты RU2386190C1

название год авторы номер документа
ТРЕХМЕРНОЕ ЭЛЕКТРОННОЕ УСТРОЙСТВО 2011
  • Сасов Юрий Дмитриевич
  • Усачев Вадим Александрович
  • Голов Николай Александрович
  • Кудрявцева Наталья Валерьевна
RU2488913C1
ТРЕХМЕРНЫЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ 1997
RU2133523C1
КОРПУС ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ 2009
  • Серегин Вячеслав Сергеевич
  • Пилавова Лариса Владимировна
  • Троицкий Вячеслав Леонидович
  • Василевич Анатолий Иванович
  • Горьков Алексей Викторович
RU2390876C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КОРПУСА ПО РАЗМЕРАМ КРИСТАЛЛА ИНТЕГРАЛЬНОЙ МИКРОСХЕМЫ 2008
  • Громов Владимир Иванович
RU2410793C2
СПОСОБ СБОРКИ ТРЕХМЕРНОГО ЭЛЕКТРОННОГО МОДУЛЯ 2012
  • Сасов Юрий Дмитриевич
  • Усачев Вадим Александрович
  • Голов Николай Александрович
  • Кудрявцева Наталья Валерьевна
RU2492549C1
КОРПУС ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ 2006
  • Серегин Вячеслав Сергеевич
  • Пилавова Лариса Владимировна
  • Василевич Анатолий Иванович
  • Куцько Павел Павлович
  • Горьков Алексей Викторович
RU2329568C1
Трехмерная электронная сборка 2018
  • Новиков Андрей Михайлович
RU2706418C2
СПОСОБ ПРИМЕНЕНИЯ ПЛАТИНОВОЙ МЕТАЛЛИЗАЦИИ В СИСТЕМЕ ПЕРЕРАСПРЕДЕЛЕНИЯ КОНТАКТНЫХ ПЛОЩАДОК КРИСТАЛЛОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ 2019
  • Рогозин Никита Владимирович
  • Побединский Виталий Владимирович
RU2717264C1
СПОСОБ ИЗОЛЯЦИИ ПРИ МОНТАЖЕ ПЕРЕВЕРНУТЫХ КРИСТАЛЛОВ 2016
  • Зенин Виктор Васильевич
  • Стоянов Андрей Анатольевич
  • Колбенков Анатолий Александрович
  • Побединский Виталий Владимирович
  • Рогозин Никита Владимирович
RU2648311C2
МНОГОКРИСТАЛЬНЫЙ МОДУЛЬ 2007
  • Серегин Вячеслав Сергеевич
  • Пилавова Лариса Владимировна
  • Василевич Анатолий Иванович
  • Троицкий Вячеслав Леонидович
  • Горьков Алексей Викторович
  • Гамкрелидзе Сергей Анатольевич
RU2335822C1

Иллюстрации к изобретению RU 2 386 190 C1

Реферат патента 2010 года КОРПУС ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ

Изобретение относится к области электронной техники. Сущность изобретения: в корпусе интегральной схемы, содержащем керамическое основание с многослойной проводящей структурой и матрицей шариковых выводов, имеющее в центре монтажное отверстие для размещения интегральной схемы, коммутационной вставки и теплоотвода, коммутационная вставка и теплоотвод совмещены и выполнены в виде единого коммутирующего теплоотвода - пластины из нитрида алюминия, на лицевых внутренней и внешней поверхностях которой размещены соответственно контактные площадки и шариковые выводы, электрически соединенные между собой сквозными металлизированными проводниками, при этом шариковые выводы основания и коммутирующего теплоотвода расположены в одной плоскости, а коммутирующий теплоотвод соединен с основанием корпуса металлической рамкой посредством пайки. Техническим результатом изобретения является увеличение количества внешних выводов при одних и тех же габаритных размерах корпуса и обеспечение эффективного теплосъема из зоны расположения интегральной схемы. 2 ил.

Формула изобретения RU 2 386 190 C1

Корпус интегральной схемы, содержащий керамическое основание с многослойной проводящей структурой и матрицей шариковых выводов, имеющее в центре монтажное отверстие для размещения интегральной схемы, коммутационной вставки и теплоотвода, отличающийся тем, что коммутационная вставка и теплоотвод совмещены и выполнены в виде единого коммутирующего теплоотвода-пластины из нитрида алюминия, на лицевых внутренней и внешней поверхностях которой размещены соответственно контактные площадки и шариковые выводы, электрически соединенные между собой сквозными металлизированными проводниками, при этом шариковые выводы основания и коммутирующего теплоотвода расположены в одной плоскости, а коммутирующий теплоотвод соединен с основанием корпуса металлической рамкой посредством пайки.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2010 года RU2386190C1

US 7411281 B2, 12.08.2008
КОРПУС ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ 2006
  • Серегин Вячеслав Сергеевич
  • Пилавова Лариса Владимировна
  • Василевич Анатолий Иванович
  • Куцько Павел Павлович
  • Горьков Алексей Викторович
RU2329568C1
КОРПУС ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ СВЧ-ДИАПАЗОНА 1992
  • Иовдальский В.А.
  • Мякиньков В.Ю.
RU2079931C1
КОРПУС ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНОЙ МИКРОСХЕМЫ 1994
  • Архангельский Е.Б.
  • Воловник А.А.
  • Головин В.М.
RU2083026C1
US 7199466 B2, 03.04.2007
US 7002246 B2, 21.02.2006.

RU 2 386 190 C1

Авторы

Серегин Вячеслав Сергеевич

Пилавова Лариса Владимировна

Троицкий Вячеслав Леонидович

Василевич Анатолий Иванович

Горьков Алексей Викторович

Даты

2010-04-10Публикация

2008-12-05Подача