МНОГОСЛОЙНОЕ ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНТНОЕ УСТРОЙСТВО Российский патент 2014 года по МПК C09K11/06 H05B33/14 

Изобретение относится к области создания электролюминесцентных устройств - органических светоизлучающих диодов, известных как ОСИД или OLED - Organic Light Emitting Diodes, - которые используются в качестве эффективных и высокоэкономичных твердотельным источников освещения нового поколения.

Известно электролюминесцентное устройство на основе комплекса цинка и производного N,N¹-бис(2-гидроксибензилиден)-1,2-фенилендиамина, содержащее электроноинжектирующий слой, дырочно-инжектирующий слой и активный люминесцентный слой на основе вышеприведенного хелатного комплекса цинка (патент РФ №2140956, C09K 11/06, 1999 г.). Устройство излучает в зеленой области, обладает яркостью 480 кД/м² при напряжении 11,8 В и плотности тока 26 мА/см², что соответствует энергопотреблению 6,4 Вт/кД.

Известно электролюминесцентное устройство, где в качестве электролюминесцентного слоя используется комплекс цинка с лигандами на основе производных 8-аминохинолина, содержащее электроноинжектирующий слой, дырочно-транспортный слой, дырочно-инжектирующий слой и активный люминесцентный слой на основе вышеприведенного хелатного комплекса цинка (патент РФ №2310676, C09K 11/06, 2006 г.). Устройство излучает в сине-зеленой области, обладает яркостью 140 кД/м² при напряжении 19 В и плотности тока 1,5 мА/см² (эффективность 9 кД/А).

В патенте РФ №2265040 (МПК C09K 11/06, 2005 г.) описывается электролюминесцентный материал, состоящий из электронного инжектирующего слоя, активного люминесцентного слоя на основе хелатного комплекса металла, дырочно-транспортного слоя и дырочного инжектирующего слоя. В качестве люминесцентного вещества содержит один из оксихинолятных металлокомплексов 8-гидрокси-2-метоксихинолинат цинка или 8-гидрокси-2-метилхинолинат цинка. Электролюминесцентный материал с излучением в зеленой области спектра с повышенной термостабильностью со следующими параметрами: яркость 140 кД/м² достигается при напряжении 16 В и плотности тока 24 мА/см² (эффективность 4 кД/А).

Наиболее близким по выполнению является электролюминесцентное устройство, включающее дырочно-инжектирующий слой (CuPc), дырочно-транспортный слой (2-TNATA), активный люминесцентный слой на основе электролюминесцентного вещества бис[2-(2'-тозиламинофенил) бензоксазолато]цинка(2+) формулы I

http://www.fips.ru/rupatimage/0/2000000/2400000/2400000/2408000/2408648-5.gif" \o "4 Kb" \t "_blank

дырочно-блокирующий слой (BCP), электронно-транспортный слой (Bphen), электронно-инжектирующий слой(LiF). Такое ЭЛУ, излучает в зеленой области спектра и обладает яркостью 460 кД/м² при напряжении 8 В и токе 30 мА/см², что соответствует световой эффективности 0.67 Lm/W (патент РФ № 2408648, С09К 11/06, 2011 г.).

Задачей изобретения является расширение электролюминесцентных устройств с высокими рабочими характеристиками, излучающих в зеленой области спектра.

Техническим результатом является повышение яркости зеленого излучения электролюминесцентных устройств с люминесцентным слоем на основе хелатных комплексов цинка с производных салицилового альдегида с различными аминами.

Технический результат достигается электролюминесцентным устройством, включающем дырочно-инжектирующий слой (например, CuPc), дырочно-транспортный слой (например, 2-TNATA), активный люминесцентный слой на основе электролюминесцентного вещества бис[2-(2′-тозиламинофенил)бензоксазолато]цинка(2+) общей формулы I, дырочно-блокирующий слой (например, BCP), электронно-транспортный слой (например, Bphen), электронно-инжектирующий слой (например, LiF) и электронный блокирующий слой с использованием в качестве него N,N′-бис(3-метилфенил)-N,N′би(фенил)-9,9-спиробифлюорена (spiro-TPD).

Отличием устройства от прототипа является наличие электронного блокирующего слоя и использование в качестве него N,N′-бис(3-метилфенил)-N,N′би(фенил)-9,9-спиробифлюорена (spiro-TPD).

Изобретение удовлетворяет критерию изобретательского уровня, так как не известно повышение яркости излучения электролюминесцентного устройства при введении в него дополнительно электронного блокирующего слоя, в том числе, на основе spiro-TPD.

Синтез соединения I описан в патенте РФ №2408648.

На фиг.1 представлена общая схема электролюминесцентного устройства в продольном разрезе. В качестве твердой прозрачной подложки (1) используют выпускаемую промышленностью стеклянную подложку с нанесенным на нее прозрачным токопроводящим слоем из оксида индия, допированного оловом, являющимся анодом (2), к которому подсоединен металлический контакт (3). Далее последовательно методом термического вакуумного испарения наносят слой инжектирующий дырки из фталоцианина меди (CuPc) (4), дырочный транспортный слой (2-TNATA) (5), электроно-блокирующий слой из N,N′-бис(3-метилфенил)-N,N′би(фенил)-9,9-спиробифлюорен (spiro-TPD) (6), светоизлучающий слой из бис[2-(2′-тозиламинофенил)бензоксазолато]цинк(II) (формула I) (7), дырочно-блокирующий слой из 2,9-диметил-4,7-дифенил-1,10-фенантролина (BCP) (8), электронный транспортный слой (4,7-дифенил-1,10-фенантролина) (BPhen) 9, электронный инжектирующий слой фторида лития (LiF) (10) и алюминиевый катод (11). Разделительная дорожка (12) на электродном покрытии из оксида индия, допированного оловом, делит прозрачный проводящий слой на анодную (2) и катодную зоны. Катодная зона одновременно являлась токопроводом к катоду (13) и имеет металлический контакт (14). Толщины слоев при изготовлении методом термического вакуумного испарения строго контролируют.

В таблице 1 указан химический состав ниже приведенных веществ, а также толщина функциональных слоев устройства с использованием общепринятой в литературе аббревиатуры соединений:

Phthalocyanine Copper complex (CuPc), ALDRICH, CAS 147-148

4,4′,4′′-Tris(N-(2-naphthyl)-N-phenyl-amino)triphenylamine (2-TNATA)

KINTEC, lot: KZ88BuOMEEO, sales@kintec.hk

Spiro-TPD - N,N′-бис(3-метилфенил)-N,N′би(фенил)-9,9-спиробифлюорен SIGMA - ALDRICH, CAS 123847-85-8, CAS №189363-47-1

2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanhroline (BCP) KINTEC, lot: KZ86BUOHRYO, sales@kintec.hk

4,7-Diphenyl-1,10-phenanthroline (Bphen) KINTEC, lot: KZ88BuOMEEO, sales@kintec.hk

LiF ALDRICH, CAS: 7789-24-4

Таблица 1

№ п.п. Наименование Количество 1 Стеклянная пластина 1 2 Анод: ITO - In₂O₃:SnO₂ 1 3 Металлический контакт к аноду 1 4 Дырочный инжекционный слой: CuPc (фталоцианин меди), толщина слоя 3 нм 1 5 Дырочный транспортный слой: 2-TNATA (4,4´,4”-три(2- нафтилфенил-фениламино)-трифениламин),
толщина слоя 40 нм 1 6 Электронный блокирующий слой: spiro-TPD (N, N´-би(фенил)-9,9- спиробифлюорен), толщина слоя 6 нм 1 7 Активный люминесцентный слой: бис[2-(2'-тозиламино-фенил)бензоксазолато]цинк(II), толщина слоя 25 нм 1 8 Дырочный блокирующий слой: BCP (2,9-диметил-4,7-дифенил-1,10-фенантролин), толщина слоя 7 нм 1 9 Электронный транспортный слой: BPhen (4,7-дифенил-1,10-фенантролин), толщина слоя 28 нм 1 10 Электронный инжекционный слой: LiF, толщина слоя 1.0 нм 1 11 Катод: Al (100 нм) 1 12 Разделительная дорожка 1 13 Токопровод к катоду 1 14 Металлический контакт к катоду 1

Перед использованием вещество подвергаются многократной очистке путём переосаждения. Формирование многослойной структур ОСИД и измерение рабочих характеристик проводят в инертной атмосфере Ar в отсутствие контакта с атмосферой. Слои наносят методом термического вакуумного испарения.

При подаче напряжения на анод (2) и катод (11) из них в соседние проводящие слои инжектируются соответственно дырки и электроны, которые движутся навстречу друг другу. В светоизлучающем слое (7) происходит рекомбинация этих зарядов, что вызывает эффект электролюминесценции (излучение света). Блокирующие слои (6) и (8) обеспечивают накопление электронов и дырок в слое (7), повышая тем самым эффективность рекомбинации зарядов, т.е. интенсивность излучения.

На фиг. 1 показана структура изготовленного ОСИД на основе комплекса цинка с зелёным светом излучения.

Полученные спектры фото- и электролюминесценции (ЭЛ) показаны на фигурах 2 и 3.

Установлено, что в диапазоне длин волн от 500 до 750 нм при указанной толщине слоев яркость излучения полученного ОСИД составляет 2500 кд/м² при приложенном потенциале 10 В. Пороговое напряжение составляет 3.2 В. Координаты цветности излучения - (x=0.373; y=0.463).

Таким образом, электролюминесцентные устройства на основе люминесцентного соединения с формулой I с использованием электронного блокирующего слоя на основе N,N′-бис(3метилфенил)-N,N′би(фенил)-9,9-спиробифлюорена (spiro-TPD) демонстрируют высокие рабочие характеристики, превышающие характеристику яркости прототипа в 5 раз, что позволяет использовать его в качестве излучающего органического материала в источниках освещения с зеленым светом.

Этим подтверждается достижение технического результата по сравнению с известным техническим решением, а также расширение ассортимента ОСИД.

Изобретение относится к области электролюминесцентных устройств - органических светоизлучающих диодов, применяемых в качестве эффективных и высокоэкономичных твердотельных источников освещения. Электролюминесцентное устройство включает дырочно-инжектирующий слой, дырочно-транспортный слой, активный люминесцентный слой на основе электролюминесцентного соединения бис[2-(2'-тозиламинофенил) бензоксазолато]цинка(2+) формулы I, дырочно-блокирующий слой, электронно-транспортный слой, электронно-инжектирующий слой и электронный блокирующий слой с использованием в качестве него N,N´-бис(3-метилфенил)-N,N´би(фенил)-9,9-спиробифлюорена. Изобретение обеспечивает повышение яркости зеленого излучения электролюминесцентных устройств по известному уровню с люминесцентным слоем на основе хелатных комплексов цинка с производными салицилового альдегида с различными аминами. 3 ил., 1 табл., 1 пр.

Электролюминесцентное устройство, включающее дырочно-инжектирующий слой, дырочно-транспортный слой, активный люминесцентный слой на основе электролюминесцентного соединения бис[2-(2'-тозиламинофенил) бензоксазолато]цинка(2+) формулы I,

I
дырочно-блокирующий слой, электронно-транспортный слой, электронно-инжектирующий слой и электронный блокирующий слой с использованием в качестве него N,N´-бис(3-метилфенил)-N,N´би(фенил)-9,9-спиробифлюорена.